公开(公告)号：CN110828493B

公开(公告)日：2024-06-07

申请号：CN201910503830.9

申请日：2019-06-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  金昶和 ,  朴商秀 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器。所述图像传感器包括：衬底，包括与光入射的第二表面相对的第一表面；第一光电转换层，位于衬底中；包括多个布线层的布线结构，位于衬底的第一表面上；层间绝缘膜，位于衬底的第二表面上；电容器结构，位于层间绝缘膜中；以及第一布线，位于层间绝缘膜上。所述电容器结构包括依次堆叠在衬底的第二表面上的第一导电图案、介电图案和第二导电图案。第二导电图案连接到第一布线。

公开(公告)号：CN113540133A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110186790.7

申请日：2021-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 李冈勋 ,  罗承柱 ,  郑熙根 ,  赵万根

IPC: H01L27/146

Abstract: 公开了一种图像传感器，包括：衬底，该衬底具有彼此面对的第一表面和第二表面；隔离图案，该隔离图案在衬底中限定多个像素区；多个接触插塞，在衬底的第一表面上并且耦接到隔离图案；以及多个第一微透镜图案，在衬底的第二表面上。该接触插塞包括彼此相邻的第一接触插塞和第二接触插塞。该隔离图案的一部分延伸以跨过衬底中的第一区和第二区。第一区与第一接触插塞竖直重叠。第二区与第二接触插塞竖直重叠。

公开(公告)号：CN110993628A

公开(公告)日：2020-04-10

申请号：CN201910521368.5

申请日：2019-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金宽植 ,  金昶和 ,  金润庆 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/30

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：第一基底；第一结构，位于第一基底的前表面上，第一结构包括围绕第一导电层的第一层间绝缘层；第二基底；第二结构，位于第二基底的面对第一基底的前表面的前表面上，第二结构包括第二层间绝缘层，第二层间绝缘层结合到第一层间绝缘层；有机光电层，位于第二基底的后表面上；以及通路电极结构，穿过第二基底和第二结构与第一导电层接触，通路电极结构包括位于通路电极结构中的气隙。

公开(公告)号：CN110880519A

公开(公告)日：2020-03-13

申请号：CN201910500928.9

申请日：2019-06-11

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金昶和 ,  金宽植 ,  朴商秀 ,  李范硕 ,  赵万根 ,  崔珉准

IPC: H01L27/146

Abstract: 提供了一种图像传感器，所述图像传感器包括：基底，具有位于其中的光电转换元件；第一通孔，延伸到基底的第一表面，使得第一通孔的第一上表面邻近基底的第一表面暴露，第一通孔的第二上表面远离基底的第一表面延伸；第一绝缘膜至第三绝缘膜，顺序堆叠在基底的第一表面上；以及接触件，延伸穿过第一绝缘膜至第三绝缘膜，并延伸到第一通孔的第二上表面。接触件包括在第一通孔内的第一部分、在第一绝缘膜中的第二部分、在第二绝缘膜中的第三部分和在第三绝缘膜中的第四部分。

公开(公告)号：CN110556397A

公开(公告)日：2019-12-10

申请号：CN201910160093.7

申请日：2019-03-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔珉准 ,  金宽植 ,  李范硕 ,  林海敏 ,  赵万根

IPC: H01L27/30 ,  H01L51/44

Abstract: 提供了一种有机图像传感器。有机图像传感器包括包含彼此间隔开的多个第一电极的像素电极。有机图像传感器包括包含突出超过所述多个第一电极的表面的突出部的绝缘区。有机图像传感器包括在像素电极和绝缘区的突出部上的有机光电转换层。此外，有机图像传感器包括与像素电极相对并且在有机光电转换层上的第二电极。