用于半导体制造工艺的邻近校正方法

    公开(公告)号:CN113870173A

    公开(公告)日:2021-12-31

    申请号:CN202110724775.3

    申请日:2021-06-29

    Abstract: 一种用于半导体制造工艺的邻近校正方法,包括:从多个样本区域产生多条原始图像数据,其中样本区域从半导体制造工艺中使用的布局数据中选择;从多条原始图像数据中去除彼此重叠的一些条原始图像数据,导致多条输入图像数据;将多条输入图像数据输入到机器学习模型;从机器学习模型获得包括在多条输入图像数据中的目标图案的临界尺寸的预测值;在半导体制造工艺在其上被执行的半导体衬底上测量对应于目标图案的实际图案的临界尺寸的结果值;以及使用预测值和结果值来执行机器学习模型的学习。

    具有缺陷探测电路的半导体芯片

    公开(公告)号:CN107068637A

    公开(公告)日:2017-08-18

    申请号:CN201610879501.0

    申请日:2016-10-08

    CPC classification number: H01L23/481 H01L23/585

    Abstract: 一种半导体芯片,包括:衬底上的栅极图案;栅极图案上的层间绝缘层;在层间绝缘层上的第一布线结构;以及电连接到所述栅极图案和第一布线结构的缺陷探测电路。第一布线结构通过接触插塞电连接到栅极图案,该接触插塞穿过所述层间绝缘层。所述缺陷探测电路电连接到所述栅极图案和第一布线结构,且所述缺陷探测电路被构造成探测所述第一布线结构以及所述栅极图案和衬底中的至少一个内的缺陷。

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