열전도 후막시트 및 그 제조방법
    11.
    发明授权
    열전도 후막시트 및 그 제조방법 有权
    加热导热薄膜及其制造方法

    公开(公告)号:KR101265666B1

    公开(公告)日:2013-05-22

    申请号:KR1020110102898

    申请日:2011-10-10

    Abstract: 본발명의열전도후막시트는 85~92wt%의고분자매트릭스와, 상기고분자매트릭스내부에분산되는 1.0~3.5wt%의탄소나노튜브및 상기탄소나노튜브사이에균일하게분산되는 6~13wt%의그래파이트(graphite)를포함하는것을특징으로한다. 이에따라본 발명의열전도후막시트는열전도특성이우수한탄소나노튜브의균일한분산을통하여고분자매트릭스내부에탄소나노튜브를균일하게분포시킴으로써고열전도도를가지는효과가있다.

Patent Agency Ranking