公开(公告)号：CN108630580B

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN201810214417.6

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金善政 ,  金利桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。

公开(公告)号：CN108630580A

公开(公告)日：2018-10-09

申请号：CN201810214417.6

申请日：2018-03-15

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴金锡 ,  金善政 ,  金利桓

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/687 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54

CPC classification number: C30B33/12 ,  C30B25/12 ,  C30B25/14 ,  C30B31/14 ,  C30B31/16 ,  H01L21/02057 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/0257 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67109 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L21/67207 ,  C23C16/44 ,  C23C16/54 ,  H01L21/68714

Abstract: 公开一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法，所述衬底处理装置包括：晶片夹盘，在晶片夹盘上放置有衬底；注入器单元，位于晶片夹盘的一侧并注入工艺气体，所述工艺气体包括第一气体及第二气体；以及气体供应单元，向注入器单元供应工艺气体。气体供应单元包括：第一气体供应源及第二气体供应源，分别容纳第一气体及第二气体；第一气体供应管线及第二气体供应管线，分别将第一气体供应源及第二气体供应源连接到注入器单元；以及第一加热单元及第二加热单元，分别设置在第一气体供应管线及第二气体供应管线上。设置在第一气体供应管线上的第一加热单元的每单位长度上的密度比设置在第二气体供应管线上的第二加热单元的每单位长度上的密度大。