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公开(公告)号：CN118584528A
公开(公告)日：2024-09-03
申请号：CN202410663568.5
申请日：2024-05-27
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种用于63Ni电镀源表面发射率测量的法拉第筒，属于放射源表面发射率测量技术领域，解决现有技术中缺少针对63Ni电镀源的法拉第筒测量设备的技术问题；本发明包括设在真空腔室内的支撑筒，以及固定在支撑筒上的双层法拉第套筒、电镀源安装架和二次电子抑制装置，所述双层法拉第套筒包括内层的法拉第筒收集极和外层的法拉第筒屏蔽壳，所述法拉第筒收集极底部布满锯齿结构，所述电镀源安装架设在支撑筒顶部并向下延伸到法拉第筒收集极内部，所述二次电子抑制装置套接在电镀源安装架外；本发明实现了对于直径为1～80mm高活度63Ni电镀源表面发射率的稳定测量工作，具有测量快速、稳定好，操作简单，使用方便的特点。
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公开(公告)号：CN114203330A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518716.7
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
Abstract: 本发明公开了一种超薄镍‑63辐射源及其制备方法、应用，制备方法包括以下步骤：S1、制备镍源：先制备Ni纳米颗粒，然后将制备的Ni纳米颗粒分散于乙醇/丙酮溶液中；S2、制备PMMA/石墨烯薄膜；S3、将步骤S2制备的PMMA/石墨烯薄膜置于磁场中，然后将步骤S1制备的镍源滴涂于PMMA/石墨烯薄膜表面，在外磁场的诱导下，Ni纳米粒子沿着磁力线方向定向排列，待乙醇/丙酮挥发后，撤去外磁场；S4、去除PMMA获得超薄镍‑63辐射源。采用本发明所述制备方法所制备的镍‑63辐射源厚度可降至1μm左右，且薄膜完整可自支撑，组成薄膜的纳米粒子在外加磁场的作用下可实现定向排列。
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公开(公告)号：CN114203328A
公开(公告)日：2022-03-18
申请号：CN202111518664.3
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了基于ZnO纳米线阵列的三维MIS结构及其制备方法及β核电池，制备方法包括以下步骤：S1、水热生长ZnO纳米线阵列：采用由硝酸锌和六亚甲基四胺组成的生长溶液，通过水热反应在目标基底上形成ZnO纳米线阵列；S2、采用ALD法在步骤S1制备的ZnO纳米线阵列表面沉积绝缘层；S3、采用ALD法在步骤S2制备的绝缘层表面沉积辐射源层。通过本发明所述制备方法制备的三维MIS结构不仅能够提高辐射源与换能器件的接触面积，进而提高辐射源的利用率，且辐射源可作为肖特基结的金属材料，从而简化了电池结构。
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公开(公告)号：CN114188064A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111518719.0
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/06
Abstract: 本发明公开了一种PIN结β核电池及其制备方法和电池组，制备方法包括以下步骤：S1、在蓝宝石衬底上，通过金属有机化学气相沉积生长GaN外延片，获得蓝宝石基底的p‑i‑n型GaN薄膜；S2、采用激光剥离去除蓝宝石衬底获得p‑i‑n型GaN薄膜；S3、将步骤S2获得的p‑i‑n型GaN薄膜制备成GaN基p‑i‑n二极管；S4、将步骤S3获得的GaN基p‑i‑n二极管与β辐射源薄膜组装形成PIN结β核电池。通过本发明所述方法制备的GaN基p‑i‑n二极管的整体厚度可降至10～100μm，能够降低PIN结β核电池的厚度。
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公开(公告)号：CN114188062A
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN202111537071.1
申请日：2021-12-13
Applicant: 中国核动力研究设计院
IPC: G21H1/04
Abstract: 本发明公开了大功率堆叠β核电池、双端二氧化钛β核电池及制备方法，大功率堆叠β核电池，由若干换能单元逐级堆叠形成，所述若干换能单元包括双端TiO2纳米管阵列薄膜，所述双端TiO2纳米管阵列薄膜的一端设置有辐射源薄膜；所述双端TiO2纳米管阵列薄膜包括钛片，所述钛片的两端均通过阳极氧化法生长形成TiO2纳米管阵列薄膜。本发明由阳极氧化法制备的双端TiO2纳米管阵列薄膜结合超薄辐射源得到超薄β核电池器件极大的降低了器件重复单元的厚度；利用本发明得到的TiO2基堆叠β核电池厚度可控，功率密度大幅提高，应用范围广泛。
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