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公开(公告)号：JP6164077B2
公开(公告)日：2017-07-19
申请号：JP2013260847
申请日：2013-12-18
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 植田 稔晃
IPC: C01B33/18
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公开(公告)号：JP2016191092A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2015070227
申请日：2015-03-30
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
IPC: C23C14/34
CPC classification number: C23C14/34
Abstract: 【課題】円筒型スパッタリングターゲットを破損することなく、効率良く製造することが可能な円筒型スパッタリングターゲットの製造方法の提供。 【解決手段】焼結体の線膨張係数α M に対して、成形型の線熱膨張係数α D 、及び、中子の線熱膨張係数α C が、α D ≦α M ≦α C の関係となるように、成形型及び中子の材質を設定し、焼結温度T S (℃)に加熱して焼結を行う焼結工程S03と、この焼結工程の後に、成形型から中子を抜き取る中子抜取工程S04と、を有し、中子抜取工程S04における中子抜取温度T R (℃)を、焼結温度T S (℃)に対して、0.5×T S ≦T R ≦1.0×T S の範囲内とする円筒型スパッタリングターゲットの製造方法。 【選択図】図2
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种圆柱形溅射靶的制造方法，其可以有效地制造圆柱形溅射靶而不损坏圆柱形溅射靶。解决方案：圆柱形溅射靶的制造方法包括：烧结步骤S03，用于 模具和芯体，以满足α≤α≤α的关系，其中α为烧结体的线膨胀系数，α为模具的线性热膨胀系数，α为芯的线性热膨胀系数， 通过加热至烧结温度T（℃）进行烧结; 并且在烧结步骤之后，将芯从模具拉出的芯拔出步骤S04。 此外，芯拉出步骤S04中的芯拉出温度T（℃）设定在0.5×T≤T≤1.0×的范围内，相对于烧结温度T（℃）。选择图： 图2
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公开(公告)号：JP5994573B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012239813
申请日：2012-10-31
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 植田 稔晃
IPC: C01B33/113
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公开(公告)号：JP5724881B2
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：JP2011548963
申请日：2010-12-27
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 植田 稔晃
IPC: C01B33/18
CPC classification number: C01B33/158 , C01P2004/03 , C01P2004/30 , C01P2004/54 , C01P2004/61 , C01P2006/12
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：JP6756283B2
公开(公告)日：2020-09-16
申请号：JP2017054998
申请日：2017-03-21
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
IPC: C23C14/34
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公开(公告)号：JP2017146222A
公开(公告)日：2017-08-24
申请号：JP2016028680
申请日：2016-02-18
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Abstract: 【課題】ターゲット材/はんだ層界面における反射波と、はんだ層/バッキング材界面における反射波との時間差が比較的大きくなっても、ターゲット材/はんだ層界面およびはんだ層/バッキング材界面における欠陥の有無を的確に判定することが可能なスパッタリングターゲットの超音波検査方法を提供する。 【解決手段】はんだ層の材質及び厚さは、ターゲット材/はんだ層界面における反射波とはんだ層/バッキング材界面における反射波との時間差が1.0μsec.以上3.5μsec.以下の範囲内となるように規定されており、ターゲット材/はんだ層界面からの反射波を含む第1のゲート時間21における反射波のピーク強度から前記ターゲット材/はんだ層界面における欠陥の有無を判断し、はんだ層/バッキング材界面からの反射波を含む第2のゲート時間22における反射波のピーク強度から前記はんだ層/バッキング材界面における欠陥の有無を判断する。 【選択図】図2
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公开(公告)号：JP2016191142A
公开(公告)日：2016-11-10
申请号：JP2016016122
申请日：2016-01-29
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Abstract: 【課題】製造時や使用時における割れの発生が抑制されるとともに、スパッタ成膜時の異常放電及びパーティクルの発生を抑制することが可能なCu−Ga合金スパッタリングターゲット、及び、このCu−Ga合金スパッタリングターゲットの製造方法を提供する。 【解決手段】Cu−Ga合金からなるCu−Ga合金スパッタリングターゲットであって、炭素濃度が30質量ppm以下とされ、組織観察の結果、粒径10μm以下の結晶粒の占める面積率が5%以上50%以下、粒径100μm以上の結晶粒の占める面積率が1%以上30%以下の範囲内とされていることを特徴とする。 【選択図】なし
Abstract translation: 要解决的问题：提供一种Cu-Ga合金溅射靶，其在生产时间或使用时间内抑制发生裂纹并且能够抑制溅射时间的异常放电和颗粒的发生，并且 制备Cu-Ga合金溅射靶的方法。解决方案：由Cu-Ga合金制成的Cu-Ga溅射靶的特征在于：碳密度为30质量ppm以下; 粒径为10μm以下的晶粒占据的面积比例为5％以上至50％以下; 粒径为100μm以上的面积比为1〜30％。选择图：无
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公开(公告)号：JP5994572B2
公开(公告)日：2016-09-21
申请号：JP2012239811
申请日：2012-10-31
Applicant: 三菱マテリアル株式会社
Inventor： 植田 稔晃
IPC: C01B33/113
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