公开(公告)号：WO2009081080A3

公开(公告)日：2009-07-02

申请号：PCT/FR2008/052405

申请日：2008-12-23

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  ROY, Mathieu ,  LAURENT, Jean-Yves

Inventor： ROY, Mathieu ,  LAURENT, Jean-Yves

IPC: H01M8/04 ,  H01M8/00 ,  H04M1/02

Abstract: L'invention concerne un dispositif comprenant une pile à combustible à hydrogène-air, comportant un élément mobile (32) susceptible, en position fermée, de recouvrir la cathode de la pile (31) de façon sensiblement étanche.

公开(公告)号：WO2012143325A1

公开(公告)日：2012-10-26

申请号：PCT/EP2012/056901

申请日：2012-04-16

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  STMICROELECTRONICS S.R.L. ,  CARO, Vincent ,  RODILOSSO, Davide

Inventor： CARO, Vincent ,  RODILOSSO, Davide

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01G7/06 ,  H01L21/31111 ,  H01L28/55

Abstract: The invention concerns a method for etching a PVD deposited barium strontium titanate (BST) layer, wherein a non-ionic surfactant at a concentration between 0.1 and 1 percent is added to an acid etching solution.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于蚀刻PVD沉积的钛酸钡锶（BST）层的方法，其中将0.1％至1％浓度的非离子表面活性剂加入酸蚀刻溶液中。

公开(公告)号：WO2011064480A1

公开(公告)日：2011-06-03

申请号：PCT/FR2010/052329

申请日：2010-10-29

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  TOUZET, Dominique ,  COIRAULT, Pascal

Inventor： TOUZET, Dominique ,  COIRAULT, Pascal

IPC: H01L23/495

CPC classification number: H01L23/49562 ,  H01L23/49537 ,  H01L24/34 ,  H01L24/37 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/37147 ,  H01L2224/37599 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/84801 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01057 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/181 ,  Y10T29/53178 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014

Abstract: L'invention concerne un système de montage en boîtier de puces électroniques comportant une première grille de connexion (34) définissant des zones (142) de réception de puces; et une seconde grille de connexion (36) définissant des zones (162) de recouvrement des puces, les grilles comportant, au moins en périphérie, des paires d'éléments (42, 44) à coopération mutuelle pour un maintien des grilles entre elles.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于将电子芯片安装在封装中的系统，所述系统包括限定芯片接收区域（142）的第一引线框架（34）和限定芯片覆盖区域（162）的第二引线框架（36） ）。 这些框架至少在外围包括相互作用以便将框架保持在其间的元件对（42,44）。

公开(公告)号：WO2011135242A1

公开(公告)日：2011-11-03

申请号：PCT/FR2011/050935

申请日：2011-04-22

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  MENARD, Samuel

Inventor： MENARD, Samuel

IPC: H01L29/747

CPC classification number: H01L29/747

Abstract: L'invention concerne un commutateur bidirectionnel vertical du type à commande référencée à la face arrière compor- tant sur sa face arrière une première électrode principale (A1) et sur sa face avant une deuxième électrode principale (A2) et une électrode de gâchette (G), ce commutateur étant commandable par une tension positive entre gâchette et première électrode, dans lequel l'électrode de gâchette (G) est disposée sur la face avant d'un via traversant la puce dans laquelle est formé le commutateur.

Abstract translation: 本发明涉及一种具有后表面控制类型的垂直双向开关，包括在其后表面上的第一主电极（A1）和在其表面上的第二主电极（A2），以及 栅电极（G）。 所述开关可以通过栅电极和第一电极之间的正电压来控制。 在所述开关中，栅电极（G）配置在穿过其中形成开关的芯片的通孔的前表面上。

公开(公告)号：WO2009125143A2

公开(公告)日：2009-10-15

申请号：PCT/FR2009/050524

申请日：2009-03-30

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE ,  BARRIERE, Clément ,  FAU, Pierre ,  CHAUDRET, Bruno ,  MARGEAT, Olivier

