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公开(公告)号：CN100460214C
公开(公告)日：2009-02-11
申请号：CN200610121985.9
申请日：2006-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种用于激光诱导热成像(LITI)设备的膜供体装置和利用其制造电子装置的方法。LITI设备包括腔室、基底支撑件、接触框架以及激光源或者振荡器。LITI设备将可转移层从膜供体装置转移到半成电子装置的表面上。LITI设备使用磁力提供可转移层和半成品装置的表面之间的紧密接触。在实施例中，磁性材料形成在LITI系统的隔开的两个部件中，可转移层和在其上可转移层被转移的表面介于上述两个部件之间，即，一个部件位于可转移层之上，另一部件位于所述表面之下。磁体或者磁性材料形成在LITI设备的下面两个部件中：半成品装置和膜供体装置；半成品装置和接触框架；基底支撑件和膜供体装置或者基底支撑件和接触框架。
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公开(公告)号：CN101118955A
公开(公告)日：2008-02-06
申请号：CN200710149053.X
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN1983666A
公开(公告)日：2007-06-20
申请号：CN200610166777.0
申请日：2006-12-14
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5088 , H01L27/3244 , H01L51/5218 , H01L2251/5315 , H01L2251/558
Abstract: 本发明公开了一种有机发光装置及其制造方法，所述装置具有阳极，即由在上发光结构中的单金属层构成下电极。所述有机发光装置包括基底、设置在所述基底上并且包括金属的阳极、设置在所述阳极上的金属氟化物层、和设置在所述金属氟化物层上并且至少包括有机发光层的有机层、和设置在所述有机层上的阴极。阳极通过使用含氟的CF3气体或SF6气体的等离子体法进行表面处理时，单金属层可以被用作阳极，由此改善了发光效率。
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公开(公告)号：CN1941400A
公开(公告)日：2007-04-04
申请号：CN200610139384.0
申请日：2006-09-27
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L27/3246 , H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机发光二极管及其制造方法。该有机发光二极管包括：像素限定层，位于基底上，该像素限定层具有在其中的开口并具有邻近于所述开口形成的至少一个阶梯部分；有机层，位于所述开口中，并至少部分地覆盖所述至少一个阶梯部分。
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公开(公告)号：CN1769066A
公开(公告)日：2006-05-10
申请号：CN200510113840.X
申请日：2005-10-19
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/46 , B41M5/265 , C23C14/048 , H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10S430/146
Abstract: 一种用在有机发光显示器中的供体基板包括基底基板和设置在基底基板上的转印层。插置在基底基板与转印层之间的选择性发热结构。选择性发热结构具有通过光热转换发热的发热区和接触发热区的非发热区。由于使用供体基板，因此不需精确地控制激光束的宽度便可能形成微小的具有高精度的转印层图案。有机发光显示器的制造方法包括在受体基板上提供供体基板，将激光束照射到供体基板上，以及在受体基板的像素电极上形成转印层图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1758818A
公开(公告)日：2006-04-12
申请号：CN200510093801.8
申请日：2005-08-30
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: B41M5/265 , B41M5/38214 , H01L51/0013 , H01L51/56 , Y10T156/1705
Abstract: 提供了一种用于激光转写(LITI)的施主基板和一种使用该施主基板制造有机发光显示器的方法。将导电框架设置在施主基板的外部上并与防静电层相连接。施主基板的导电框架与接地台相连接。在这个结构中，当用LITI工艺形成有机层时，可控制静电的产生。
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公开(公告)号：CN1741691A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200410103356.4
申请日：2004-12-31
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , C23C14/048 , H01L51/0036 , H01L51/0039 , H01L51/0043 , H01L51/5012 , H01L51/56
Abstract: 本发明提供一种用于激光诱导热成像方法(LITI)的供体基片以及用其制备有机发光显示装置的方法。用分子量为500～70,000的有机材料制成用于激光诱导热成像方法的转移层，以制备具有均匀有机层图案的有机发光显示装置。本发明还提供一种方法，该方法用于制备既改善有机光发射显示装置生产率又能实现大像素区域的有机发光显示装置。
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公开(公告)号：CN1622699A
公开(公告)日：2005-06-01
申请号：CN200410089761.5
申请日：2004-11-05
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/5048 , H01L27/3244 , H01L27/3246 , H01L27/3248 , H01L51/52 , H01L51/5203 , Y10T428/24479 , Y10T428/24521
Abstract: 本发明公开了一种有机发光器件，其通过减小衬底表面的锥角来防止元件缺陷并提高图像质量。本发明的平板显示器包括：一绝缘衬底；一下部层，其形成于绝缘衬底上并且具有相对于衬底表面的第一台阶和第一锥角；以及一上部层，其形成于绝缘衬底上，用于减小下部层的锥角。上部层具有小于下部层的第一锥角的第二锥角。上部层是一导电层，该导电层可通过湿式涂覆方法被涂覆并且具有电荷迁移能力，该导电层选自小分子有机层和聚合物有机层中的至少一个，其中小分子有机层包括咔唑基、芳胺基、腙基、芪基、呃二唑基以及星爆炸基衍生物，聚合物有机层包括PEDOT、PANI、咔唑基、芳基胺基、二萘嵌苯基、吡咯基以及呃二唑基衍生物。
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公开(公告)号：CN1510973A
公开(公告)日：2004-07-07
申请号：CN200310120585.2
申请日：2003-12-15
Applicant: 三星SDI株式会社
CPC classification number: H01L51/0013 , H01L51/005 , H01L51/0059 , H01L51/0062 , H01L51/0077 , H01L51/0078 , H01L51/0081 , H01L51/0084 , H01L51/0085 , H01L51/0089
Abstract: 本发明公开了一种低分子量全色有机电致发光设备和一种制造低分子量全色有机电致发光设备的方法，通过提供低分子量全色有机电致发光设备的供体膜，能够放大和批量生产具有高分辨率的有机电致发光设备，所述供体膜包括：基材膜；在基材膜的上部形成的光热转化层；和在光热转化层的上部形成且由低分子量材料形成的转移层。通过激光照射和加热的一部分转移层根据转移层与光热转化层的粘附力的变化而从光热转化层上分离，而没有被激光照射的转移层部分被固定至光热转化层上。
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公开(公告)号：CN100423284C
公开(公告)日：2008-10-01
申请号：CN200410011802.9
申请日：2004-09-23
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: H01L27/32 , H05B33/00 , G09F9/30 , H01L29/786 , H01L21/00
CPC classification number: H01L21/76804 , H01L27/12 , H01L27/1244 , H01L27/1248 , H01L27/3248 , H01L27/3262 , H01L29/41733 , H01L51/5209
Abstract: 一种可通过减少接触孔和通孔的圆锥角来降低元件故障的平面显示器。该平面显示器包括：一至少具有源电极和漏电极的薄膜晶体管，其形成于绝缘衬底上；一绝缘层，其具有用于暴露源电极和漏电极之一的通孔；以及一阳极，其通过通孔与上述源电极和漏电极之一连接。通孔和阳极具有60°或更小的圆锥角。源电极和漏电极通过接触孔分别与薄膜晶体管的源极区和漏极区连接。接触孔也具有60°或更小的圆锥角。
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