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公开(公告)号：CN102426343A
公开(公告)日：2012-04-25
申请号：CN201110254091.8
申请日：2011-08-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G01R33/035
Abstract: 本发明涉及一种基于SQUID偏置电压反转的读出电路及低频噪声的抑制方法，其特征在于通过偏置反转电路，实现偏置反转，从而抑制低频噪声的产生，具体是所述的读出电路是由SBC构型SQUID低温部分和偏置反转读出电路两部分构成。抑制方法主要过程包括：(1)放大器输入偏置电压调整；(2)交流方法偏置电压加在；(3)磁通相位调整与直流磁通补偿；(4)载波消除；(5)积分反馈输出。本发明所涉及的电路结构相对简单，便于多通道集成，可广泛应用于生物磁、物探等低频测量。
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公开(公告)号：CN104726845B
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：CN201510098675.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02527 , C01B32/182 , C01B2204/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种h‑BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h‑BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h‑BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h‑BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h‑BN上制备形貌可控的石墨烯纳米带，解决了长期以来石墨烯难以在绝缘衬底上形核生长的关键问题，避免了石墨烯转移及裁剪加工成纳米带等复杂工艺将引入的一系列问题。另外，本发明还具有以下优点：一方面可以提高石墨烯质量实现载流子高迁移率，另一方面通过控制石墨烯形貌如宽度、边缘结构实现调控石墨烯的电子结构，在提高石墨烯性能的同时，简化了石墨烯制备工艺，降低生产成本，以便于石墨烯更广泛地应用于电子器件的制备。
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公开(公告)号：CN104803380B
公开(公告)日：2017-02-22
申请号：CN201510239652.5
申请日：2015-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B32/19
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，以天然石墨或人造石墨为原料，在水相环境下进行边缘氧化插层，不破坏面内石墨结构，增大石墨片边缘层间距离，采用气泡剥离法对其进行剥离，从边缘逐渐扩大石墨片层之间的层间距离，使石墨片层间相互脱离，达到剥离效果，获得水溶性的石墨烯。本发明操作流程简单、安全、无污染，制得的石墨烯质量高；由于本发明获得的石墨烯具有水溶性、完美结构和可控尺寸的优点，因此本发明可应用于透明导电薄膜、导热胶、导电浆料、高阻隔复合材料等领域。
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公开(公告)号：CN103935998B
公开(公告)日：2016-04-13
申请号：CN201410196389.1
申请日：2014-05-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明公开了一种石墨烯水溶液的制备方法，其特征在于利用石墨烯量子点作为分散剂，在水溶液中与石墨烯片发生非共价结合，促进石墨烯在水中的分散，从而获得可稳定分散的石墨烯水溶液。本发明的技术方案包括以下步骤：(1)制备石墨烯粉体、石墨烯量子点水的混合物，得到石墨烯悬浊液；(2)机械分散上述混合物，获得稳定的石墨烯水溶液。与现有石墨烯水溶液的制备技术相比，本发明充分利用石墨烯量子点在水中良好的分散性，辅助分散在水中难以分散的石墨烯粉体，获得稳定分散的石墨烯水溶液，工艺简单。克服了以往在水中分散石墨粉体中必须引入表面活性剂和聚合物等难以去除的难题，非常适合石墨烯水溶液的批量生产。
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公开(公告)号：CN105405965A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510908225.1
申请日：2015-12-09
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L43/065 , G01R33/0052 , H01L43/14
Abstract: 本发明提供一种高灵敏度石墨烯磁场传感器及其制备方法。涉及半导体技术领域，以干法转移的方法形成h-BN—石墨烯—h-BN的霍尔器件作为磁场传感器的核心结构，可以避免湿法转移工艺及图形化刻蚀、金属沉积工艺等对材料晶格造成的污染与破坏；以h-BN作为衬底及封装层，有利于维持石墨烯载流子迁移率，并保护器件避免吸附空气中的O2、H2O及微粒，以提高器件电学性能；此外石墨烯与金属电极之间采用一维线接触的方式连接，将大大降低器件的接触电阻及功耗。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104803380A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510239652.5
