公开(公告)号：CN103811617A

公开(公告)日：2014-05-21

申请号：CN201310561694.1

申请日：2013-11-12

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 篠原裕直

IPC: H01L33/32 ,  H01L33/36

CPC classification number: H01L33/382 ,  H01L33/00 ,  H01L33/20 ,  H01L33/36 ,  H01L33/38 ,  H01L33/40 ,  H01L33/42 ,  H01L33/44 ,  H01L33/46 ,  H01L33/62

Abstract: 本发明使来自经面朝上安装而使用的半导体发光元件的光的输出增加。一种半导体发光元件（1），具有：n型半导体层（120）、发光层（130）、p型半导体层（140）；连接于p型半导体层（140）的p侧供电部（150）；和连接于n型半导体层（120）的n侧供电部（160）。p侧供电部（150）中的p侧供电电极（152）以及n侧供电部（160）中的n侧供电电极（162），从发光层（130）观察设在p型半导体层（140）的背面侧，在p型半导体层（140）与这些p侧供电电极（152）以及n侧供电电极（162）之间，形成有容易反射来自发光层（130）的光的被设定为第1厚度的供电绝缘层（170），在这些电极不存在的部位，除了形成有供电绝缘层（170）以外还形成有被设定为第2厚度的保护绝缘层（180），由此被设定成容易使来自发光层（130）的光透射的第3厚度。

公开(公告)号：CN102037576B

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN200980118007.0

申请日：2009-05-20

Applicant: 丰田合成株式会社

Inventor： 篠原裕直 ,  福永修大

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/28 ,  H01L29/47 ,  H01L29/872

CPC classification number: H01L33/42 ,  H01L33/32 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/49107 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本发明的半导体发光元件(1)，是具备基板(101)、在基板101上依次形成n型半导体层(104)、发光层(105)和p型半导体层(106)而构成的叠层半导体层(20)和在p型半导体层(106)的上面(106a)形成的透光性电极层(109)的半导体发光元件(1)，透光性电极层(109)含有掺杂元素，透光性电极层(109)中的掺杂元素的含有量，随着接近p型半导体层(106)与透光性电极层(109)的界面(109a)而逐渐减少。在透光性电极层(109)中形成有构成p型半导体层(106)的元素从界面(109a)向透光性电极层(109)内扩散而成的扩散区域。