Inventor： BARRIERE, Clément ,  FAU, Pierre ,  CHAUDRET, Bruno ,  MARGEAT, Olivier

IPC: H01L21/288 ,  H01L21/768 ,  C23C18/38 ,  H01L21/64

CPC classification number: H01L21/288 ,  C23C18/168 ,  C23C18/1682 ,  C23C18/1696 ,  C23C18/1698 ,  C23C18/1889 ,  C23C18/208 ,  H01L21/76873 ,  H01L21/76874

Abstract: L'invention concerne un procédé de formation, sur un substrat (5), d'une couche d'amorçage permettant un dépôt ultérieur d'une couche d'un métal, consistant à immerger le substrat dans un bain (7) comprenant un matériau de la famille des éthoxysilanes ou des siloxanes et un amidinate de cuivre ou de nickel.

Abstract translation:

本发明涉及一种方法 在衬底（5）上形成能够去除随后的金属层的非晶层，其由以下部分组成： 将基材浸入包含烷氧基硅烷或硅氧烷族和脒基镍或铜的材料的浴（7）中。

公开(公告)号：WO2011036423A1

公开(公告)日：2011-03-31

申请号：PCT/FR2010/052019

申请日：2010-09-27

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  DUPONT, François ,  BONNET, Benoît ,  CHARLEY, Sylvain

Inventor： DUPONT, François ,  BONNET, Benoît ,  CHARLEY, Sylvain

IPC: H01P5/18

CPC classification number: H01P5/18 ,  H01P5/184

Abstract: L'invention concerne un coupleur bi-bande directif (1) en lignes distribuées comportant : une première ligne conductrice (2L) entre des premier (IN LB ) et deuxième ports, destinée à véhiculer un signal à transmettre dans une première bande de fréquences; une deuxième ligne conductrice (3L) couplée à la première; une troisième ligne conductrice (2H) entre des troisième (IN HB ) et quatrième ports, destinée à véhiculer un signal à transmettre dans une bande de fréquences supérieure à la première; une quatrième ligne conductrice (3H) couplée à la troisième; et au moins un diplexeur (5) reliant, côté deuxième et quatrième ports, les extrémités respectives des deuxième et quatrième lignes à un cinquième port (ISO).

Abstract translation: 本发明涉及分布式线路上的双频带定向耦合器（1），包括：第一（INLB）和第二端口之间的第一导线（2L），用于承载要在第一频带中传输的信号; 与第一线耦合的第二导线（3L）; 在第三（INHB）和第四端口之间的第三导线（2H），用于承载要在高于第一频带的频带中传输的信号; 与第三线耦合的第四导线（3H）; 以及至少一个双工器（5），其在第二和第四端口侧将第二和第四线路的相应端部连接到第五端口（ISO）。

公开(公告)号：WO2010092281A1

公开(公告)日：2010-08-19

申请号：PCT/FR2010/050192

申请日：2010-02-05

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES ,  KARST, Nicolas ,  BOUILLON, Pierre ,  FAUCHEUX, Vincent ,  LATOUR, Antoine ,  LOCATELLI, Denis

Inventor： KARST, Nicolas ,  BOUILLON, Pierre ,  FAUCHEUX, Vincent ,  LATOUR, Antoine ,  LOCATELLI, Denis

IPC: H01M4/86 ,  H01M8/10 ,  H01M8/02

CPC classification number: H01M8/1097 ,  H01M4/8626 ,  H01M8/0232 ,  H01M8/04171 ,  H01M2008/1095

Abstract: L'invention concerne une pile à combustible à hydrogène-oxygène comprenant une couche de catalyseur de cathode (4) revêtue d'une couche d'un matériau conducteur (7) perméable à l'oxygène formant électrode de cathode, caractérisée en ce que la couche de catalyseur de cathode comporte des rainures (20), ces rainures ayant une profondeur comprise entre la moitié de l'épaisseur de la couche de catalyseur et l'épaisseur de la couche de catalyseur, et une largeur inférieure à 60 μm.

