-
公开(公告)号：CN103021985A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201110281248.6
申请日：2011-09-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L23/488 , G01L1/18 , G01K7/18 , H01L21/66
CPC classification number: H01L2224/10 , H01L2224/48091 , H01L2924/00014
Abstract: 本发明涉及待测传感器芯片的电学引出结构及其应用。所述待测传感器芯片（16）上设有焊盘（9）以及位于焊盘（9）上的金属焊点（10）；该电学引出结构还包括设有焊盘和互连线的柔性基板（14），所述待测传感器芯片通过金属焊点（10）倒装焊于柔性基板（14）的焊盘上；通过柔性基板（14）的焊盘由焊线（15）实现电学引出。本发明通过采用柔性基板实现应力/温度传感器的电学引出，然后将已实现电学引出的传感器作为模拟芯片采用待测封装技术进行封装，通过测量封装前后的应力变化就可以得到该封装技术引入的应力。柔性基板电学引出的方法解决了封装用应力传感器难以实现封装前标定的问题。该传感器还可用于封装应力和温度的实时在线测量。
-
公开(公告)号：CN101567394B
公开(公告)日：2011-04-20
申请号：CN200910052205.3
申请日：2009-05-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L29/808 , B81B7/02 , B81C1/00 , H01L21/337 , G01B7/02
Abstract: 本发明涉及一种垂直环绕删结型场效应晶体管、制作方法及应用。所述的场效应管包括源区、漏区、环绕栅、敏感栅、沟道以及源漏区压焊块或金属引线组成，其中源区和漏区通过沟道连接，敏感栅和环绕栅相连，环绕栅包围沟道的上、左、右三面，沟道是垂直的；沟道与环绕栅形成一个Pn结；源、漏区通过压焊块或金属引线与外电路实现电学连接。所述的场效应晶体管与敏感结构制作在SOI硅片的顶层硅上，采用微机械加工方法同时制成。通过电容耦合实现对敏感结构的位移检测。
-
公开(公告)号：CN100573071C
公开(公告)日：2009-12-23
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
-
公开(公告)号：CN100530636C
公开(公告)日：2009-08-19
申请号：CN200710048038.6
申请日：2007-11-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L25/00 , H01L25/065 , H01L23/498 , H01L21/50 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC classification number: H01L2224/16225 , H01L2224/32225 , H01L2224/73204 , H01L2924/15159 , H01L2924/15311 , H01L2924/19106 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提出了一种基于印制电路板实现三维立体高密度封装的多芯片模块结构(3D-MCM)。在封装基板上加工制作出独特的腔体结构，用于放置芯片和分布电路连接走线，从而形成立体封装结构。回型球栅阵列(BGA)的引脚输出形式的设计，既满足了对模块I/O数目的要求又为腔体的设计提供了空间。多个芯片的互连采用了传统的引线键合和新型的芯片倒装方法相结合的方式。这种多芯片模块集多种封装技术于一体，有效地提高了封装密度，减少了封装尺寸，缩短了互连距离。
-
公开(公告)号：CN101251426A
公开(公告)日：2008-08-27
申请号：CN200710173683.0
申请日：2007-12-28
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提出了一种MOS电容衬底的压阻结构及检测方法，以实现对纳米厚度梁的弯曲的压阻检测。本发明是在半导体纳米厚度梁上制作MOS电容结构。检测时在MOS电容上施加电压使MOS电容下纳米梁中形成强反型层与空间电荷区。不导电的空间电荷区使其下方的衬底电阻相对于梁中性面不对称，可以作为力敏电阻用于纳米梁的弯曲的测量。由于形成强反型层后，空间电荷区达到最大深度，MOS电容衬底力敏电阻的阻值不随栅极电压变化而变化，避免了现有的MOS沟道压阻结构中因负反馈引起的灵敏度下降，并且抗干扰能力强。提供的MOS电容衬底压阻结构也避免了纳米梁上制作力敏电阻所必需解决的重掺杂浅结制作难题。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108615704B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810261142.1
申请日：2018-03-27
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/768 , H01L23/528
Abstract: 本发明涉及一种硅通孔互连的制作工艺，包括以下步骤：S1，在硅圆片的盲孔中形成多晶硅填充结构，在多晶硅填充结构的第一表面形成阻挡层结构；S2，减薄该硅圆片，使得该盲孔形成为硅通孔结构；S3，在多晶硅填充结构的与第一表面相对的第二表面形成金属电极结构；S4，在金属电极结构上形成金凸点；S5，加热硅圆片，使得金与多晶硅填充结构在硅通孔结构中形成金硅合金结构。本发明还涉及一种由此形成的硅通孔互连结构。本发明又涉及一种硅通孔互连结构的应用。根据本发明的硅通孔互连的制作工艺、由此形成的硅通孔互连结构及其应用，结合了多晶硅TSV孔径小的优点，降低了硅通孔互连结构的寄生电阻。
-
公开(公告)号：CN108168580B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
-
公开(公告)号：CN106935526B
公开(公告)日：2019-08-30
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
-
公开(公告)号：CN108168580A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711395423.8
申请日：2017-12-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种用于硅基MEMS电容式传感器的防静电结构，该传感器具有固定的第一敏感电极和可动的第二敏感电极，其中，所述防静电结构包括分别连接在所述第一敏感电极与一地电极之间、所述地电极与一输出电极之间、所述输出电极与所述第二敏感电极之间的三个多晶硅结构层，其中，每个多晶硅结构层与其相邻的两个电极构成一对背靠背二极管。本发明能够保证电容式传感器两电极在非工作状态下不被吸合或击穿，同时又不会对传感器的正常工作产生影响。
-
公开(公告)号：CN106935526A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201511028246.0
申请日：2015-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/66 , H01L21/768
Abstract: 本发明提供一种用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器结构及其制备方法，包括以下步骤：1）提供硅片衬底，在硅片衬底内形成环形深槽；2）在硅片衬底表面及环形深槽侧壁形成第一绝缘层；3）在环形深槽内形成多晶硅电阻，并在环形深槽内及硅片衬底表面形成多晶硅引线；4）在多晶硅电阻及多晶硅引线表面形成第二绝缘层；5）在多晶硅电阻上方的环形深槽内形成多晶硅填充料层；6）在位于硅片衬底表面的多晶硅引线表面形成金属压焊块。本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器，适于硅通孔互连应力的测试与监控，测试原理简单，便于操作，测试精准度高；本发明的用于硅通孔互连的多晶硅应力传感器的制备方法工艺步骤简单，利于产业化生产。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
33
records
(took 0.05 seconds)
