公开(公告)号：CN100550418C

公开(公告)日：2009-10-14

申请号：CN200410001940.9

申请日：2004-01-16

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  吴昌佑 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  赵慧珍 ,  尹恩贞 ,  李信爱 ,  崔晶东

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/66651 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823437 ,  H01L21/823487 ,  H01L29/0653

Abstract: 提供一种金属氧化物半导体(MOS)晶体管的单元，包括集成电路衬底以及集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区以及栅极。栅极位于源区和漏区之间。在源区和漏区下面以及源区和集成电路衬底与漏区和集成电路衬底的每一个之间提供第一和第二隔开的缓冲区。

公开(公告)号：CN100477262C

公开(公告)日：2009-04-08

申请号：CN200410055895.5

申请日：2004-08-05

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院 ,  尹恩贞 ,  朴东健 ,  李成泳 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  赵慧珍

IPC: H01L29/78 ,  H01L27/092 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/26586 ,  H01L21/823412 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/823885 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66621 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7842

Abstract: 提供金属氧化物半导体(MOS)晶体管的基本单元，该基本单元包括集成电路衬底和集成电路衬底上的MOS晶体管。MOS晶体管具有源区、漏区和栅极区，栅极区在源区和漏区之间。在源区和漏区之间提供第一和第二沟道区。通过由沟槽区分开的集成电路衬底中的第一和第二间隔突起限定沟道区。第一和第二突起远离集成电路衬底延伸，第一和第二突起的上表面基本上与源区和漏区的上表面齐平。在第一和第二间隔突起的侧壁上和在第一和第二间隔突起的至少部分表面上延伸的沟槽区中提供栅电极。

公开(公告)号：CN100456498C

公开(公告)日：2009-01-28

申请号：CN03152492.3

申请日：2003-08-01

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  朴东楗 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  李信爱 ,  金成澔

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/088 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L21/823412 ,  H01L29/42356 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/66787 ,  H01L29/78 ,  H01L29/78642 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78696

Abstract: 集成电路场效应晶体管包括具有表面以及表面上的有源区沟道图形的衬底。有源区图形包括相互叠置的多个沟道并相互隔开以定义至少一个隧道，隧道位于各相邻沟道之间。栅电极环绕多个沟道并延伸穿过至少一个隧道。也提供一对源/漏区。通过在衬底表面上形成预有源图形制备集成电路场效应晶体管。预有源图形包括一系列中间沟道层以及相互交替叠置的沟道层。源/漏区形成在衬底上的预有源图形相对端。选择性地除去多个中间沟道层，以形成穿过预有源图形的多个隧道，由此限定出包括隧道和包括沟道层的多个沟道的有源沟道图形。栅电极形成在隧道中并环绕沟道。

公开(公告)号：CN1499578A

公开(公告)日：2004-05-26

申请号：CN200310104557.1

申请日：2003-10-31

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成澔 ,  朴东健 ,  李昌燮 ,  崔晶东 ,  金成玟 ,  李信爱

IPC: H01L21/28 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L21/76831 ,  H01L21/28114 ,  H01L21/76897 ,  H01L21/823425 ,  H01L21/823475 ,  H01L27/10888 ,  H01L27/10894 ,  H01L29/42376 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种自对准接触结构及其形成方法，包括限定的邻近栅电极，相邻的侧壁构形得相互角形相对。使用衬里层保护栅电极的角形表面，衬里层延伸接触窗口的长度，定义了接触窗口的侧壁。

公开(公告)号：CN106356372B

公开(公告)日：2022-07-01

申请号：CN201610474846.8

申请日：2016-06-24

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  柳炳赞 ,  朴宰贤 ,  李宥利 ,  车东镐

IPC: H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法。所述半导体器件包括第一鳍式图案和第二鳍式图案，它们从场绝缘膜的上表面向上突出，并且在第一方向上延伸。栅极结构与第一鳍式图案和第二鳍式图案交叉。第一外延层在栅极结构的至少一侧上位于第一鳍式图案上，并且第二外延层在栅极结构的至少一侧上位于第二鳍式图案上。金属接触部分覆盖第一外延层的外周围表面和第二外延层的外周围表面。第一外延层接触第二外延层。