Abstract translation: 本发明涉及包含阴极催化剂层（4）的氢氧燃料电池，该阴极催化剂层涂覆有构成阴极电极的可透氧的导电材料层（7），其特征在于阴极催化剂层包括槽 （20），所述凹槽的深度在催化剂层的厚度的一半和催化剂层的厚度之间，宽度小于60μm。

公开(公告)号：WO2010069969A1

公开(公告)日：2010-06-24

申请号：PCT/EP2009/067217

申请日：2009-12-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS ,  COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ,  LATOUR, Antoine ,  NIZOU, Sylvain

Inventor： LATOUR, Antoine ,  NIZOU, Sylvain

IPC: H01M4/88 ,  B01J35/00 ,  B01J37/00 ,  B01J19/12

CPC classification number: H01M4/8828 ,  B82Y30/00 ,  H01M4/8878 ,  H01M4/9083 ,  H01M4/926 ,  H01M2008/1095

Abstract: Solution particulaire catalytique pour micro-pile à combustible comprenant une suspension de nanoparticules catalytiques dans un solvant et un oligomère polymérisable et un procédé de dépôt d'une telle solution particulaire catalytique comprenant une étape de dépôt de la solution particulaire sur un substrat durant laquelle la polymérisation de l'oligomère est amorcée, par exemple au moyen d'un éclairage UV.

Abstract translation: 本发明涉及一种用于微型燃料电池的催化微粒溶液，其包括催化纳米颗粒在溶剂和可聚合低聚物中的悬浮液，以及沉积这种催化颗粒溶液的方法，其包括将颗粒溶液沉积在 底物，其中低聚物聚合被引发，例如 使用紫外线照明。

公开(公告)号：FR3054373A1

公开(公告)日：2018-01-26

申请号：FR1656923

申请日：2016-07-20

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： ARNAUD AURELIE

IPC: H01L23/60 ,  H01L29/861

Abstract: L'invention concerne un dispositif (20) de protection contre les surcharges électrostatiques comprenant successivement : un substrat (22) semiconducteur très fortement dopé d'un premier type de conductivité ; une première couche semiconductrice enterrée (24) fortement dopée d'un deuxième type de conductivité ; une première couche (28) semiconductrice faiblement dopée du deuxième type de conductivité ; et une deuxième couche (30) fortement dopée du premier type de conductivité, ce dispositif (20) comprenant en outre, entre la première couche enterrée (24) et la première couche (28), une troisième couche (26) dopée du premier type de conductivité, ayant une épaisseur et une concentration en atomes dopants adaptées à former à la jonction de la première couche (28) et de la troisième couche (26) une diode (12) fonctionnant en inverse en perçage.

公开(公告)号：FR3050320A1

公开(公告)日：2017-10-20

申请号：FR1653369

申请日：2016-04-15

Applicant: STMICROELECTRONICS (TOURS) SAS

Inventor： LANOIS FREDERIC ,  ANKOUDINOV ALEXEI ,  RODOV VLADIMIR

IPC: H01L29/74

Abstract: L'invention concerne une diode comprenant entre des électrodes supérieure (A) et inférieure (K) : des première (3) et deuxième (54) portions de substrat semiconducteur dopé de type N connectées à l'électrode inférieure ; un premier transistor vertical (T1) et un deuxième transistor (T2) formés dans la première portion et connectés en série entre les électrodes, la grille (14) du premier transistor étant dopée de type N et couplée à l'électrode supérieure, le deuxième transistor étant à canal P et ayant une grille (24) dopée du type P ; des première (80) et deuxième (82) zones dopées du deuxième type de conductivité situées dans la deuxième portion et séparées par une partie de substrat surmontée d'une autre grille (84) dopée du type N, la première zone dopée étant couplée à la grille du deuxième transistor, la deuxième zone dopée et ladite autre grille étant couplées à l'électrode supérieure.