-
公开(公告)号：CN108292598A
公开(公告)日：2018-07-17
申请号：CN201680069784.0
申请日：2016-10-20
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , H01L21/302 , H01L21/3065
CPC classification number: H01L21/302 , H01L21/304 , H01L21/3065
Abstract: 本发明提供一种基板处理装置的腔室清洁方法，对具有腔室(1)、在腔室(1)内保持被处理基板(W)的台(4)、以及向被处理基板(W)照射气体团束的喷嘴部(13)、并具有利用气体团束处理被处理基板(W)的功能的基板处理装置的腔室(1)内实施清洁时，在腔室(1)内设置规定的反射部件(dW、60)，向反射部件(dW、60)照射气体团束(C)，使被反射部件(dW、60)反射的气流碰撞腔室(1)的壁部，而除去附着于腔室(1)的壁部的颗粒(P)。
-
公开(公告)号：CN103049008B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：CN201210384397.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158
Abstract: 本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。
-
公开(公告)号：CN101547549B
公开(公告)日：2013-01-02
申请号：CN200810189270.6
申请日：2008-12-30
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 国立大学法人名古屋大学
CPC classification number: H05H1/46 , H05H2001/4622 , H05H2240/10 , H05H2245/123 , Y10T428/31678
Abstract: 本发明提供可只对配管等具有足够长的环状构件、具有复杂内部形状的构件的内表面进行成膜处理的等离子体处理装置和方法、及用该方法处理后的被处理体。该等离子体处理装置包括：用于产生电磁波的电磁波产生源；将上述电磁波引导到等离子体点火区域的电磁波引导部；利用被引导到上述等离子体点火区域的电磁波在内部空间内对电磁波激励等离子体点火的电介质制的真空容器；具有与上述真空容器真空连接的内部空间的被处理体；对上述被处理体施加用于在上述被处理体的内表面上形成衬层的规定电压的电压施加部件，该等离子体处理装置用由形成在上述被处理体的内表面上的衬层引导到上述被处理体的内部的电磁波激励等离子体来处理上述被处理体的内表面。
-
公开(公告)号：CN101284199B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200810091619.2
申请日：2008-04-09
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: B01D46/00 , H01L21/205
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C14/564 , Y10S55/15
Abstract: 本发明涉及的气体供给系统，包括：设置于向半导体制造装置供给气体的气体供给通路的气体过滤器；和设置在所述气体供给流路的比所述气体过滤器的配设位置更靠下游侧的位置，使所述气体供给流路内流通的气体所包含的挥发性金属成分液化并去除的金属成分去除器。由此，在通过气体供给流路向半导体制造装置供给腐蚀性气体时，防止通过气体过滤器无法去除的挥发性金属成分的混入。
-
公开(公告)号：CN101256940A
公开(公告)日：2008-09-03
申请号：CN200810082230.1
申请日：2008-02-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社
CPC classification number: C23C16/4402 , C23C16/4404 , C23C16/45561 , C30B25/14 , C30B31/16 , H01J37/3244 , Y02E60/34
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置的气体供给系统和气体供给集成单元。气体供给系统用于从气体供给源向半导体制造装置的处理部供给规定的气体。该气体供给系统具有与气体供给源和处理部连接的气体供给流路。气体供给流路包括多个流体控制设备(手动阀、减压阀、压力计、单向阀、第一截止阀、第二截止阀、质量流量控制器、气体过滤器)，和连接在这些流体控制设备之间、形成有气体的流路的流路构成部件(流路块)。这些流路构成部件由碳材料构成。由此，在向处理部供给腐蚀性气体时，能够极力抑制相对被处理基板的金属性污染物质的混入。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103049008A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201210384397.X
申请日：2012-10-11
