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公开(公告)号：CN102783124A
公开(公告)日：2012-11-14
申请号：CN201180012253.5
申请日：2011-03-08
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F9/454 , G06F3/018 , G06F3/0235 , G06F3/0237 , G06F3/0481
Abstract: 提供了一种在便携式装置中的文本输入方法以及支持该方法的便携式装置。便携式装置包括：触摸屏，包括显示单元和触摸面板，显示单元用于显示包括至少一个辅音和元音的文本输入区域和文本显示区域，触摸面板被设置在显示单元的上侧用于产生触摸事件；控制单元，控制根据从触摸屏产生的触摸事件显示的文本，其中，控制单元检测在文本输入区域上输出的至少两个键图标的多点触摸事件，控制由基于检测的多点触摸事件的多点触摸的键图标的组合组成的特定文本的显示。
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公开(公告)号：CN100559605C
公开(公告)日：2009-11-11
申请号：CN200610172083.8
申请日：2006-12-29
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , G11C11/56 , G11C11/5678 , G11C13/0004 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144
Abstract: 一种相变随机存取存储器(PRAM)器件，包括：硫族材料的化合物元件，该硫族材料的化合物元件包括能够基于加热电流的应用而呈现晶体状态或非晶状态的材料。第一接触，连接到硫族材料的化合物元件的第一区域，并具有第一横截面。第二接触，连接到硫族材料的化合物元件的第二区域，并具有第二横截面。硫族材料的化合物材料的第一可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第一区域中，第一可编程体积的状态可以根据与第一接触相关联的阻抗来编程。硫族材料的化合物材料的第二可编程体积限定在硫族材料的化合物元件的第二区域中，第二可编程体积的状态可以根据与第二接触相关联的第二阻抗来编程。
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公开(公告)号：CN101533849A
公开(公告)日：2009-09-16
申请号：CN200910127436.6
申请日：2009-03-11
Applicant: 三星电子株式会社
IPC: H01L27/24 , H01L45/00 , H01L23/528 , H01L23/532 , H01L21/768 , G11C11/56
CPC classification number: H01L27/2409 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144
Abstract: 提供了一种可以高集成度集成的电阻式存储器器件及其形成方法。在实施例中，使用大马士革技术由铜形成位线，并且在形成铜位线时，可以在铜位线周围形成铜接线柱。
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公开(公告)号：CN100478831C
公开(公告)日：2009-04-15
申请号：CN200610132227.7
申请日：2006-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F1/1677 , G06F1/1616 , G06F1/1654
Abstract: 一种便携式计算机和控制该计算机的方法，通过根据感测一锁定单元的操作的结果，中断或提供供给显示面板的电力和/或图像信号的输出，可以确保电路和系统的安全。
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公开(公告)号：CN1916815A
公开(公告)日：2007-02-21
申请号：CN200610132227.7
申请日：2006-07-25
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: G06F1/1677 , G06F1/1616 , G06F1/1654
Abstract: 一种便携式计算机和控制该计算机的方法，通过根据感测一锁定单元的操作的结果，中断或提供供给显示面板的电力和/或图像信号的输出，可以确保电路和系统的安全。
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公开(公告)号：CN1622360A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410095711.8
申请日：2004-11-24
Applicant: 三星电子株式会社
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/122 , H01L45/126 , H01L45/143 , H01L45/144 , H01L45/1666
Abstract: 提供了相变存储器件和制造相变存储器件的方法，相变存储器件包括布置在衬底上的加热电极。加热电极包括加热电极中的电极孔。相变材料图形设置在电极孔中并接触电极孔的侧壁。在某些实施例中，电极孔贯穿加热电极。在某些实施例中，相可变材料图形仅仅在电极孔的侧壁处接触电极。
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公开(公告)号：CN118900568A
公开(公告)日：2024-11-05
申请号：CN202410479295.9
申请日：2024-04-19
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种半导体器件，包括：板层；栅电极，在板层上；层间绝缘层，与栅电极交替地堆叠；以及沟道结构，延伸到栅电极中，其中，沟道结构包括沟道填充层、至少部分地围绕沟道填充层的沟道层、在栅电极和沟道层之间的电荷存储层、在栅电极和电荷存储层之间的第一介电层、以及在沟道层和电荷存储层之间第二介电层，其中，沟道层包括第一凸形部分，该第一凸形部分从沟道层的与沟道填充层接触的侧面朝向沟道填充层延伸，并且其中，第一凸形部分的顶点处于第一方向上的第一高度处，该第一高度在一对相邻栅电极的高度之间。
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公开(公告)号：CN111128667B
公开(公告)日：2024-06-11
申请号：CN201910932187.1
申请日：2019-09-29
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本公开提供了用于向等离子体腔室提供气体的装置和等离子体处理装置。一种等离子体处理装置被提供有腔室，该腔室包括配置为执行晶片的处理工艺的空间。支撑构件设置在腔室内部并配置为支撑晶片。气体供应单元配置为在不同的方向上朝向支撑构件注入混合气体。混合气体的压力通过向反应气体添加惰性气体来控制。
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公开(公告)号：CN111162084B
公开(公告)日：2024-04-02
申请号：CN201910851403.X
申请日：2019-09-10
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 一种垂直型存储器件包括：多个栅电极，堆叠在衬底上；和垂直沟道结构，沿垂直于衬底的上表面的第一方向穿透所述多个栅电极。垂直沟道结构包括：沿第一方向延伸的沟道；第一填充膜，部分地填充沟道的内部空间；第一衬层，在第一填充膜的上表面的至少一部分上并且在沟道的远离衬底延伸超过第一填充膜的上部内侧壁。第一衬层包括n型杂质。垂直沟道结构包括在第一衬层的至少一部分上的第二填充膜和在第二填充膜上并与第一衬层接触的焊盘。
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