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公开(公告)号：CN1330412A
公开(公告)日：2002-01-09
申请号：CN01122021.X
申请日：2001-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L21/336
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C2213/17 , H01L29/66439 , H01L29/775 , H01L51/0048 , H01L51/0508 , H01L51/057 , Y10S977/708 , Y10S977/723 , Y10S977/742 , Y10S977/843 , Y10S977/938
Abstract: 提供使用碳纳米管能够实现高密度集成,即万亿比特规模集成的竖直纳米尺寸晶体管,及其制造方法。在使用碳纳米管的竖直纳米尺寸晶体管中,具有几个纳米直径的孔形成在诸如间隔几个纳米的矾土的绝缘层中,以通过CVD,电泳或机械压缩,在纳米尺寸的孔中竖直排列碳纳米管,以用作沟道。而且,使用普通半导体制造方法,在碳纳米管附近形成栅,然后源和漏形成在每个碳纳米管的上下部分,从而制做出具有电子开关特征的竖直纳米尺寸晶体管。
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公开(公告)号：CN1317768C
公开(公告)日：2007-05-23
申请号：CN200310113815.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L29/02 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。
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公开(公告)号：CN1312318C
公开(公告)日：2007-04-25
申请号：CN03107258.5
申请日：2003-03-19
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B82Y40/00 , C01B32/162 , C01B2202/08 , C01G55/00 , C01P2004/03 , C01P2004/04 , C01P2004/13 , C01P2004/64 , C30B25/00 , C30B29/605 , Y10S977/893
Abstract: 本发明提供一种利用碳纳米管(CNT)作为模板制备无机纳米管的方法。该方法包括制备其上形成CNT或CNT阵列的模板；利用原子层沉积法(ALD)通过在模板上沉积无机材料，于CNT上形成无机薄膜；及除去CNT，得到无机纳米管或无机纳米管阵列。
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公开(公告)号：CN1266281C
公开(公告)日：2006-07-26
申请号：CN02143346.1
申请日：2002-09-26
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y30/00 , B01L3/502761 , B01L2300/0681 , B01L2300/0896 , B82Y5/00 , C12Q1/6806
Abstract: 所披露的是一种生物芯片以及一种在生物芯片中分离包含在样本中的目标物质的方法。该生物芯片包括：一个衬底；一个放在衬底上的样本装载部分；以及多个在通道中按照预定间隔排列的碳纳米管。所述方法包括如下步骤：在样本装载部分上装载包含目标物质的样本；使样本流过通道；以及根据碳纳米管之间的间隔有选择地分离包含在样本中的目标物质。按照本发明，可以方便地对通道中的各种样本进行分离或者过滤，因此可以防止样本污染和实验数据误差。
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公开(公告)号：CN1512584A
公开(公告)日：2004-07-14
申请号：CN03136336.9
申请日：2003-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , H01L27/28 , H01L27/285 , Y10S438/962 , Y10S977/943
Abstract: 本发明公开了一种采用垂直纳米管的存储器件。该存储器件包括条状第一电极的阵列、介电层、纳米管阵列、条状第二电极的阵列、存储单元和栅极电极。介电层设置在第一电极阵列上，并具有多个孔。该纳米管阵列接触第一电极阵列，通过该介电层的孔而垂直生长，并发射电子。第二电极阵列接触纳米管阵列，且第二电极垂直于第一电极地排列在该介电层上。存储单元位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子。栅极电极设置在存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。因此，该存储器件得以高度集成并具有大的容量。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1501503A
公开(公告)日：2004-06-02
申请号：CN200310113815.2
申请日：2003-11-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/105
CPC classification number: G11C13/025 , B82Y10/00 , G11C16/0466 , G11C2213/16 , G11C2213/17 , H01L29/02 , H01L29/792 , H01L29/7923 , H01L29/7926 , H01L51/0048 , H01L51/0512 , Y10S977/943
Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。
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公开(公告)号：CN1450643A
公开(公告)日：2003-10-22
申请号：CN03128592.9
申请日：2003-02-09
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/17 , Y10S977/943
Abstract: 本发明涉及一种采用碳纳米管的存储器件及其制造方法。该碳纳米管存储器件包括衬底、源极电极、漏极电极、碳纳米管、存储单元和栅极电极。源极电极与漏极电极其间有一预定间隔地设置在衬底上并被施以电压。碳纳米管将源极电极与漏极电极连接并用作电荷通道。存储单元位于碳纳米管的上方并存储来自碳纳米管的电荷。栅极电极形成得与存储单元的上表面接触并控制从碳纳米管流入存储单元的电荷量。如上所述，碳纳米管存储器件包括具有高电导率和高发射率的碳纳米管以及具有良好电荷存储能力的存储单元，因而该存储器件能够作为一种无差错的，快速且高度集成的存储器件。
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公开(公告)号：CN100474590C
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN03136336.9
申请日：2003-05-29
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/10
CPC classification number: H01L51/0048 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , H01L27/28 , H01L27/285 , Y10S438/962 , Y10S977/943
Abstract: 本发明公开了一种采用垂直纳米管的存储器件。该存储器件包括条状第一电极的阵列、介电层、纳米管阵列、条状第二电极的阵列、存储单元和栅极电极。介电层设置在第一电极阵列上，并具有多个孔。该纳米管阵列接触第一电极阵列，通过该介电层的孔而垂直生长，并发射电子。第二电极阵列接触纳米管阵列，且第二电极垂直于第一电极地排列在该介电层上。存储单元位于第二电极阵列上，并俘获从纳米管阵列中发出的电子。栅极电极设置在存储单元的上表面上，并在纳米管阵列周围形成电场。因此，该存储器件得以高度集成并具有大的容量。
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公开(公告)号：CN100421202C
公开(公告)日：2008-09-24
申请号：CN03145424.0
申请日：2003-05-03
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: B82Y40/00 , B82Y10/00 , B82Y30/00 , C01B32/168 , C01B32/174 , C01B2202/22 , H01L51/0048 , H01L51/0512
Abstract: 提供了一种氢改性的半导体碳纳米管及其制备方法。加氢改性的半导体碳纳米管具有存在于碳原子与氢原子间的化学键。制备半导体碳纳米管的方法包括：在真空下加热碳纳米管；把氢气中的氢分子分解成氢原子；把碳纳米管暴露于氢气中，使碳纳米管的碳原子与氢原子间形成化学键。使用该方法，可以使得金属碳纳米管转化为半导体碳纳米管和使得较窄能量带隙的半导体碳纳米管转化为较宽能量带隙的半导体碳纳米管。加氢改性的半导体碳纳米管可以用于例如电子器件，光电器件，能量储存器件等。
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公开(公告)号：CN100369205C
公开(公告)日：2008-02-13
申请号：CN200410034828.5
申请日：2004-04-15
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/28 , H01L21/44 , H01L21/3205 , H01L21/768 , H01L21/8239 , H01L23/532
CPC classification number: H01L21/28562 , B82Y10/00 , G11C13/025 , G11C2213/16 , H01L21/76879 , H01L23/485 , H01L23/5226 , H01L23/53276 , H01L27/2436 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/16 , H01L2221/1094 , H01L2924/0002 , Y10S977/75 , H01L2924/00
Abstract: 公开一种使用碳纳米管来形成用于半导体装置的导电线的方法以及用该方法制造的半导体装置。该方法包括：采用表面预处理法活化半导体装置的电极的表面；在电极表面上形成一绝缘层并在该绝缘层中形成一接触孔，以使得电极的部分活化表面暴露在外；通过接触孔向电极的活化表面通入含碳元素的气体，以在电极的活化表面上生长形成导电线的碳纳米管。电极表面的活化过程可被在电极表面上形成催化金属层的步骤所代替。按照该方法，具有高电流密度的碳纳米管可形成用于半导体装置的导电线，并因此可制造出超高集成化的半导体装置。
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