公开(公告)号：CN102456708A

公开(公告)日：2012-05-16

申请号：CN201110291090.0

申请日：2011-09-23

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 曹圭湜 ,  崔埈厚 ,  秋秉权 ,  申旼澈 ,  梁泰勋 ,  李源规 ,  李仑揆 ,  崔宝京 ,  朴容焕 ,  文相皓

IPC: H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1288 ,  H01L27/3262 ,  H01L27/3265

Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管显示器及其制造方法。所述有机发光二极管显示器包括：第一多晶硅层图案，位于基底上并且具有第一栅电极、第二栅电极和第一电容器电极；栅极绝缘层图案；第二多晶硅层图案，包括第一有源层、第二有源层和电容器多晶硅哑层；第三非晶硅层图案，包括位于第一有源层的预定区域上的第一源极抵抗接触层和第一漏极抵抗接触层、位于第二有源层的预定区域上的第二源极抵抗接触层和第二漏极抵抗接触层以及位于电容器多晶硅哑层上的电容器非晶哑层；数据金属层图案，包括第一源电极、第一漏电极、第二源电极、第二漏电极和第二电容器电极。

公开(公告)号：CN102312218A

公开(公告)日：2012-01-11

申请号：CN201110006623.6

申请日：2011-01-10

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 郑珉在 ,  李基龙 ,  洪钟元 ,  罗兴烈 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  苏炳洙 ,  朴炳建 ,  李东炫 ,  李吉远 ,  白原奉 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  伊凡·马伊达楚克 ,  郑在琓

IPC: C23C16/448 ,  C23C16/455 ,  C23C16/44

CPC classification number: C23C16/4481 ,  C23C16/45525 ,  C23C16/52

Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。

公开(公告)号：CN102082077A

公开(公告)日：2011-06-01

申请号：CN201010517117.9

申请日：2010-10-15

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  郑胤谟 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  朴钟力 ,  崔宝京 ,  苏炳洙

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/0206 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02491 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/477 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种制造多晶硅层的方法、一种使用该多晶硅层的薄膜晶体管、一种包括该多晶硅层的有机发光二极管显示装置及它们的制造方法。制造多晶硅层的方法包括：将缓冲层形成在基底上；将金属催化剂层形成在缓冲层上；使金属催化剂层中的金属催化剂扩散到缓冲层中；去除金属催化剂层；将非晶硅层形成在缓冲层上；对基底进行退火以使非晶硅层结晶成多晶硅层。薄膜晶体管包括：基底；缓冲层，设置在基底上；半导体层，设置在缓冲层上；栅绝缘层，设置在基底的上方并设置在半导体层上；栅电极，设置在栅绝缘层上；源电极和漏电极，均电连接到半导体层；金属硅化物，设置在缓冲层和半导体层之间。

公开(公告)号：CN101252150B

公开(公告)日：2011-04-06

申请号：CN200710307439.9

申请日：2007-12-27

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 徐晋旭 ,  朴炳建 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/78675 ,  H01L27/1277 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/66757

Abstract: 一种薄膜晶体管，包括：衬底；设置在衬底上的半导体层，包括源极区域、漏极区域和沟道区域，并且由多晶硅层构成；设置成与半导体层的沟道区域对应的栅极电极；设置在半导体层和栅极电极之间的栅极绝缘层；以及分别电连接到半导体层的源极区域和漏极区域的源极电极和漏极电极，其中，多晶硅层包括相互具有不同拉曼谱峰值的多个区域。

公开(公告)号：CN101826556A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010124380.1

申请日：2010-02-26

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  梁泰勋 ,  徐晋旭 ,  李基龙 ,  马克西姆·利萨琴科 ,  崔宝京 ,  李大宇 ,  李吉远 ,  李东炫 ,  朴钟力 ,  安志洙 ,  金永大 ,  罗兴烈 ,  郑珉在 ,  郑胤谟 ,  洪钟元 ,  姜有珍 ,  张锡洛 ,  郑在琓 ,  尹祥渊

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L29/6675 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02667 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66765 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。

公开(公告)号：CN101826555A

公开(公告)日：2010-09-08

申请号：CN201010122246.8

申请日：2010-03-02

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 李东炫 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  朴炳建 ,  李吉远 ,  马克西姆·莉萨契克 ,  郑在琓

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L27/32

CPC classification number: H01L21/02532 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02488 ,  H01L21/02672 ,  H01L27/1277 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78675

