公开(公告)号：CN1825628A

公开(公告)日：2006-08-30

申请号：CN200610005021.8

申请日：2006-01-18

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  崔圣圭 ,  金桢雨 ,  黄显相 ,  韩祯希 ,  崔相武 ,  朴星昊

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/51 ,  H01L21/336 ,  H01L21/283

CPC classification number: H01L21/02148 ,  H01L21/02156 ,  H01L21/02159 ,  H01L21/28282 ,  H01L21/31604 ,  H01L21/31641 ,  H01L21/31645 ,  H01L29/513 ,  H01L29/792

Abstract: 一种半导体存储器件，包括第一掺杂区和第二掺杂区，所述第一掺杂区和第二掺杂区设置在半导体衬底中；绝缘层，设置得与所述第一掺杂区和第二掺杂区接触，所述绝缘层包括从包括Hf、Zr、Y和Ln的组中选择的材料；和设置在所述绝缘层上的栅电极层。

公开(公告)号：CN1518108A

公开(公告)日：2004-08-04

申请号：CN200410002585.7

申请日：2004-01-09

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 柳远壹 ,  李兆远 ,  尹世煜 ,  金桢雨

IPC: H01L27/10 ,  H01L21/8239

CPC classification number: H01L29/66833 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42328 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供一种硅－氧化物－氮化物－氧化物－硅(SONOS)存储器件及其制造方法。该SONOS存储器件包括半导体衬底、淀积在半导体衬底上的绝缘层、形成在绝缘层的预定区域并且被分为源区、漏区和沟道区的有源层、形成在沟道区一侧的第一侧栅叠层和形成在第一侧栅叠层相对侧的第二侧栅叠层。由于在每个SONOS存储器件中至少存储两位数据，因此相对于包含在SONOS存储器件中的存储节点的布局，与常规的SONOS存储器件相比，可以将半导体存储器件的集成密度提高1.5－2倍。

公开(公告)号：CN1501503A

公开(公告)日：2004-06-02

申请号：CN200310113815.2

申请日：2003-11-04

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 崔原凤 ,  李兆远 ,  姜虎圭 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105

CPC classification number: G11C13/025 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0466 ,  G11C2213/16 ,  G11C2213/17 ,  H01L29/02 ,  H01L29/792 ,  H01L29/7923 ,  H01L29/7926 ,  H01L51/0048 ,  H01L51/0512 ,  Y10S977/943

Abstract: 本发明提供一种利用垂直纳米管的非易失性存储装置。该存储装置包括具有源区的衬底；纳米管阵列，其由垂直生长在所述衬底上的多个纳米管柱状体组成，使得所述纳米管阵列的一端与所述源区连接，由此用作电子传输沟道；存储单元，其围绕所述纳米管阵列的外侧表面形成；控制栅极，其围绕所述存储单元的外侧表面形成；以及漏区，其与所述纳米管阵列的另一端连接。

公开(公告)号：CN1490876A

公开(公告)日：2004-04-21

申请号：CN03108490.7

申请日：2003-04-14

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金柱亨 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  柳元壹

IPC: H01L27/105

CPC classification number: H01L21/28194 ,  B82Y10/00 ,  G11C16/0475 ,  G11C2216/06 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/42332 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/518 ,  H01L29/7885 ,  H01L29/7887 ,  H01L29/7888

Abstract: 提供了一永久性硅/氧化物/氮化物/硅/氮化物/氧化物/硅(SONSNOS)存储器。该SONSNOS存储器包括堆叠在衬底通道上的第一和第二绝缘层，分别形成在第一绝缘层之上和第二绝缘层之下的第一和第二介电层，插入在第一和第二介电层间的一IV族半导体层，硅量子点，或金属量子点。该SONSNOS存储器提高了编程速率和存储能力。

公开(公告)号：CN1734773B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200510092281.9

申请日：2005-06-17

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 朴允童 ,  李兆远 ,  金桢雨 ,  李殷洪 ,  徐顺爱 ,  金元柱 ,  蔡熙顺 ,  蔡洙杜 ,  宋利宪

IPC: H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L21/8246 ,  H01L21/8247

CPC classification number: G11C11/5621 ,  H01L27/0688 ,  H01L27/11521 ,  H01L27/11551

Abstract: 提供了一种互补非易失性存储器件及其操作和制造方法，包括该器件的逻辑器件和半导体器件，以及用于该器件的读电路。所述互补非易失性存储器件包括第一非易失性存储器和第二非易失性存储器，它们被顺序的堆叠并具有互补关系，其中所述第二非易失性存储器被翻转，使得所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的底部彼此相对，且所述第一非易失性存储器和第二非易失性存储器的顶部在所述底部之间彼此面对。

公开(公告)号：CN100552958C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510084792.6

申请日：2005-07-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 蔡洙杜 ,  金汶庆 ,  李兆远 ,  金桢雨

