公开(公告)号：CN108735574B

公开(公告)日：2023-10-13

申请号：CN201710244642.X

申请日：2017-04-14

Applicant: 三星电子株式会社 ,  DNF有限公司

Inventor： 黄宣惠 ,  金铭云 ,  曹仑廷 ,  李相益 ,  全相勇 ,  郑仁京 ,  郑元雄 ,  崔晶植

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/768

Abstract: 本发明提供一种形成介电层的方法及制造半导体装置的方法。形成介电层的方法包含在衬底上使用硅前驱物形成初始介电层以及对初始介电层进行能量处理以形成介电层。在介电层中，Si‑CH3键结单元与Si‑O键结单元的比率是在0.5到5范围内。介电层具有相对较低介电常数以及相对较高机械强度。

公开(公告)号：CN105934890B

公开(公告)日：2019-07-09

申请号：CN201580005714.4

申请日：2015-01-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋满 ,  金熙坤 ,  安圣彬 ,  崔晶植

IPC: H04B1/3827 ,  G06F3/041

CPC classification number: G06F3/0416 ,  H04B1/3838

Abstract: 提供了一种用于操作电子装置的触摸模块的方法和设备。在电子装置接收通信相关事件。在接收到通信相关事件时，将触摸模块从在第一操作频率下进行操作切换到在第二操作频率下进行操作。第一操作频率使触摸模块能够接收触摸输入。第二操作频率使触摸模块能够检测指定事件。

公开(公告)号：CN106990879A

公开(公告)日：2017-07-28

申请号：CN201610987112.X

申请日：2016-11-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金晋满 ,  金株汉 ,  崔晶植 ,  杨澈亨 ,  李智雨

IPC: G06F3/044

CPC classification number: H03K17/955 ,  G01R27/2605 ,  G04G21/08 ,  G06F1/1698 ,  G06F1/3231 ,  G06F1/3287 ,  G06F3/0416 ,  G06F3/0418 ,  G06F3/044 ,  H03K2017/9455 ,  H03K2217/94026 ,  Y02D10/171 ,  Y02D10/173 ,  Y02D50/20

Abstract: 提供了一种电子设备和方法。所述电子设备包括：第一表面、与第一表面相对的第二表面、以及围绕第一表面和第二表面之间的空间的至少一部分的侧表面；射频(RF)通信电路；天线辐射器，形成第一表面、第二表面和侧表面中的至少一个的至少一部分，并与RF通信电路相连；传感器，检测外部对象是否接触天线辐射器；开关电路，连接到天线辐射器和传感器；以及处理器，配置为当天线辐射器和传感器彼此相连时从传感器接收第一值且当天线辐射器和传感器彼此分离时从传感器接收第二值。

公开(公告)号：CN104004007A

公开(公告)日：2014-08-27

申请号：CN201410063617.8

申请日：2014-02-25

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 尹相喆 ,  樱井淳 ,  畑濑雅子 ,  曹仑廷 ,  姜知那 ,  山田直树 ,  崔晶植

IPC: C07F5/06 ,  C23C16/20 ,  H01G4/08 ,  H01G4/10

CPC classification number: H01G4/33 ,  H01G4/085 ,  H01G4/1272 ,  H01L27/10852 ,  H01L28/40

Abstract: 铝化合物由下式1表示。在式1中，X为由以下式2或式3表示的官能团。

公开(公告)号：CN102644095A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201110437882.4

申请日：2011-12-23

Applicant: 三星电子株式会社 ,  株式会社ADEKA

Inventor： 朴明范 ,  崔晶植 ,  金基贤 ,  森岛裕司 ,  田中伸一 ,  山田敬志 ,  图师丈裕

IPC: C25D3/38 ,  C25D7/12

CPC classification number: C25D3/38 ,  C25D5/18 ,  C25D7/12 ,  C25D7/123 ,  C25D17/001 ,  H01L21/02 ,  H01L21/2885 ,  H01L21/76898

Abstract: 一种电镀铜方法，所述方法包括将衬底浸渍在电镀铜溶液中，所述衬底包括晶种层；以及在所述晶种层上形成电镀铜层，其中所述电镀铜溶液包含水、铜供应源、电解质材料和第一添加剂，所述第一添加剂包括由下式1表示的化合物。[式1]

公开(公告)号：CN1617310A

公开(公告)日：2005-05-18

申请号：CN200410057451.5

申请日：2004-08-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  赵俊贤 ,  崔晶植 ,  李东峻

IPC: H01L21/312 ,  C23C18/12 ,  H01L21/316 ,  H01L21/768

CPC classification number: C23C18/122 ,  C23C18/1208 ,  C23C18/1245

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃(SOG)组合物和利用SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在具有表面不连续的半导体衬底上涂敷SOG组合物，SOG组合物包含具有化合物化学式－(SiH2NH)n－的聚硅氮烷，其中n表示正整数，重均分子量在约3,300至3,700的范围内，以形成平坦的SOG层。通过固化SOG层，将SOG层变为具有平坦表面的氧化硅层。还公开了通过该方法制造的半导体器件。

公开(公告)号：CN1322009A

公开(公告)日：2001-11-14

申请号：CN00134841.8

申请日：2000-11-30

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李祯浩 ,  崔晶植 ,  金弘基 ,  李东峻 ,  姜大源 ,  全相文

IPC: H01L21/316 ,  C08G77/62

Abstract: 公开了一种旋涂玻璃组合物(SOG)及利用该SOG组合物形成氧化硅层的方法。该方法包括在表面不连续的半导体基片上涂布一种含有通式为－(SiH2NH)n－的全氢化聚硅氮烷的SOG组合物,通式中n表示一个正整,其重均分子量在约4,000－8,000范围,分子量分布在约3.0－4.0的范围,以形成一种平面的SOG层。通过SOG层的硬化,将该SOG层转化为具有平表面的氧化硅层。也公开了由该方法制成的一种半导体器件。