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公开(公告)号：CN111944320A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010411761.1
申请日：2020-05-15
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 公开了一种用于形成二氧化硅层的组成物、二氧化硅层及电子装置，用于形成二氧化硅层的组成物包含全氢聚硅氮烷和溶剂，其中在CDCl3中的全氢聚硅氮烷的1H-NMR光谱中，当从N3SiH1和N2SiH2导出的波峰称为波峰1且从NSiH3导出的波峰称为波峰2时，比率(P1/(P1+P2))大于或等于0.77，且比率(PA/PB)大于或等于约1.5。P1、P2、PA及PB的定义与说明书中的定义相同。本公开可提供具有极佳层厚度均一性的二氧化硅层。
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公开(公告)号：CN105575775A
公开(公告)日：2016-05-11
申请号：CN201510426921.9
申请日：2015-07-20
Applicant: 三星SDI株式会社
Inventor： 金旼秀 , 宋炫知 , 姜善惠 , 金成旻 , 金瑆焕 , 金永珉 , 金润俊 , 金惠廷 , 南沇希 , 白载烈 , 尹星莉 , 尹龙云 , 李忠宪 , 郑瑟基 , 赵妍熹 , 洪承希 , 黄善民 , 黄元宗 , 李松世 , 金命九 , 刘奈莉
IPC: H01L21/027 , H01L21/308 , G03F1/46 , G03F1/76 , G03F7/00
Abstract: 本发明提供一种层结构及制造其的方法、形成图案的方法以及半导体装置，其中，制造层结构的方法包含通过将包含第一有机化合物的第一组合物涂覆到具有多个图案的衬底上形成第一有机层(S1)；将溶剂涂覆到第一有机层上以去除第一有机层的一部分(S2)；以及将包含第二有机化合物的第二组合物涂覆到其中的一部分被去除的第一有机层上并且经由固化过程形成第二有机层(S3)；从而可制造具有卓越平坦化特征的层结构，且无需单独的回蚀刻制程或化学机械抛光制程。
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公开(公告)号：CN105093833A
公开(公告)日：2015-11-25
申请号：CN201510046738.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。本发明的硬掩模组合物能满足耐蚀刻性，同时确保对于溶剂的可溶性、间隙填充特征以及平面化特征。[化学式1]在以上化学式1中，M1、M2、a以及b与具体实施方式中所定义相同。
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公开(公告)号：CN115703943B
公开(公告)日：2023-12-12
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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公开(公告)号：CN115703943A
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202210845890.0
申请日：2022-07-19
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D5/25 , C09D1/00 , C08G77/62
Abstract: 本发明提供一种用于形成二氧化硅层的组合物、由组合物制造的二氧化硅层以及包含二氧化硅层的电子装置。用于形成二氧化硅层的组合物包含含硅聚合物和溶剂，其中70％浓缩固体含量的粘度与50％浓缩固体含量的粘度之间的差值为400厘泊到2,200厘泊。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110903764A
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201811610012.0
申请日：2018-12-27
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: C09D183/16 , C09D183/14 , C09D1/00
Abstract: 本发明公开一种用于形成二氧化硅层的组合物、一种用于使用所述组合物制造二氧化硅层的方法、一种利用所述方法制造的二氧化硅层以及一种包括所述二氧化硅层的电子装置，所述用于形成二氧化硅层的组合物包含：含硅聚合物，包括聚硅氮烷、聚硅氧氮烷或其组合；以及溶剂，其中所述含硅聚合物具有4,000g/mol到13,000g/mol的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量，且满足方程式1，在方程式1中，A指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为2,700g/mol到9,000g/mol的峰面积，且B指示在凝胶渗透色谱曲线中所述含硅聚合物的换算为聚苯乙烯的重量平均分子量为200g/mol到2,700g/mol的峰面积。[方程式1]0.98≤B/A≤1.24。
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公开(公告)号：CN105093833B
公开(公告)日：2019-09-06
申请号：CN201510046738.6
申请日：2015-01-29
Applicant: 三星SDI株式会社
Abstract: 本发明提供了一种硬掩模组合物和使用所述硬掩模组合物形成图案的方法，所述硬掩模组合物包括聚合物和溶剂，所述聚合物包含由以下化学式1表示的部分。本发明的硬掩模组合物能满足耐蚀刻性，同时确保对于溶剂的可溶性、间隙填充特征以及平面化特征。[化学式1]在以上化学式1中，M1、M2、a以及b与具体实施方式中所定义相同。
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公开(公告)号：CN119439627A
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202410958943.9
申请日：2024-07-17
Applicant: 三星SDI株式会社
IPC: G03F7/16
Abstract: 公开一种形成图案的方法，所述方法包括：在基板上涂覆含金属的抗蚀剂组合物；进行包括干燥和加热的热处理以在基板上形成含金属的抗蚀剂层；使用经图案化的掩模对含金属的抗蚀剂层进行曝光；以及进行包括涂覆显影剂组合物以移除未曝光区的显影从而形成抗蚀剂图案，其中通过利用旋涂机以约100rpm到约1,500rpm的速度涂覆含金属的抗蚀剂组合物达约60秒到约120秒来实行对含金属的抗蚀剂组合物的涂覆，所述加热在约90℃到约200℃的温度下实行约30秒到约120秒，通过辐照极紫外光、波长为约5nm到约50nm的光、或所述极紫外光与所述光的组合来实行对含金属的抗蚀剂层的曝光。
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