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公开(公告)号:CN117727345A
公开(公告)日:2024-03-19
申请号:CN202311076131.3
申请日:2023-08-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11C7/06 , G11C11/4091
Abstract: 感测放大器、存储器装置和存储器装置的操作方法被提供。所述感测放大器包括:第一隔离晶体管,通过第一位线连接到第一存储器单元;第二隔离晶体管,通过第二位线连接到第二存储器单元;以及感测放大电路系统,通过第一隔离晶体管连接到第一存储器单元,通过第二隔离晶体管连接到第二存储器单元,并且将与存储在第一存储器单元或第二存储器单元中的单元电压对应的数据锁存到一对感测位线,其中,感测放大电路系统被配置为:在电荷共享操作在第一存储器单元与第一位线之间或者在第二存储器单元与第二位线之间被执行的同时,执行偏移消除操作。
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公开(公告)号:CN117316207A
公开(公告)日:2023-12-29
申请号:CN202310265448.5
申请日:2023-03-13
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 在感测放大器电路中,第一晶体管电连接在第一位线和第一节点之间,第一反相器包括连接至第一节点的第一输入端子和第一输出端子,并且第二反相器包括连接至第二节点的第二输入端子和第二输出端子。第二晶体管电连接在第一输出端子和第二节点之间,并且第三晶体管电连接在第二输出端子和第一节点之间。预充电电路在第一时间段期间将第一电压传输至第一节点和第二节点,并在第二时间段期间将高于第一电压的第二电压传输至第一节点和第二节点。
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公开(公告)号:CN119835937A
公开(公告)日:2025-04-15
申请号:CN202411104438.4
申请日:2024-08-13
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H10B12/00
Abstract: 提供了存储器装置。所述存储器装置包括:多个子阵列区域,在第一水平方向和第二水平方向上间隔布置,并且每个子阵列区域包括多个存储器单元,第一水平方向与第二水平方向交叉;虚设区域,设置在所述多个子阵列区域之间,虚设区域包括在第一层处在第一水平方向上延伸的第一金属图案、在第一金属图案的第一部分上在竖直方向上延伸的第一下接触件、以及在第一金属图案的第二部分上在竖直方向上延伸的第二下接触件;以及外围电路区域,包括连接到第一下接触件的第一上接触件、连接到第一上接触件的第一电路、连接到第二下接触件的第二上接触件、以及连接到第二上接触件的第二电路。
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