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公开(公告)号：CN113555525B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110718978.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/64 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料，和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体，其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。
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公开(公告)号：CN111880374B
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN201911345549.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。
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公开(公告)号：CN113937298A
公开(公告)日：2022-01-14
申请号：CN202111087175.7
申请日：2016-01-08
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/66
Abstract: 本发明提供一种电池。该电池包括：第一电极集流器层，具有板形状；多个第一活性材料层，电接触第一电极集流器层并基本上垂直于第一电极集流器层；导体层，电接触第一电极集流器层并插置在多个第一活性材料层中；第二活性材料层，包括平行于多个第一活性材料层且与多个第一活性材料层交替地布置的多个第一部分以及面对并平行于第一电极集流器层并从多个第一部分延伸的第二部分；和电解质层，设置在多个第一活性材料层与第二活性材料层的多个第一部分之间、多个第一活性材料层与第二活性材料层的第二部分之间、以及第二活性材料层的多个第一部分与第一电极集流器层之间。
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公开(公告)号：CN113555525A
公开(公告)日：2021-10-26
申请号：CN202110718978.1
申请日：2016-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/131 , H01M4/1391 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/64 , H01M10/0525 , H01M10/0562
Abstract: 本发明涉及正极、包括所述正极的二次电池、和制备所述正极的方法。正极包括正极集流体层、和在正极集流体层表面上的正极活性材料层。所述正极活性材料层包括具有基于锂的氧化物的多个晶粒的烧结的多晶材料，和多个晶粒各自包括晶种模板和在晶种模板周围的基体晶体，其中所述晶种模板是单晶并且具有板形状。
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公开(公告)号：CN112736281A
公开(公告)日：2021-04-30
申请号：CN202011169333.9
申请日：2020-10-28
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M10/0562 , H01M10/052 , H01M10/058 , H01M10/42 , H01M4/131
Abstract: 本发明涉及固体电解质‑正极组件和其制造方法、二次电池和其制造方法、及二次电池的电解质层。固体电解质‑正极组件包括在第一方向上彼此间隔开的多个正极层、和电解质层，所述电解质层包括非晶固体电解质和包含多个结晶固体电解质颗粒的结晶固体电解质，其中所述非晶固体电解质在所述多个正极层的正极层的表面上并且所述结晶固体电解质在所述非晶固体电解质内。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111435217A
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201911075216.3
申请日：2019-11-06
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F1/52 , G03F1/56 , H01L21/027
Abstract: 公开了光掩模、制造其的方法和使用其制造半导体器件的方法。光掩模包括：衬底，包括图案区域和在图案区域周围的周边区域；反射层，在图案区域上并且延伸到周边区域上；吸收结构，在反射层上；以及电介质图案，在周边区域上的吸收结构上，并且暴露图案区域上的吸收结构。
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公开(公告)号：CN101673835A
公开(公告)日：2010-03-17
申请号：CN200910133057.8
申请日：2009-04-02
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M8/04753 , H01M8/04089 , H01M8/04425 , H01M8/04776 , H01M8/0618 , Y02P80/15
Abstract: 本发明涉及一种燃料电池系统及其燃料供给方法。燃料电池系统中的稳定燃料供给系统通过将由选自各种烃化合物的主要原料改性的氢与存在于空气中的氧组合，产生热量和电能。本发明燃料电池系统中的燃料供给装置和燃料供给方法在利用最少的配套设备(BOP)装置的同时，使水蒸气与碳比率(S/C)控制和λ控制自动化，并且有效率地和稳定地实现燃料电池系统操作，克服了在系统内发生的压力损耗和脉动。该方法在所述燃料电池系统的启动和操作过程中更有效率地并精确地供给燃料，同时即使在发生突然的流量变化时，也防止燃烧器熄火，并且保持适当的一氧化碳浓度。而且，操作方法基于燃料泵的规格的选择，提高了与分解能力相关的功能，因此在燃料电池系统的成本和构造方面更经济和稳定。
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公开(公告)号：CN115832192A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202211126552.8
申请日：2022-09-16
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01M4/13 , H01M4/139 , H01M4/04 , H01M10/0525
Abstract: 本公开提供了一种用于二次电池的电极、其制造方法以及包括其的二次电池。该电极包括：集流器；以及在集流器上的活性材料结构，该活性材料结构包括：至少一个第一高密度层和至少一个第二高密度层，与至少一个第一高密度层相比，至少一个第二高密度层离集流器更远；以及在至少一个第一高密度层与至少一个第二高密度层之间的低密度层，其中至少一个第二高密度层的厚度大于至少一个第一高密度层的厚度。
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公开(公告)号：CN111880374A
公开(公告)日：2020-11-03
申请号：CN201911345549.3
申请日：2019-12-24
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: G03F7/20
Abstract: 公开了一种极紫外(EUV)曝光设备和使用该设备制造半导体装置的方法。该EUV曝光设备包括：室；EUV源，在室中并被构造为产生EUV束；光学系统，在EUV源上方并被构造为将EUV束提供到基底；基底台，在室中并被构造为接收基底；掩模台，在室中并被构造为保持掩模，掩模被构造为将EUV束投射到基底上；以及等离子体源，被构造为将等离子体提供到掩模，以使通过EUV束充电的掩模为电中性。
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公开(公告)号：CN109786899A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811306141.0
申请日：2018-11-05
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01M12/08 , H01M4/8605 , H01M4/9016 , H01M2004/8689
Abstract: 金属-空气电池包括：包括金属的负极层；与所述负极层间隔开并且包括具有电子传导性和离子传导性二者的混杂导电材料的正极层；以及设置在所述负极层和所述正极层之间的隔板，其中所述混杂导电材料的阳离子传导率对电子传导率的比率在约0.01至约100的范围内。
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