-
公开(公告)号：CN112700808A
公开(公告)日：2021-04-23
申请号：CN202011031239.7
申请日：2020-09-27
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 提供了一种存储器装置。所述存储器装置包括：多个存储器单元，每个存储器单元包括开关元件和具有相变材料的数据存储元件，并且每个存储器单元连接到多条字线中的一条字线和多条位线中的一条位线；解码器电路，被配置为将所述多个存储器单元中的至少一个确定为被选存储器单元；以及编程电路，被配置为：将编程电流输入到被选存储器单元以执行编程操作，检测被选存储器单元的保持电压，并且基于检测的保持电压调节编程电流的大小。当被选存储器单元两端的电压低于保持电压时，被选存储器单元截止。
-
公开(公告)号：CN102496387B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201110423365.1
申请日：2007-09-04
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C13/0069 , G11C13/0004 , G11C13/0064
Abstract: 在非易失性存储设备中，通过在编程操作的第一编程间隔期间，在从多个非易失性存储单元中所选择的多个选择存储单元之中的第一组中编程具有第一逻辑状态的数据，随后在第一编程间隔之后的编程操作的第二编程间隔期间，在所选择的存储单元之中的第二组中编程具有不同于第一逻辑状态的第二逻辑状态的数据，在多个非易失性存储单元上执行编程操作。
-
公开(公告)号：CN101369457A
公开(公告)日：2009-02-18
申请号：CN200810129754.1
申请日：2008-08-14
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C16/10
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/004 , G11C13/0061 , G11C13/0064 , G11C13/0069 , G11C2013/0054 , G11C2013/0071 , G11C2013/0078 , G11C2013/0092 , G11C2211/5622 , G11C2211/5641 , G11C2213/72 , G11C2213/79
Abstract: 将具有三级非易失存储单元的非易失存储装置的设备和操作方法用于在非易失存储单元中存储多于一位的数据。另外，通过写校验操作可以选择性地写入数据，由此提高写操作可靠性。操作方法包括提供具有第一到第三非易失存储单元的存储单元阵列，其中每一个存储单元能够存储分别与第一到第三电阻级对应的第一数据到第三数据之中的一个。每一个电阻级彼此不同。在写操作的第一间隔期间，分别将第一和第三数据写入第一和第三非易失存储单元中。在写操作的第二间隔期间将第二数据写入第二非易失存储单元中。
-
公开(公告)号：CN101154444A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710108745.X
申请日：2007-05-31
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C16/3486 , G11C2013/0076
Abstract: 在相变存储器件中执行编程操作的各种方法中，对选定存储单元重复地编程，以获得具有诸如适当读出裕度之类的所需特征的电阻分布。
-
公开(公告)号：CN101140801A
公开(公告)日：2008-03-12
申请号：CN200710148538.7
申请日：2007-08-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C13/0064 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0069 , G11C2013/0092
Abstract: 一种操作相变随机存取存储器PRAM设备的方法，该方法包括执行编程操作，以将数据存储在该设备的所选PRAM单元中，其中所述编程操作包括多个连续的编程循环。该方法还包括在编程操作的中间挂起编程操作；以及在挂起编程操作之后，响应于继续命令而继续所述编程操作。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101038789A
公开(公告)日：2007-09-19
申请号：CN200710088555.6
申请日：2007-03-16
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C8/12 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , G11C13/0061 , G11C13/0069 , G11C2013/0078
Abstract: 提供了一种在PRAM设备中执行编程－挂起－读取操作的方法，该方法包括：响应于编程操作请求而对包括N个单位编程块的写入块编程；以及响应于读取操作请求而在对M个单位编程块编程后挂起编程操作，其中M小于N。该方法还包括：执行所请求的读取操作，然后恢复对写入数据块的编程；以及对剩余的N－M个编程块编程。
-
公开(公告)号：CN1885432A
公开(公告)日：2006-12-27
申请号：CN200610094100.0
申请日：2006-06-22
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G11C11/5678 , G11C7/12 , G11C13/0004 , G11C13/0028 , G11C2213/72
Abstract: 相变存储器器件具有字线驱动器布局，以允许减小所述器件核心区域的尺寸。一方面，相变存储器器件包括多个共享字线的存储器单元块，和驱动所述字线的多个字线驱动器。每个字线驱动器包括用于预充电字线的预充电器件和用于放电所述字线的放电器件，和其中，所述预充电器件和放电器件被交替地设置在所述多个存储器单元块之间。
-
公开(公告)号：CN109841248B
公开(公告)日：2023-09-29
申请号：CN201811311090.0
申请日：2018-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C13/00
Abstract: 本公开提供了一种存储装置及其操作方法。所述存储装置包括：存储单元阵列，所述存储单元阵列包括多个存储单元，所述多个存储单元中的每一个存储单元具有开关元件和数据存储元件，所述数据存储元件连接到所述开关元件并且包含相变材料；以及存储控制器，所述存储控制器用于从所述多个存储单元获得第一读取电压，将第一写入电流输入到所述多个存储单元，然后从所述多个存储单元获得第二读取电压，其中所述存储控制器将所述多个存储单元中的第一存储单元的所述第一读取电压与所述第一存储单元的所述第二读取电压进行比较，以确定所述第一存储单元的状态。
-
公开(公告)号：CN112992226A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN202010996175.8
申请日：2020-09-21
Applicant: 三星电子株式会社
Inventor： 李光振
Abstract: 提供一种神经形态器件和存储器件，所述神经形态器件包括：控制器，被配置为通过将二进制数据的每个位转换为三进制位来生成三进制数据；以及存储器件，被配置为存储所述三进制数据，其中，所述存储器件包括：第一存储单元阵列，所述第一存储单元阵列包括形成在下字线与位线之间的第一存储单元，其中，每个所述第一存储单元包括第一开关元件和第一电阻元件；以及第二存储单元阵列，所述第二存储单元阵列包括形成在上字线与所述位线之间的第二存储单元，其中，每个所述第二存储单元包括第二开关元件和第二电阻元件，其中，所述三进制数据的每个位由存储在所述第一存储单元中的数据位和存储在所述第二存储单元中的屏蔽位的组合来标识。
-
公开(公告)号：CN107767913A
公开(公告)日：2018-03-06
申请号：CN201710695642.1
申请日：2017-08-15
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F3/0653 , G06F3/0604 , G06F3/0679 , G06F13/16 , G11C7/1063 , G11C7/20 , G11C7/22 , G11C16/0483 , G11C16/20 , G11C16/32 , G11C16/16 , G11C16/28
Abstract: 提供了一种用于输出存储装置的内部状态的装置和使用该装置的存储系统。该装置包括：状态信号生成电路，生成指示存储装置的内部操作状态的第一信号；以及状态信号输出控制电路，接收第一信号，并且基于芯片使能信号或初始设置的功能命令或这两者将第二信号输出到输出焊盘。第一信号指示两个状态中的一个状态，并且第二信号指示三个状态中的一个状态。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
47
records
(took 0.036 seconds)
