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公开(公告)号：CN1891754B
公开(公告)日：2011-03-09
申请号：CN200610093726.X
申请日：2006-05-10
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L51/0036 , C08G61/122 , C08G61/126 , H01L51/0035 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开了一种有机聚合物半导体化合物，使用该化合物形成有机聚合物半导体薄膜的方法，和使用该化合物的有机薄膜晶体管。本发明的实施方式涉及侧链含有可除去的取代基的有机聚合物半导体化合物，同时涉及使用该有机聚合物半导体化合物作为有机活性层的有机薄膜晶体管，其具有较低的泄漏电流、较高的电荷载流子迁移率，和/或较高的开-关比。
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公开(公告)号：CN100514696C
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200610003637.1
申请日：2006-01-09
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40 , C08L101/04
CPC classification number: H01L21/0212 , H01L21/02282 , H01L21/3127 , H01L21/31691 , H01L51/0036 , H01L51/052 , H01L51/0529 , H01L51/0541 , H01L51/0545
Abstract: 一种包括氟类聚合物薄膜的有机薄膜晶体管及其制备方法。该有机薄膜晶体管可以包括形成在基板上的的栅极、栅绝缘层、有机半导体层、源极和漏极，其中氟类聚合物薄膜可以在栅绝缘层和有机半导体层之间的界面处形成(或沉积)。该有机薄膜晶体管可以具有更高电荷载流子迁移率和/或更高开关电流比(I开/I关)。此外，聚合物有机半导体可以用于通过湿法工艺形成绝缘层和有机半导体层，因此可以通过简化的过程以降低的成本制造有机薄膜晶体管。
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公开(公告)号：CN100477127C
公开(公告)日：2009-04-08
申请号：CN200510098014.2
申请日：2005-09-01
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/336 , H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0021 , B82Y10/00 , H01L51/0015 , H01L51/0046 , H01L51/0545
Abstract: 本发明公开一种制备薄膜晶体管的方法，其中通过溶液法形成源极和漏极，因而包括电极在衬底上的形成、绝缘体层的形成和有机半导体层的形成的所有阶段，都是通过溶液法进行的。在该方法中，制造过程被简化，制造成本被降低。由于具有高电荷迁移率，所以该有机薄膜晶体管可以应用于需要高速转换的集成电路中。
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公开(公告)号：CN101245123A
公开(公告)日：2008-08-20
申请号：CN200810002087.0
申请日：2008-01-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: C08F222/40 , C08F212/04 , H01L51/05 , H01L51/30 , H01L51/40
CPC classification number: C08F212/32 , C08F212/14 , H01L51/0036 , H01L51/052 , C08F222/36 , C08F2222/404
Abstract: 本发明公开了一种共聚物，其可包括能够降低绝缘层表面能从而改善半导体材料的校准的侧链、和包含具有提高的交联度的光反应性官能团从而改善使用其制得的有机薄膜晶体管的特性的侧链，还公开了包括该共聚物的有机绝缘层组合物、包括其的有机绝缘层、有机薄膜晶体管、电子器件及其制造方法。根据示例性实施方案的共聚物，可降低绝缘层的表面能，使得可改善半导体材料的校准，由此改善阈电压和电荷迁移率并减少在驱动该晶体管时滞后现象的产生。
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公开(公告)号：CN101200471A
公开(公告)日：2008-06-18
申请号：CN200710181168.7
申请日：2007-10-12
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: C09K19/3491 , C07D495/22 , C09K19/3494 , C09K19/40 , C09K2019/3408 , H01L51/0056 , H01L51/0074 , H01L51/0508 , Y02E10/549
