公开(公告)号：CN102386248A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110196575.1

申请日：2011-07-08

Applicant: 三星电子株式会社 ,  三星SDI株式会社

Inventor： 鲜于文旭 ,  朴用永 ,  金琏熙 ,  梁祐荣 ,  金贤钟

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/18

CPC classification number: H01L31/068 ,  C03C8/18 ,  H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/02363 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/547 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明提供了一种太阳能电池和一种制造太阳能电池的方法，所述太阳能电池包括：半导体基底；钝化膜，设置在所述半导体基底的一侧上；保护层，设置在所述钝化膜的与所述半导体基底相对的一侧上；电极，设置在所述保护层的与所述钝化膜相对的一侧上，其中，所述电极包括含有玻璃料和导电材料的导电糊的产物，其中，所述保护层包含吉布斯自由能的绝对值比所述玻璃料的每个组分的吉布斯自由能的绝对值小的材料。

公开(公告)号：CN1873996A

公开(公告)日：2006-12-06

申请号：CN200610087668.X

申请日：2006-05-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 徐东硕 ,  朴用永 ,  朴泰相 ,  姜闰浩

IPC: H01L27/24 ,  H01L45/00

CPC classification number: H01L45/143 ,  G11C2213/52 ,  H01L27/2436 ,  H01L45/06 ,  H01L45/1233 ,  H01L45/1253 ,  H01L45/1286 ,  H01L45/144 ,  H01L45/1675

Abstract: 本发明提供了一种相变随机存取存储器(PRAM)及其操作方法。该PRAM包括：连接到开关器件的下电极；形成在所述下电极上的下电极接触层；相变层，所述相变层形成在所述下电极接触层上并包括与所述下电极接触层的上表面相接触的底表面；以及形成在所述相变层上的上电极。其中，所述下电极接触层由塞贝克系数的绝对值高于TiAlN的塞贝克系数的绝对值且具有负的塞贝克系数、热导率低于TiAlN的热导率、并且电阻与TiAlN的电阻类似的材料形成。