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公开(公告)号：CN106191997B
公开(公告)日：2019-01-22
申请号：CN201610882920.X
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚(20)、加热坩埚的加热器(33,43)和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元(42)。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN104047052B
公开(公告)日：2018-10-19
申请号：CN201410085887.9
申请日：2014-03-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法，该半导体装置用硅部件为由单向凝固硅制成，同时又能发挥与由单晶硅制成的部件几乎相同的性能，且即使体积比较庞大也能够制作的半导体装置用硅部件。该半导体装置用硅部件由切下柱状晶硅锭而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从多个籽晶中分别生长出单晶而获得。
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公开(公告)号：CN103903952A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201310733719.1
申请日：2013-12-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: H01J37/32798 , C01B33/02 , H01J37/32467 , H01J37/32495 , H01J37/3255
Abstract: 本发明提供一种等离子蚀刻装置用硅部件及等离子蚀刻装置用硅部件的制造方法，所述硅部件即使配置在等离子蚀刻装置的反应室内部，也不会因等离子蚀刻而提前损耗，且能够抑制粒子的产生。本发明的等离子蚀刻装置用硅部件，其在等离子蚀刻装置的反应室内部使用，所述硅部件的特征在于，由多晶硅、准单晶硅或单晶硅中的任一种构成，含有1×1018atoms/cc以上1×1020atoms/cc以下的范围内的硼作为掺杂剂。
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公开(公告)号：CN103498195A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310059341.1
申请日：2013-02-26
Applicant: 三菱综合材料株式会社
CPC classification number: B22D21/02 , B22D23/06 , B22D27/00 , C30B11/002 , C30B28/06 , C30B29/06 , F27D2003/166 , F27D2003/167 , F27D2027/002
Abstract: 本发明涉及一种铸造装置及铸造方法，能够分别减少低寿命区域及杂质量，难以产生坩埚的结渣问题，通过理想的单向凝固来制造铸锭。铸造装置具备收容熔融物且上部具有开口部的坩埚（20）、加热坩埚的加热器（33,43）和对坩埚内的上部供给惰性气体的惰性气体供给单元（42）。惰性气体供给单元具备延伸至坩埚内的上部并在前端部设置有气体吐出口的气体通道。气体吐出口设置为从该气体吐出口吐出的惰性气体的流动平行于坩埚内的熔融物表面。
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公开(公告)号：CN113272977B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN201980084281.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
IPC: H10N10/851 , C01B33/06 , C04B35/58
Abstract: 一种热电转换材料，其由将硅化镁作为主成分的烧结体组成，其特征在于，具有硅化镁相(12)及形成于该硅化镁相(12)的表层的镁氧化物层(13)，在镁氧化物层(13)与硅化镁相(12)之间形成有Al浓度比硅化镁相(12)内部高的铝浓缩层(14)，铝浓缩层(14)具有由铝或铝合金组成的金属铝相(15)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118335943A
公开(公告)日：2024-07-12
申请号：CN202410454804.2
申请日：2021-02-22
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01M4/36 , H01M4/38 , H01M4/587 , H01M4/62 , H01M10/0525 , H01M10/058
Abstract: 本发明提供性能得到提高的负极材料、电池、负极材料的制造方法及电池的制造方法。负极材料是电池的负极材料，包括：碳；设置在碳的表面的三氧化钨；和设置在碳的表面的硅。
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公开(公告)号：CN113272977A
公开(公告)日：2021-08-17
申请号：CN201980084281.4
申请日：2019-11-12
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 一种热电转换材料，其由将硅化镁作为主成分的烧结体组成，其特征在于，具有硅化镁相(12)及形成于该硅化镁相(12)的表层的镁氧化物层(13)，在镁氧化物层(13)与硅化镁相(12)之间形成有Al浓度比硅化镁相(12)内部高的铝浓缩层(14)，铝浓缩层(14)具有由铝或铝合金组成的金属铝相(15)。
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公开(公告)号：CN108780833A
公开(公告)日：2018-11-09
申请号：CN201780016515.2
申请日：2017-03-17
Applicant: 三菱综合材料株式会社
IPC: H01L35/14 , B22F3/10 , B22F3/14 , B22F3/15 , B22F3/17 , B22F3/20 , B22F7/06 , C22C13/00 , C22C23/00 , H01L35/26 , H01L35/34
Abstract: 本发明的镁系热电转换材料的特征在于，由Mg2Si构成的第一层和由Mg2SixSn1-x构成的第二层直接接合，其中，x为0以上且小于1，所述第二层在与所述第一层的接合面和接合面附近具有锡浓度过渡区域，在所述锡浓度过渡区域中，越远离所述接合面，锡浓度越增加。在此，接合面设为锡浓度在EDX测定中成为检测限以下的部位。
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公开(公告)号：CN102691101B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201210074025.7
申请日：2012-03-20
Applicant: 三菱综合材料株式会社 , 三菱材料电子化成株式会社
CPC classification number: Y02E10/50
Abstract: 本发明提供一种硅锭制造装置、硅锭的制造方法及硅锭、硅晶圆、太阳能电池和硅零件，所述硅锭制造装置能够制造杂质量较少且结晶的成长方向稳定的硅锭。硅锭制造装置具备有保持硅熔液的坩埚、加热该坩埚的加热器及朝向所述坩埚内供给惰性气体的惰性气体供给构件，所述硅锭制造装置特征在于，具有载置于所述坩埚上的盖，所述盖具有：载置部，载置于所述坩埚的侧壁上面；檐部，从所述坩埚的侧壁外边向外侧突出；及开口部，沿厚度方向贯穿，所述檐部配设于所述坩埚的侧壁上端的10％以上区域的外周侧，且从所述侧壁上端外边的突出长度成为50mm以上，所述开口部配设成所述坩埚的侧壁上端面的50％以上的区域相对于所述加热器露出。
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公开(公告)号：CN104047052A
公开(公告)日：2014-09-17
申请号：CN201410085887.9
申请日：2014-03-10
Applicant: 三菱综合材料株式会社
Inventor： 中田嘉信
Abstract: 本发明提供一种半导体装置用硅部件及半导体装置用硅部件的制造方法，该半导体装置用硅部件为由单向凝固硅制成，同时又能发挥与由单晶硅制成的部件几乎相同的性能，且即使体积比较庞大也能够制作的半导体装置用硅部件。该半导体装置用硅部件由切下柱状晶硅锭而制成，所述柱状晶硅锭通过在坩埚底部配置由单晶硅板构成的多个籽晶，并单向凝固坩埚内的熔融硅，从而从多个籽晶中分别生长出单晶而获得。
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