Abstract: 本发明提供了一种薄膜晶体管、其制造方法及具有其的有机发光二极管显示装置，所述薄膜晶体管包括：基底；硅层，形成在基底上；扩散层，形成在硅层上；利用金属催化剂结晶化的半导体层，形成在扩散层上；栅电极，设置在扩散层上，面对半导体层的沟道区；栅极绝缘层，设置在栅电极和半导体层之间；源电极和漏电极，分别电连接到半导体层的源极区和漏极区。

公开(公告)号：CN101752406A

公开(公告)日：2010-06-23

申请号：CN200910260660.2

申请日：2009-12-18

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  尹汉熙 ,  李吉远 ,  任章淳 ,  卢智龙

IPC: H01L27/32 ,  H01L21/82

CPC classification number: H01L27/3244 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/3258 ,  H01L27/3262

Abstract: 本发明提供一种有机发光二极管(OLED)显示设备、其制备方法和母基板，其中该OLED显示设备包括：基板，包括像素区和非像素区；缓冲层，置于该基板上；半导体层，置于该缓冲层上，并且包括沟道区和源极区/漏极区；栅极电极，被放置为对应于该半导体层的沟道区；栅极绝缘层，将该半导体层与该栅极电极绝缘；源极电极/漏极电极，电连接到该半导体层的源极区/漏极区；以及中间绝缘层，将该栅极电极与该源极电极/漏极电极绝缘，其中该缓冲层、该栅极绝缘层和该中间绝缘层的在该非像素区上的区域分别被去除，并且该部分地被去除的区域为面板区域的8％到40％。

公开(公告)号：CN100585838C

公开(公告)日：2010-01-27

申请号：CN200610166981.2

申请日：2006-12-13

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L23/00 ,  H01L29/786 ,  H01L27/32 ,  H01L21/20 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  C30B29/06

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02532 ,  H01L27/1277

Abstract: 提供了一种多晶硅层、采用所述多晶硅层的平板显示器和制造所述多晶硅层的方法。在基板上形成非晶硅层。在非晶硅层上形成第一图案层、第二图案层和金属催化剂层。形成第一图案层和第二图案层以界定一个至少400μm2的区域，金属催化剂层的金属催化剂在所述区域内扩散到非晶硅层内。通过扩散的金属催化剂使晶种区结晶。在结晶区从晶种区生长之后，在结晶区上形成半导体层，从而制造具有良好特性的薄膜晶体管。采用其制造平板显示器。

公开(公告)号：CN100552976C

公开(公告)日：2009-10-21

申请号：CN200510082116.5

申请日：2005-06-29

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 朴炳建 ,  徐晋旭 ,  梁泰勋 ,  李基龙

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/02 ,  H01L21/00 ,  H01L21/336 ,  G02F1/136 ,  G09G3/38

CPC classification number: H01L21/02672 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/2022 ,  H01L27/1255 ,  H01L27/1277

Abstract: 一种半导体器件中的薄膜晶体管的半导体层和电容器的第一电极是由非晶硅形成的，而且半导体层的源/漏极区的整个部分或一部分和电容器的第一电极是通过金属诱导晶化方法晶化的，半导体层的沟道区是通过金属诱导横向晶化方法晶化的。

公开(公告)号：CN100481509C

公开(公告)日：2009-04-22

申请号：CN200410075895.1

申请日：2004-12-31

Applicant: 三星移动显示器株式会社

Inventor： 梁泰勋 ,  李基龙 ,  徐晋旭 ,  朴炳建

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78654 ,  H01L29/66757 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78675 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管及其制造方法。通过均匀控制晶化催化剂的低浓度和控制晶化位置使得在薄膜晶体管的沟道层中不存在籽晶并且不存在晶界或只存在一个晶界，从而开发出一种具有改进的特性和均匀性的薄膜晶体管。薄膜晶体管包括：衬底；在衬底上形成的半导体层图案，该半导体层图案具有不存在籽晶且不存在晶界的沟道层；在半导体层图案上形成的栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成的栅电极。一种用于制造薄膜晶体管的方法包括：在衬底上形成非晶硅层；通过晶化并构图非晶硅层，形成具有其中不存在籽晶且不存在晶界的沟道层的半导体层图案；在半导体层图案上形成栅绝缘膜；以及在栅绝缘膜上形成栅电极。