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0635 , G01F1/68 , G01F5/00 , Y10T137/7759 , Y10T137/7761 , Y10T137/8158
Abstract: 本发明提供一种流量控制装置以及处理装置。在控制流向气体通路的气体流量的流量控制装置中，具备：主气体管；检测流向该主气体管的气体的流量，输出流量信号的流量检测单元；控制流量的流量控制阀机构；存储用于表示从外部输入的流量指示信号与目标流量的关系的、与多个气体种类对应的多个换算数据的换算数据存储部；基于从外部输入的气体种类选择信号，从多个换算数据中选择对应的换算数据，并且基于流量指示信号求出上述目标流量，并基于目标流量与流量信号控制流量控制阀机构的流量控制主体。
-
公开(公告)号：CN101680561B
公开(公告)日：2011-12-21
申请号：CN200880017711.2
申请日：2008-05-26
Applicant: 东京毅力科创株式会社 , 株式会社富士金
IPC: F16K27/00 , H01L21/02 , F17D1/04 , C23C16/455
CPC classification number: F16K27/003 , Y10T137/598 , Y10T137/87885 , Y10T137/87917
Abstract: 本发明提供一种流体控制装置，能够实现零件数量的削减和组装作业效率的提高。相对的拆卸频率较高的压力显示器(4)通过来自上方的螺钉部件(17)与位于下方的基座块(5)结合。相对的拆卸频率较低的开闭阀(6)在下方具有一体设置的块状主体(6a)。开闭阀(6)的主体(6a)被前后方向上的螺钉部件(18)结合在基座块(5)上。
-
公开(公告)号：CN101409213B
公开(公告)日：2011-06-01
申请号：CN200810161356.8
申请日：2008-09-23
Applicant: 东京毅力科创株式会社
Inventor： 守谷修司
IPC: H01L21/00 , C23C16/455
Abstract: 本发明提供与现有技术比较，能够减少由气体供给装置产生金属杂质的可能性，实现提高生产率的气体供给装置，半导体制造装置和气体供给装置用部件。气体供给装置(1)的连接用座体(22)由耐腐蚀性座体部件(22a)和金属制座体部件(22b)构成，其中耐腐蚀性座体部件(22a)，由对气体具有耐腐蚀性的陶瓷或贵金属构成、并且构成与气体接触的接触气体部；金属制座体部件(22b)，具有用于嵌合耐腐蚀性座体部件(22a)的嵌合孔(28)、并且保护所述耐腐蚀性座体部件(22a)。
-
公开(公告)号：CN101032008A
公开(公告)日：2007-09-05
申请号：CN200680000931.5
申请日：2006-06-28
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/324 , H01L21/02 , H01L21/205 , G01F1/00 , G05D7/06
CPC classification number: G05D7/0658 , C23C16/455 , C23C16/45561 , C23C16/52
Abstract: 本发明提供一种半导体制造装置，能够正确地检测基于基板处理时实际产生的热虹吸现象的零点漂移量并进行可靠修正，包括：将气体供给到热处理部(110)内的气体供给路(210)，比较来自检测气体供给路的气体流量的检测部的输出电压与对应于预先设定的设定流量的设定电压，控制气体供给路的气体流量为设定流量的MFC(240)和控制部(300)，控制部实行基板处理前预先至少利用基板处理时使用的气体置换MFC内并在关闭设置在MFC上游侧与下游侧的截止阀(230、250)的状态下检测来自MFC的输出电压并储存于存储装置，在实行基板处理时基于储存于存储装置的MFC的输出电压修正对应于基板处理时使用气体的气体流量的设定电压，在MFC中设定修正的设定电压。
-
公开(公告)号：CN108369905A
公开(公告)日：2018-08-03
申请号：CN201680071744.X
申请日：2016-10-25
Applicant: 东京毅力科创株式会社
IPC: H01L21/304 , C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302
CPC classification number: C23C14/02 , C23C16/02 , H01L21/302 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及基板清洗装置。对晶圆(W)照射气体团簇从而清洗晶圆(W)的基板清洗装置(100)具有：腔室(1)，其收容晶圆(W)；旋转台(4)，其在腔室(1)内将晶圆(W)支承为能够旋转；喷嘴部(13)，其对支承到旋转台(4)的晶圆(W)照射气体团簇；喷嘴移动部件(10)，其对气体团簇在晶圆(W)上的照射位置进行扫描；排气口(32)，其用于对腔室(1)进行排气；以及控制机构(50)，其以对晶圆(W)的基于旋转台(4)的旋转方向和气体团簇的照射位置的扫描方向进行控制来抑制颗粒再附着于晶圆(W)的方式，控制颗粒的飞散方向。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
26
records
(took 0.033 seconds)
