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公开(公告)号:CN114200504A
公开(公告)日:2022-03-18
申请号:CN202111517466.5
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G01T1/29
Abstract: 本发明公开了用于模拟β辐射源的电子束发生器及测试方法,电子束发生器包括电子光学系统,所述电子光学系统包括电子枪、正极、一级磁透镜和二级磁透镜;所述电子枪用于在尖端发射电子,所述电子枪与电压范围为0‑60kV的高压电源连接;所述正极设置在电子枪后端;用于加速在尖端发射的电子;所述一级磁透镜设置在正极后端,用于汇聚加速后的电子;所述二级磁透镜设置在一级磁透镜后端,用于将过焦点再次发散的电子束变成平行电子束。本发明所述电子束发生器不仅能够模拟β辐射源,且能够可产生能量密度不同的加速电子面光源,能够提高束流测量的准确性。
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公开(公告)号:CN114188063A
公开(公告)日:2022-03-15
申请号:CN202111517481.X
申请日:2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了基于纳米管阵列的肖特基结及其制备方法和β核电池,肖特基结的制备方法包括以下步骤:S1、制备TiO2纳米管阵列:将钛片进行预处理,然后依次经过第一次阳极氧化、第二次阳极氧化和退火处理,获得TiO2纳米管阵列;阳极氧化以钛片作为阳极,铂片作为阴极,采用的电解液包括氟化铵、乙二醇和水;S2、采用ALD法在步骤S1制备TiO2纳米管阵列表面沉积β辐射源层。本发明解决了现有肖特基结的辐射源利用率较低,且制备成的β电池能量转换效率较低的问题。
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