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公开(公告)号：CN106060431A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201610216855.7
申请日：2016-04-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745 , H04N5/369
Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：像素阵列，包括多个像素，所述多个像素中的每个像素连接到第一列线至第m列线中的一条列线以输出像素信号，其中，m是不小于2的整数；模数转换器，每个模数转换器被配置为接收与第一列线至第m列线中的一条列线相应的像素信号，将像素信号与斜坡信号进行比较以及将像素信号转换成数字像素信号；阻断电路，连接到所述多个模数转换器中的至少一个模数转换器的输入端，以阻断所述多个模数转换器之中的其他模数转换器的操作的影响。
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公开(公告)号：CN103684460A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310407579.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H04N5/3658 , H03K5/08 , H03M1/08 , H03M1/12 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N5/3355 , H04N5/3591 , H04N5/363 , H04N5/3742
Abstract: 公开了模数转换器。模数转换器的一个实施例包括至少一个比较器和限制电路。比较器具有第一输入节点和第二输入节点以及连接节点。连接节点是比较器的内部节点和输出节点中的一个。限制电路电连接到连接节点，并且限制电路被配置为限制连接节点的电压。
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公开(公告)号：CN101237531A
公开(公告)日：2008-08-06
申请号：CN200710199785.X
申请日：2007-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H04N3/15 , H01L27/146 , H01L23/522
CPC classification number: H01L27/14603 , H01L27/14645 , H01L2924/0002 , H04N5/35554 , H04N5/37452 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了互补金属氧化物半导体图像传感器的像素电路及其结构和操作方法。该像素包括：光电二极管；浮置扩散结点，其通过第一开关连接到该光电二极管；源极跟随器，其响应于该浮置扩散结点的电压。通过电容耦合将该浮置扩散结点的电压施加到该源极跟随器。
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公开(公告)号：CN108347247A
公开(公告)日：2018-07-31
申请号：CN201810373847.2
申请日：2013-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H04N5/3658 , H03K5/08 , H03M1/08 , H03M1/12 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N5/3355 , H04N5/3591 , H04N5/363 , H04N5/3742
Abstract: 公开了一种图像传感器。图像传感器的一个实施例包括：像素阵列，被构造为产生至少一个像素信号；斜波发生器，被构造为产生斜波信号；模数转换器，被构造为接收斜波信号和所述至少一个像素信号，并产生表示所述至少一个像素信号的数字信号，模数转换器包括：至少一个比较器，所述至少一个比较器具有被构造为输出比较结果信号的输出节点；限制电路，电连接到输出节点，限制电路包括开关和二极管，开关串联连接到二极管，限制电路被构造为如果比较结果信号变化，则通过创建地和电源中的一个与输出节点之间的电流路径来抑制总电流的变化，其中，总电流是流过所述至少一个比较器的电流加上流过限制电路的电流。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103684460B
公开(公告)日：2018-05-22
申请号：CN201310407579.9
申请日：2013-09-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H03M1/12
CPC classification number: H04N5/3658 , H03K5/08 , H03M1/08 , H03M1/12 , H03M1/123 , H03M1/56 , H04N5/3355 , H04N5/3591 , H04N5/363 , H04N5/3742
Abstract: 公开了模数转换器。模数转换器的一个实施例包括至少一个比较器和限制电路。比较器具有第一输入节点和第二输入节点以及连接节点。连接节点是比较器的内部节点和输出节点中的一个。限制电路电连接到连接节点，并且限制电路被配置为限制连接节点的电压。
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公开(公告)号：CN103137621B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210486721.9
申请日：2012-11-26
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/06 , H01L29/78 , H01L29/08 , H01L21/8232 , H01L21/336
CPC classification number: H01L21/8236 , H01L21/77 , H01L21/823418 , H01L21/823431 , H01L21/823462 , H01L21/823814 , H01L21/823821 , H01L21/823857 , H01L25/00 , H01L27/00 , H01L27/0883 , H01L29/66545 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种包括高压晶体管和低压晶体管的半导体器件及其制造方法。该半导体器件包括：半导体基板，包括高压区和低压区；高压晶体管，形成在高压区中并包括第一有源区、第一源/漏区、第一栅绝缘层和第一栅电极；以及低压晶体管，形成在低压区中并包括第二有源区、第二源/漏区、第二栅绝缘层和第二栅电极。第二源/漏区具有比所述第一源/漏区的厚度小的厚度。
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公开(公告)号：CN103974001A
公开(公告)日：2014-08-06
申请号：CN201410034010.7
申请日：2014-01-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/374 , H04N5/3745
CPC classification number: H04N5/3698 , H04N5/23206 , H04N5/23245 , H04N5/23254 , H04N5/343 , H04N5/37455 , H04N5/91
Abstract: 本发明公开了一种图像传感器及其操作方法和包括该图像传感器的系统。一种操作图像处理系统的方法包括：存储第一模拟像素信号和第二模拟像素信号之间的差，并将存储的差转换为1比特数字信号，所述第一模拟像素信号从多个像素输出并与前一帧相应，所述第二模拟像素信号从所述多个像素输出并与当前帧相应。
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公开(公告)号：CN101166016B
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN200710194418.0
申请日：2007-10-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H03F3/005 , H03F3/45475 , H03F2203/45514 , H03F2203/45551
Abstract: 一种比率独立的开关电容放大器包括：用于采集第一输入电压作为第一采样电压和在第一输入电压被切断的时间间隔内使第一采样电压的电平变为双倍的第一采样电路；用于采集第二输入电压作为第二采样电压和在第二输入电压被切断的时间间隔内使第二采样电压的电平变为双倍的第二采样电路；以及用于输出第一采样电压和第二采样电压之间的差值的差分放大器电路。
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公开(公告)号：CN101188700A
公开(公告)日：2008-05-28
申请号：CN200710305135.9
申请日：2007-11-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H04N5/335 , H01L27/146
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14643 , H04N5/3535
Abstract: 一种互补金属氧化物半导体(CMOS)图像传感器包括光电二极管、开关和比较器。所述开关将感测信号传送给来自所述光电二极管的感测节点。所述比较器比较所述感测节点的感测信号与参考信号，其中所述比较器直接连接到所述感测节点。所述比较器输出对应于所述感测信号和所述参考信号之间的电压差的信号。
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