公开(公告)号：CN116896899A

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202310320626.X

申请日：2023-03-28

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 早川幸夫 ,  李奉镕 ,  朴玄睦 ,  赵始衍

IPC: H10B51/30 ,  H10B51/20 ,  G11C11/22 ,  G11C16/04 ,  G11C16/10 ,  G11C16/26

Abstract: 一种半导体存储器件包括：背栅电极、在背栅电极上的栅电极、在栅电极和背栅电极之间的沟道层、在沟道层和栅电极之间的栅绝缘层以及在背栅电极和沟道层之间的铁电层。

公开(公告)号：CN116744773A

公开(公告)日：2023-09-12

申请号：CN202310133622.0

申请日：2023-02-10

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 赵始衍 ,  金兑泳 ,  朴玄睦 ,  李奉镕 ,  早川幸夫

IPC: H10N50/10 ,  H10N50/80 ,  H10N50/85 ,  H10N52/80 ,  H10N52/85 ,  H10B61/00 ,  H10N59/00 ,  G11C11/16

Abstract: 提供了一种磁存储器件和操作其的方法。该磁存储器件包括：环路型磁道，具有在逆时针方向上排列的第一部分和第二部分；在第一部分的顶表面上的第一导电线；以及在第二部分的底表面上的第二导电线。磁道包括依次堆叠的下磁性层、间隔物层和上磁性层。第一导电线和第二导电线中的每条包括重金属。第一导电线和第二导电线中的每条配置为产生由在其中流动的电流引起的自旋轨道转矩。自旋轨道转矩使磁道中的磁畴在顺时针方向上或在逆时针方向上移动。