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公开(公告)号:CN204905235U
公开(公告)日:2015-12-23
申请号:CN201520714817.5
申请日:2015-09-15
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/04
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和覆盖板。所述半导体装置具有:基板,其载置有半导体元件;外壳,其配置于所述基板上,并以包围所述半导体元件的方式设置;以及覆盖板,其配置于所述外壳上;其中,所述覆盖板包括:遮挡部,其由被树脂封装的金属板构成;以及螺钉固定部,其与所述金属板连接且不被所述树脂封装。通过本实用新型,在将半导体装置通过螺钉固定到产品基板上时,可以确切地在产品上进行接地。
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公开(公告)号:CN204706561U
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201520454750.6
申请日:2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/538 , H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/32225
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其中,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述绝缘基板、第1金属层以及第2金属层的内部具有通孔,在所述通孔内设置有金属连接部。能够在基板的厚度方向上布置地线,从而使得基板的面积小型化,另外,能够有效提高半导体装置的散热性能。
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公开(公告)号:CN204706560U
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201520456149.0
申请日:2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/498
CPC classification number: H01L2224/48 , H01L2224/48091 , H01L2224/48465 , H01L2224/85181 , H01L2224/85385 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
Abstract: 本实用新型实施例提供一种半导体装置和电子设备,该半导体装置包括:基板;半导体元件,其设置于所述基板上;树脂成型框架,其以围绕所述半导体元件的方式设置于所述基板上;焊接电极,其设置于所述树脂成型框架上;以及引线,其连接所述半导体元件以及所述焊接电极;其特征在于,所述焊接电极向所述半导体装置的内侧倾斜。根据本实用新型实施例的半导体装置的结构,能够确保树脂成型框架的壁部的厚度且避免焊接工具与该壁部之间的干扰。
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公开(公告)号:CN204706554U
公开(公告)日:2015-10-14
申请号:CN201520455492.3
申请日:2015-06-29
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/367
CPC classification number: H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48227 , H01L2924/00014
Abstract: 本实用新型提供一种半导体装置和电子设备,所述半导体装置包括:半导体元件、绝缘基板以及散热板,其中,所述绝缘基板的上表面设置有第1金属层,所述绝缘基板的下表面设置有第2金属层,所述第1金属层通过第1连接层搭载所述半导体元件,所述第2金属层通过第2连接层搭载所述散热板,所述第1金属层设置在与所述半导体元件在水平面上的投影区域相同的区域上,所述第2金属层设置在与所述散热板连接面的整个面上。能够有效提高半导体装置的散热性能。
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公开(公告)号:CN202549830U
公开(公告)日:2012-11-21
申请号:CN201220187530.8
申请日:2012-04-27
Applicant: 三垦电气株式会社
IPC: H01L23/495
CPC classification number: H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本实用新型提供按照窄节距配置流过大电流的外部引线的半导体装置。本实用新型的半导体装置,将多个外部引线形成为交错状,该半导体装置的特征在于,外部引线具有粗部、弯曲部、变更部和插入部,在形成了粗部之后,从弯曲部到变更部的长度均匀。另外,其特征在于,在从树脂封装体侧面导出了3根以上的外部引线中,两端的外部引线的变更部相比于内侧的外部引线,从弯曲部到变更部的长度更长。
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