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/78 ,  H01L21/8247 ,  H01L21/336

CPC classification number: G11C16/0475 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/66833 ,  H01L29/7923

Abstract: 本发明提供了多位非易失性存储器件及其操作方法和制造方法。存储器件包括形成在半导体衬底内的沟道区及与沟道区形成肖特基接触的源极和漏极。而且，中心栅极电极位于沟道区的一部分上，且第一和第二侧壁栅极电极沿着中心栅极电极的外侧形成在沟道区上。第一和第二存储节点形成在沟道区和侧壁栅极电极之间。

公开(公告)号：CN100552899C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200610068130.4

申请日：2006-03-21

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  金奎植 ,  金桢雨 ,  朴星昊 ,  闵若瑟 ,  韩祯希

IPC: H01L21/336

CPC classification number: H01L21/324 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282

Abstract: 本发明公开了一种具有改善的擦除特性的存储器件的制造方法，所述方法包括：在半导体衬底上顺序形成隧穿氧化物层、电荷存储层和阻挡氧化物层；在气体气氛下退火包括所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层的半导体衬底，使得所述阻挡氧化物层具有负的固定的氧化物电荷；在具有所述负的固定的氧化物电荷的阻挡氧化物层上形成栅电极，且蚀刻所述隧穿氧化物层、所述电荷存储层和所述阻挡氧化物层来形成栅极结构；以及用掺杂剂掺杂所述半导体衬底，从而在所述栅极结构的两侧在半导体衬底中分别形成第一掺杂区和第二掺杂区。

公开(公告)号：CN100533742C

公开(公告)日：2009-08-26

申请号：CN200510119953.0

申请日：2005-10-08

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 田尚勋 ,  韩桢希 ,  金桢雨

IPC: H01L27/105 ,  H01L27/112 ,  H01L27/115 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/513 ,  G11C16/0416 ,  G11C16/0466 ,  H01L21/28273 ,  H01L21/28282 ,  H01L29/7881 ,  H01L29/792

Abstract: 一种非易失半导体存储器件，它包括具有源区、漏区和在源区和漏区之间提供的沟道区的衬底，以及位于沟道区上部的栅极堆叠和位于栅极堆叠上部的金属栅极。金属栅极是由相对栅极堆叠的复合层具有特定金属逸出功的金属构成的，以使电子通过直接隧穿效应贯穿阻挡层的整个厚度。栅极堆叠优选地包括一种选自由ONO、ONH、OHH、OHO、HHH或HNH构成的多层堆叠组的多层堆叠，其中O为氧化物材料、N为SiN、H为高κ材料。

公开(公告)号：CN1881592A

公开(公告)日：2006-12-20

申请号：CN200610106197.2

申请日：2006-05-12

Applicant: 三星电子株式会社

Inventor： 郑渊硕 ,  金桢雨 ,  蔡熙顺 ,  金柱亨 ,  韩祯希 ,  玄在雄

IPC: H01L27/115 ,  H01L29/792 ,  G11C16/02

CPC classification number: G11C16/0466 ,  G11C16/04 ,  G11C29/50 ,  G11C29/50004

Abstract: 本发明提供一种编程硅氧化物氮化物氧化物半导体(SONOS)存储器件的方法。该SONOS存储器件包括衬底、在衬底上间隔开的第一和第二杂质区域、形成在第一和第二杂质区域之间该衬底上方的栅氧化物层、形成在栅氧化物层上方的俘获层、形成在俘获层上方的绝缘层、和形成在绝缘层上方的栅电极。编程SONOS器件的方法包括通过将第一电压施加到第一杂质区域、将栅电压施加到栅电极、和将第二电压施加到第二杂质区域来将数据写入到SONOS存储器件，其中第二电压是负电压。

公开(公告)号：CN1832202A

公开(公告)日：2006-09-13

申请号：CN200610004708.X

申请日：2006-01-27

Applicant: 财团法人SEOUL大学校产学协力财团 ,  三星电子株式会社

Inventor： 沈载星 ,  朴炳国 ,  李钟德 ,  金桢雨

IPC: H01L29/792 ,  H01L27/115 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8247 ,  G11C16/02

Abstract: 本发明涉及一种在有源区域具有多层掺杂层的电荷陷阱闪存单元和利用该闪存单元的存储阵列及其操作方法。本发明的电荷陷阱存储单元和已知技术相比所具备的特征是其有源区域内适当形成多层掺杂层。并且，和源区及漏区形成PN结的部分，将通过所述多层掺杂层诱导电子进行带间穿隧，并于预定的负偏置电压条件下，加速所述隧穿电子，从而产生雪崩现象。由此，本发明的存储阵列通过把所述雪崩现象中所生成的正孔注入到每个存储单元的多层介电层的方式进行程序化操作；而进行擦除操作时，则采取通过FN隧穿方式把通道中的电子注入到每个单元的多层介电层中的方式。