公开(公告)号：CN109911929B

公开(公告)日：2021-09-28

申请号：CN201910253135.1

申请日：2019-03-29

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  钟祥熙 ,  李停停 ,  赵思凯 ,  卢瑞 ,  崔宝玉 ,  魏德洲 ,  张云海 ,  魏可峰

IPC: C01G19/02 ,  B01J23/42 ,  G01N27/12

Abstract: 一种Pt为催化剂制备SnO2纳米材料的方法和应用，属于金属氧化物半导体材料的气体传感器领域。一种Pt为催化剂制备的SnO2纳米材料，所述SnO2纳米材料呈梳状结构，围绕主干表面密集生长有纳米线；所述纳米材料是由金红石四方相晶体结构的SnO2构成；主干直径为100～500nm，长度为100～500μm，纳米线的直径为80～200nm，长度为400nm～2μm。本发明H2S气体传感器在较低工作温度下获得对H2S气体最大的灵敏度，具有快速的响应和恢复速度，检测下限为500ppb，对H2S有优异的选择性。该发明克服了现有H2S气体传感器工作温度过高、响应恢复速度慢、选择性差等不足，有良好的应用前景。

公开(公告)号：CN110243881B

公开(公告)日：2020-07-31

申请号：CN201910640005.3

申请日：2019-07-16

Applicant: 东北大学

Inventor： 沈岩柏 ,  李国栋 ,  钟祥熙 ,  李昂 ,  卢瑞 ,  殷尧禹 ,  刘文刚 ,  魏德洲 ,  张云海

IPC: G01N27/12

Abstract: 本发明公开了一种基于rGO‑SnO2纳米复合材料的NO2气敏元件及其制备方法，属于石墨烯‑金属氧化物复合材料气敏元件技术领域。所述气敏元件主要由电极元件和均匀涂覆在电极元件上的rGO‑SnO2纳米复合材料组成，所述rGO‑SnO2纳米复合材料的微观形貌为在还原氧化石墨烯片层上均匀生长着SnO2纳米球，所述SnO2纳米球直径为40～70nm，为四方锡石相结构。本发明采用一步水热法制备出比表面积大、电阻率低、分散性良好的rGO‑SnO2纳米复合材料，然后将rGO‑SnO2纳米复合材料作为气敏涂层制备出NO2气敏元件。该气敏元件有效地解决了传统NO2气敏元件工作温度较高及石墨烯类气敏元件灵敏度较低、恢复时间较长等问题，具有较好的应用价值和发展前景。