申请日：2015-05-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: C01B31/04
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的制备方法，以天然石墨或人造石墨为原料，在水相环境下进行边缘氧化插层，不破坏面内石墨结构，增大石墨片边缘层间距离，采用气泡剥离法对其进行剥离，从边缘逐渐扩大石墨片层之间的层间距离，使石墨片层间相互脱离，达到剥离效果，获得水溶性的石墨烯。本发明操作流程简单、安全、无污染，制得的石墨烯质量高；由于本发明获得的石墨烯具有水溶性、完美结构和可控尺寸的优点，因此本发明可应用于透明导电薄膜、导热胶、导电浆料、高阻隔复合材料等领域。
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公开(公告)号：CN104726845A
公开(公告)日：2015-06-24
申请号：CN201510098675.9
申请日：2015-03-05
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
CPC classification number: H01L21/02527 , C01B32/182 , C01B2204/06 , H01L21/02389 , H01L21/0243 , H01L21/0259 , H01L21/0262 , H01L21/02658
Abstract: 本发明提供一种h-BN上石墨烯纳米带的制备方法，包括：1）采用金属催化刻蚀方法于h-BN上形成具有纳米带状沟槽结构的h-BN沟槽模板；2）采用化学气相沉积方法于所述h-BN沟槽模板中的生长石墨烯纳米带。本发明采用CVD方法直接在h-BN上制备形貌可控的石墨烯纳米带，解决了长期以来石墨烯难以在绝缘衬底上形核生长的关键问题，避免了石墨烯转移及裁剪加工成纳米带等复杂工艺将引入的一系列问题。另外，本发明还具有以下优点：一方面可以提高石墨烯质量实现载流子高迁移率，另一方面通过控制石墨烯形貌如宽度、边缘结构实现调控石墨烯的电子结构，在提高石墨烯性能的同时，简化了石墨烯制备工艺，降低生产成本，以便于石墨烯更广泛地应用于电子器件的制备。
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公开(公告)号：CN104562195A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201310496579.0
申请日：2013-10-21
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种石墨烯的生长方法，至少包括以下步骤：S1：提供一绝缘衬底，将所述绝缘衬底放置于生长腔室中；S2：将所述绝缘衬底加热到预设温度，并在所述生长腔室中引入含有催化元素的气体；S3：在所述生长腔室中通入碳源，在所述绝缘衬底上生长出石墨烯薄膜。本发明通过引入气态催化元素催化方式，在绝缘衬底上快速生长高质量石墨烯，避免了石墨烯的转移过程，能够提高石墨烯的生产产量，而且大大降低了石墨烯的生长成本，有利于批量生产；本发明生长的石墨烯可应用于新型石墨烯电子器件、石墨烯透明导电膜、透明导电涂层等领域。
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公开(公告)号：CN104312588A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410466562.5
申请日：2014-09-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明涉及一种硒掺杂碳量子点的制备方法，包括：(1)制备氧化碳量子点粉体；(2)将上述氧化碳量子点粉体分散于溶剂中，得到氧化碳量子点溶液；(3)在氧化碳量子点溶液中加入含硒掺杂剂，50～500℃下溶剂热反应0.5～180h，得到硒掺杂碳量子点。本发明得到的硒掺杂碳量子点具有高量子产率、结构简单、易于制备、成本低廉、可批量生产、稳定性高、生物毒性低、相应迅速灵敏度极高等特点。
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公开(公告)号：CN103721574A
公开(公告)日：2014-04-16
申请号：CN201310753534.7
申请日：2013-12-31
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种纳米过滤膜及其制备方法、荧光石墨烯量子点的制备方法，所述纳米过滤膜至少包括：功能层，包括若干贯穿所述功能层的第一过滤孔；支撑层，与所述功能层相连，包括若干贯穿所述支撑层的第二过滤孔；所述第二过滤孔的孔径大于所述第一过滤孔的孔径，且一所述第二过滤孔与至少一个第一过滤孔互相连通。所述纳米过滤膜能够有效实现纳米级微粒的分离，并且分离后的微粒尺寸统一。本发明还提供一种利用上述纳米过滤膜制备荧光石墨烯量子点的方式，最终得到的荧光石墨烯量子点的发光效率高，量子产率高。
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