-
公开(公告)号：CN102201443A
公开(公告)日：2011-09-28
申请号：CN201110055020.5
申请日：2011-03-07
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/78 , H01L27/12 , H01L21/336 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66742 , H01L27/124 , H01L27/1248 , H01L27/3262 , H01L27/3274 , H01L29/66757 , H01L29/78618 , H01L51/0081
Abstract: 本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。
-
公开(公告)号：CN102312218A
公开(公告)日：2012-01-11
申请号：CN201110006623.6
申请日：2011-01-10
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 郑珉在 , 李基龙 , 洪钟元 , 罗兴烈 , 姜有珍 , 张锡洛 , 徐晋旭 , 梁泰勋 , 郑胤谟 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 白原奉 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·马伊达楚克 , 郑在琓
IPC: C23C16/448 , C23C16/455 , C23C16/44
CPC classification number: C23C16/4481 , C23C16/45525 , C23C16/52
Abstract: 一种用于沉积装置的罐和使用罐的沉积装置，并且更为具体地，一种能够提供包含在供应到沉积室中的反应气体中的均匀量的原材料并且提高原材料供应的安全性的沉积装置的罐，以及使用罐的沉积装置。该沉积装置包括：沉积室；将反应气体供应到该沉积室的罐；以及用于将载气供应到罐的载气供应器，其中该罐包括主体、加热该主体的加热单元以及布置在该主体下方的温度测量单元。
-
公开(公告)号：CN102064197A
公开(公告)日：2011-05-18
申请号：CN201010287308.0
申请日：2010-09-16
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L29/786 , H01L29/10 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/66757 , H01L27/1277 , H01L27/3262
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管、其制造方法和具有该薄膜晶体管的有机发光二极管显示器装置。所述薄膜晶体管包括：基板；缓冲层，位于所述基板上；半导体层，包括在所述缓冲层上的源/漏区和沟道区；栅绝缘层，对应于所述沟道区；栅极，对应于所述沟道区；和源/漏极，与所述半导体层电连接。所述沟道区的多晶硅层可仅包括小角度晶界，且大角度晶界可布置在所述半导体层的除所述沟道区外的区域中。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101826556A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010124380.1
申请日：2010-02-26
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 朴炳建 , 梁泰勋 , 徐晋旭 , 李基龙 , 马克西姆·利萨琴科 , 崔宝京 , 李大宇 , 李吉远 , 李东炫 , 朴钟力 , 安志洙 , 金永大 , 罗兴烈 , 郑珉在 , 郑胤谟 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑在琓 , 尹祥渊
IPC: H01L29/786 , H01L21/336 , H01L27/32
CPC classification number: H01L29/6675 , H01L21/02422 , H01L21/02488 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L29/66757 , H01L29/66765 , H01L29/78696
Abstract: 本发明涉及薄膜晶体管(TFT)和有机发光二极管(OLED)显示器装置。所述TFT和OLED显示器装置包括基板；缓冲层，所述缓冲层位于所述基板上；半导体层，所述半导体层位于所述缓冲层上；栅电极，所述栅电极与所述半导体层绝缘；栅绝缘层，所述栅绝缘层将所述半导体层与所述栅电极绝缘；以及源电极和漏电极，所述源电极和漏电极与所述栅电极绝缘，且部分连接所述半导体层，其中所述半导体层由金属催化剂结晶化的多晶硅层形成，且所述金属催化剂通过使用蚀刻剂吸杂来去除。此外，OLED显示器装置包括绝缘层，所述绝缘层位于所述基板的整个表面上；第一电极，所述第一电极位于所述绝缘层上，且电连接所述源电极和漏电极其中之一；有机层；和第二电极。
-
公开(公告)号：CN102386069A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110241085.9
申请日：2011-08-22
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: H01L21/20 , H01L21/336 , H01L29/786 , H01L27/32
CPC classification number: H01L27/3244 , H01L21/0245 , H01L21/02532 , H01L21/02667 , H01L21/02672 , H01L27/1277 , H01L27/3262 , H01L29/1033 , H01L29/66765 , H01L29/78609 , H01L29/78675 , H01L29/78678
Abstract: 一种形成多晶硅层的方法，包括形成第一非晶硅层和形成第二非晶硅层，使得所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层具有彼此不同的膜性质；和用金属催化剂使所述第一非晶硅层和所述第二非晶硅层结晶，以形成第一多晶硅层和第二多晶硅层。一种薄膜晶体管包括由所述方法形成的多晶硅层，和一种有机发光装置包括所述薄膜晶体管。
-
公开(公告)号：CN1924079B
公开(公告)日：2012-03-07
申请号：CN200610127709.3
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星移动显示器株式会社
CPC classification number: C23C14/243
Abstract: 本发明公开一种线型沉积源，该沉积源能够通过使用板型加热源来提高加热效率并且降低加热温度，和/或能够通过在一个壳体中包括一个具有冷却水管线(或者通道)的冷却套来提高冷却效率。所述线型沉积源包括：布置在一个沉积室中的坩埚，所述坩埚用于蒸发包括在所述坩埚中的材料；加热源，用于对所述坩埚加热；壳体，用于隔绝从加热源发出的热量；外壁，用于固定所述坩埚；和喷嘴单元，用于喷射从所述坩埚蒸发的材料。在该沉积源中，所述加热源是板型加热源，并且所述壳体具有冷却水管线，从而冷却水可以流过该冷却水管线。
-
公开(公告)号：CN102108500A
公开(公告)日：2011-06-29
申请号：CN201010512357.X
申请日：2010-10-09
Applicant: 三星移动显示器株式会社
IPC: C23C16/455 , H01L21/77 , H01L27/32
CPC classification number: C23C16/4481 , H01L27/1277
Abstract: 本发明提供一种汽相沉积装置和使用该汽相沉积装置制造有机发光显示装置的方法。该汽相沉积装置包括：被配置为容纳汽相沉积源的罐，所述罐包括彼此相对的气体入口和气体出口；被配置为对所述罐进行加热的加热器；与所述罐流体连通的室，所述室被配置为容纳汽相沉积对象；以及载气供给单元，被配置为将载气供给到所述罐中。
-
公开(公告)号：CN101866853A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN201010128599.9
申请日：2010-03-03
Applicant: 三星移动显示器株式会社
Inventor： 罗兴烈 , 李基龙 , 徐晋旭 , 郑珉在 , 洪钟元 , 姜有珍 , 张锡洛 , 郑胤谟 , 梁泰勋 , 苏炳洙 , 朴炳建 , 李东炫 , 李吉远 , 朴钟力 , 崔宝京 , 伊凡·迈丹丘克 , 白原奉 , 郑在琓
IPC: H01L21/324 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/67109
Abstract: 本发明公开一种基板处理设备，其通过均匀地加热基板，在多个基板上形成薄膜和热处理基板。该基板处理设备包括处理室、其中堆叠基板的船形器皿、位于处理室外部的外部加热器、将船形器皿移进和移出处理室的输送器、位于输送器下方的下部加热器、和位于船形器皿中间的中间加热器。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.033 seconds)
