公开(公告)号：CN102543153A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110277504.4

申请日：2011-09-19

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金镐正 ,  申在光 ,  崔贤植 ,  丁亨洙

IPC: G11C7/22 ,  G11C7/08 ,  G11C7/18

CPC classification number: G11C7/12 ,  G11C7/04 ,  G11C7/062 ,  G11C11/56 ,  G11C11/5642 ,  G11C11/5678 ,  G11C11/5685 ,  G11C13/0002 ,  G11C13/0004 ,  G11C13/0007 ,  G11C13/0016 ,  G11C13/0021 ,  G11C13/0026 ,  G11C13/004 ,  G11C2207/002

Abstract: 一种半导体器件和读出半导体器件的数据的方法，该半导体器件包括：存储单元阵列，包括布置在至少一条位线和至少一条字线交叉之处的区域中的至少一个存储单元；和读出单元，读出存储在该至少一个存储单元中的数据，其中该读出单元包括：连接控制单元，根据具有可变电压电平的控制信号和该至少一条位线的电压电平控制该至少一条位线和读出线之间的连接；和读出放大单元，比较读出线的电压与参考电压并且读出存储在至少一个存储单元中的数据。