公开(公告)号：CN116868351A

公开(公告)日：2023-10-10

申请号：CN202180093557.2

申请日：2021-02-17

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今村谦 ,  桧座秀一 ,  西村邦彦

IPC: H01L29/812

Abstract: 本公开的目的在于，在作为基板具有金刚石的氮化物半导体装置中低成本地得到期望的高频特性。在本公开所涉及的氮化物半导体装置(101)中，设置从金刚石层(11)的第1主面(S1)贯通金刚石层(11)、中间层(12)以及氮化物半导体层(13)而到达电极(14)的通路孔(16)。通路孔(16)是具有与金刚石层(11)的第1主面(S1)相接的大口径通路孔(16b)和面对电极(14)且比大口径通路孔(16b)小径并且锥形形状的小口径通路孔(16a)的多级构造。

公开(公告)号：CN115997284A

公开(公告)日：2023-04-21

申请号：CN202080105006.9

申请日：2020-09-18

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 今村谦 ,  藤川正洋 ,  西村邦彦 ,  柳生荣治

IPC: H01L23/373

Abstract: 提供能够降低用于抑制翘曲的成本的多晶金刚石基板。为此，多晶金刚石基板为具有第1主面及第2主面的多晶金刚石基板，且与第1主面及第2主面的平均粒径相比平均粒径小的面位于第1主面与第2主面之间。

公开(公告)号：CN115668456A

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN202080101066.3

申请日：2020-05-25

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 西村邦彦 ,  藤川正洋 ,  桧座秀一 ,  西村慎也 ,  今村谦 ,  滝口雄贵 ,  柳生荣治

IPC: H01L21/301

Abstract: 抑制在切割通路中的半导体膜中产生龟裂。半导体装置具备：第1切割通路，通过多个保护膜的各个保护膜被形成的多个元件区域之间，并且沿着第1轴延伸；第2切割通路，通过多个元件区域之间，并且沿着第2轴延伸；以及阻挡岛，位于第1切割通路和第2切割通路的交叉部中的半导体膜的上表面，并且不与多个元件区域接触。满足X_si>X_ds并且Y_si

公开(公告)号：CN103426952A

公开(公告)日：2013-12-04

申请号：CN201310005029.4

申请日：2013-01-08

Applicant: 三菱电机株式会社

Inventor： 屋敷保聪 ,  折田泰 ,  今村谦

IPC: H01L31/048 ,  H01L31/02 ,  H01L31/18

CPC classification number: Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 本发明涉及薄膜太阳能电池模块及其制造方法，其中薄膜太阳能电池模块在透光性绝缘基板上，具备依次包括表面透明导电膜、由半导体层构成的光电变换层以及背面金属电极的多个薄膜太阳能电池单元，邻接的薄膜太阳能电池单元中的一方的薄膜太阳能电池单元的背面金属电极和另一方的薄膜太阳能电池单元的表面透明导电膜连接而多个薄膜太阳能电池单元串联电连接，其特征在于，在透光性绝缘基板上的薄膜太阳能电池单元的形成区域外的平坦的区域中具有形成了与薄膜太阳能电池单元相同的层叠构造的外部层叠区域，在外部层叠区域的一部分中，具备通过从背面金属电极的上表面到达透光性绝缘基板的分离槽而与外部层叠区域中的其它区域分离的检查区域。