公开(公告)号：CN101771087A

公开(公告)日：2010-07-07

申请号：CN200910258925.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备，其中该薄膜晶体管包括：基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。

公开(公告)号：CN101546782A

公开(公告)日：2009-09-30

申请号：CN200910127094.8

申请日：2009-03-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李吉远 ,  李东炫

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/06 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78615 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757

Abstract: 薄膜晶体管、其制造方法及有机发光二极管显示装置。该薄膜晶体管包括：基板；布置在所述基板上的半导体层，包括沟道区、源极区、漏极区和基体接触区；布置在所述半导体层上从而使所述第一基体接触区暴露的栅极绝缘层；布置在所述栅极绝缘层上从而接触所述第一基体接触区的栅电极；布置在所述栅电极上的层间绝缘层；以及布置在所述层间绝缘层上并且被电连接至所述源极区和所述漏极区的源电极和漏电极。所述基体接触区被形成在所述半导体层的边缘中。

公开(公告)号：CN102312218A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110006623.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑珉在 ,  李基龙 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  郑在琓

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52

Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。

公开(公告)号：CN102082077A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010517117.9

申请日：2010-10-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  苏炳洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。

公开(公告)号：CN102064197A

公开(公告)日：2011-05-18

申请号：CN201010287308.0

申请日：2010-09-16

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 孙榕德 ,  李基龙 ,  崔埈厚 ,  郑珉在 ,  朴承圭 ,  李吉远 ,  郑在琓 ,  李东炫 ,  苏炳洙 ,  具贤祐 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  张锡洛

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/10 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66757 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。

公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN101826555A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122246.8

申请日：2010-03-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN101771087B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258925.5

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/322 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/66765 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02672 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78696

Abstract: 一种薄膜晶体管、制备该薄膜晶体管的方法以及装备有该薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示设备，其中该薄膜晶体管包括：基板、置于所述基板上的缓冲层、置于所述缓冲层上的第一半导体层和第二半导体层、与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极电极、将所述栅极电极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极绝缘层、以及与所述栅极电极绝缘并且部分连接到所述第二半导体层的源极和漏极电极，其中所述第二半导体层置于所述第一半导体层上。

公开(公告)号：CN101771086B

公开(公告)日：2012-07-18

申请号：CN200910258921.7

申请日：2009-12-30

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  安志洙 ,  马克西姆·利萨琴科

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/38 ,  H01L21/336 ,  H01L21/332 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/1281 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明公开了一种薄膜晶体管、制造所述薄膜晶体管的方法和包括所述薄膜晶体管的有机发光二极管(OLED)显示装置，所述薄膜晶体管包括：基板；在所述基板上形成的缓冲层；布置在所述缓冲层上的第一半导体层；布置在所述第一半导体层上的第二半导体层，所述第二半导体层大于所述第一半导体层；与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅极；使所述栅极与所述第一半导体层和所述第二半导体层绝缘的栅绝缘层；与所述栅极绝缘并与所述第二半导体层连接的源极和漏极；布置在所述源极和漏极上的绝缘层，以及与源极和漏极之一连接的有机发光二极管。

公开(公告)号：CN102386069A

公开(公告)日：2012-03-21

申请号：CN201110241085.9

申请日：2011-08-22

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  朴钟力 ,  郑胤谟 ,  李卓泳 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  郑珉在 ,  孙榕德 ,  苏炳洙 ,  朴承圭 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  郑在琓

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3262 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78609 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78678

Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。