Abstract: 本发明提供包括其中所有六个环可以稠合在一起的二－噻吩并－苯并－噻吩并－噻吩衍生物的杂并苯化合物、包括该杂并苯化合物的有机薄膜、以及包括作为载流子传输层的该有机薄膜的电子器件。本发明的化合物可以具有紧密平面结构从而实现溶剂溶解性和加工性能的改善。当该化合物用于电子器件时，可以应用沉积工艺或室温溶液工艺，并且也可以有效地实现分子间堆积和堆叠，导致电学性能提高，包括增加的电荷迁移率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101192651A
公开(公告)日：2008-06-04
申请号：CN200710163090.6
申请日：2007-09-30
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L51/40
CPC classification number: H01L51/0545 , H01L51/0021 , H01L51/105
Abstract: 本发明公开了一种通过有机半导体材料的氧化和选择性还原以制造有机薄膜晶体管的方法。根据该方法，有机薄膜晶体管的半导体层和源/漏电极之间界面的稳定性可得到保证。因此，通过该方法制成的有机薄膜晶体管可具有改进的性能特性，如，最小化的或下降的接触电阻和增加的电荷载流子迁移率。
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公开(公告)号：CN101157758A
公开(公告)日：2008-04-09
申请号：CN200710153177.5
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G03F7/0046 , C08G65/007 , C08L29/04 , C08L71/02 , C08L2205/05 , G03F7/032 , G03F7/033 , G03F7/04 , G03F7/0757 , C08L2666/04
Abstract: 公开了一种全氟聚醚衍生物和光敏聚合物的共聚物，包含该共聚物的用于形成堤的组合物，和使用该组合物形成堤的方法。还公开了一种包含该组合物的有机薄膜晶体管，和包括该有机薄膜晶体管的电子器件。使用该共聚物可以使得能够通过溶液涂布方法形成堤。因为可以制造包括该方法形成的堤的有机薄膜晶体管，而有机薄膜晶体管的特性没有任何退化，可以表现出改善的电子性质。
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公开(公告)号：CN101154588A
公开(公告)日：2008-04-02
申请号：CN200710153180.7
申请日：2007-09-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L21/316 , H01L21/288 , H01L29/786 , H01L29/51
Abstract: 本发明涉及一种能够经受低温工艺的介电薄膜用组合物。具体地说，本发明涉及一种使用该组合物而形成的金属氧化物介电薄膜、其制备方法、包含该介电薄膜的晶体管器件、和包含该晶体管器件的电子器件。应用了该介电薄膜的电子器件具有优异的电性能，从而同时满足低操作电压和高电荷迁移率。
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公开(公告)号：CN100365733C
公开(公告)日：2008-01-30
申请号：CN200410068469.5
申请日：2004-07-23
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G11B33/08
CPC classification number: G11B17/056 , G11B33/08 , G11B33/1486
Abstract: 一种光盘驱动器，包括：具有一转盘的一主架；可在其上放置光盘并可在所述主架中滑动的一托盘；覆盖所述主架顶面并且包括一用于固定转盘上的光盘的卡持器的一壳体；以及一个减噪器，其安装在所述壳体上，可使由于光盘的旋转产生的空气从光盘圆周内流通到圆周外并从圆周外流通到圆周内，从而减少了噪音。
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公开(公告)号：CN1607685A
公开(公告)日：2005-04-20
申请号：CN200410088162.1
申请日：2004-10-14
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L21/02126 , C08G77/04 , C08K5/057 , C08K5/56 , C08L83/04 , C09D183/06 , H01B3/18 , H01L21/02172 , H01L21/02186 , H01L21/02282 , H01L21/3122 , H01L51/0052 , H01L51/0537 , Y10T428/31504 , Y10T428/31663 , C08L2666/02
Abstract: 本发明公开了一种用于制造有机绝缘体的组合物，该组合物包括：(i)至少1种有机－无机杂化材料；(ii)至少1种有机金属化合物及/或有机聚合物；(iii)至少1种用于溶解上述2种组分的溶剂，致使采用同样的组合物的有机绝缘体具有低的阈电压和驱动电压、高的电荷载体迁移率和Ion/Ioff比，从而增加了绝缘体特性。另外，可采用湿法进行有机绝缘膜的制造，因此，方法简便、成本降低。
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