公开(公告)号：CN106169496B

公开(公告)日：2022-02-18

申请号：CN201610325750.5

申请日：2016-05-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  朴宰贤 ,  申宪宗 ,  Y.李

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体器件，包括：第一有源区和第二有源区，其设置在半导体基板中并具有彼此面对的侧表面；设置在第一有源区和第二有源区之间的隔离图案；设置在第一有源区和第二有源区之间的半导体延伸层；设置在第一有源区上的第一源/漏极半导体层；和设置在第二有源区上的第二源/漏极半导体层。与靠近隔离图案相比，第一有源区和第二有源区的面对的侧表面更靠近半导体延伸层。

公开(公告)号：CN111987092A

公开(公告)日：2020-11-24

申请号：CN202010436421.4

申请日：2020-05-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  河大元

IPC: H01L27/02 ,  H01L23/528 ,  H01L29/78

Abstract: 一种半导体装置包括有源图案，其包括沟道区。沟道区布置在第一方向上彼此间隔开的第一源极/漏极图案与第二源极/漏极图案之间以及所述第一方向上彼此间隔开的第二源极/漏极图案之间。所述沟道区被构造为将所述第一源极/漏极图案彼此连接以及将所述第二源极/漏极图案彼此连接。栅电极布置在有源图案的底表面上，并且布置在第一源极/漏极图案之间以及第二源极/漏极图案之间。上互连线布置在与有源图案的底表面相对的有源图案的顶表面上，并且连接至第一源极/漏极图案。

公开(公告)号：CN110364526A

公开(公告)日：2019-10-22

申请号：CN201910084747.2

申请日：2019-01-29

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院

IPC: H01L27/088 ,  H01L29/10 ,  H01L29/423 ,  H01L21/8234

Abstract: 提供了一种半导体器件，其包括彼此间隔开并沿第一方向延伸的第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案。该半导体器件还包括第一栅极结构和第二栅极结构，其分别在第一多沟道有源图案和第二多沟道有源图案上、沿第二方向延伸并分别包括第一栅极绝缘膜和第二栅极绝缘膜。第一多沟道有源图案的侧壁包括与第一栅极绝缘膜接触的第一部分、不与第一栅极绝缘膜接触的第二部分、与第二栅极绝缘膜接触的第三部分和不与第二栅极绝缘膜接触的第四部分。另外，第一多沟道有源图案的第一部分的高度大于第一多沟道有源图案的第三部分的高度。

公开(公告)号：CN109755319A

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201811042219.2

申请日：2018-09-07

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  金洞院

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了一种半导体装置，所述半导体装置包括：基底；鳍结构，在与基底的上表面垂直的方向上从基底突出，鳍结构包括第一鳍区和第二鳍区，第一鳍区在第一方向上延伸，第二鳍区在与第一方向不同的第二方向上延伸；源/漏区，设置在鳍结构上；栅极结构，与鳍结构交叉；第一接触件，连接到源/漏区中的一个；第二接触件，连接到栅极结构并且在平面图中位于第二鳍区之间。

公开(公告)号：CN104217959B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201410140427.1

申请日：2014-04-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 金成玟 ,  姜智秀 ,  李东奎 ,  车东镐

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/423

Abstract: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。半导体器件的制造方法包括：提供有源鳍和包括设置在有源鳍上的第一沟槽的场绝缘膜；通过执行设置在第一沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第一蚀刻而形成第二沟槽；通过执行设置在第二沟槽的侧壁和下部上的场绝缘膜的第二蚀刻而在场绝缘膜中形成第一区域和第二区域，第一区域邻近有源鳍设置并具有第一厚度，第二区域相比于第一区域与有源鳍间隔开设置并具有比第一厚度厚的第二厚度；以及在有源鳍和场绝缘膜上形成栅极结构。