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公开(公告)号：CN111732420A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010218984.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/10
Abstract: 技术问题本公开提供了一种具有优异的耐热冲击性的耐热构件。技术方案本公开的耐热构件含有多个氧化铝晶体和多个氧化锆晶体，在构成的全部成分100质量％中，Al的含量以Al2O3换算计为50质量％以上且84质量％以下，Zr的含量以ZrO2换算计为5质量％以上且20质量％以下，多个所述氧化锆晶体的至少一个具有：具有第一片层结构的第一区域；以及具有第二片层结构的第二区域，所述第一片层结构具有沿着第一方向延伸并沿着与所述第一方向相交的第二方向排列的多个层，所述第二片层结构具有沿着与所述第二方向相交的第三方向延伸并沿着与所述第三方向相交的第四方向(D4)排列的多个层。
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公开(公告)号：CN103492346A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019702.3
申请日：2012-04-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P7/10 , C01G25/00 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/1245
Abstract: 提供一种采用不含有稀土类的材料、具有40～46的相对介电常数εr、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备其的介质滤波器。介电陶瓷由在组成式表示为αZrO2·βTiO2·γZnO·δNb2O5时，摩尔比α、β、γ、δ满足0.3000≤α≤0.5500、0.3300≤β≤0.6000、0.0108≤γ≤0.0717、0.0193≤δ≤0.1283、α+β+γ+δ＝1及0.5
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公开(公告)号：CN101868431A
公开(公告)日：2010-10-20
申请号：CN200880117165.X
申请日：2008-11-27
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01G4/1209 , C04B35/495 , C04B2235/3215 , C04B2235/3225 , C04B2235/3244 , C04B2235/3251 , C04B2235/3275 , C04B2235/3284 , C04B2235/656 , C04B2235/6567 , C04B2235/721 , C04B2235/77 , C04B2235/786 , C04B2235/96 , C04B2235/9623 , H01G4/10
Abstract: 本发明提供一种电介质陶瓷，其具有组成式aBaO·bCoO·cZnO·dNb2O5的系数a、b、c及d满足：0.498≤a＜0.500、0.066≤b≤0.132、0.033≤c≤0.099、0.335≤d≤0.338的结晶。另外，提供一种电介质陶瓷，其具有包含BaO、CoO、ZnO及Nb2O5的结晶，且X射线衍射图中的存在于2θ＝18°附近的结晶峰值IA和存在于2θ＝31°附近的结晶峰值IB的峰值强度比IA/IB为0.003以上。还提供一种谐振器，其使用所述电介质陶瓷作为电介质。
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Patent Agency Ranking
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公开(公告)号：CN105073682A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018221.X
申请日：2014-03-18
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/111 , H01L33/48
CPC classification number: H01L33/486 , C04B35/119 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3248 , C04B2235/3418 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , H01L33/60 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供具有高反射率的发光元件安装用基板和可靠性高且高亮度的发光元件模组。包含有氧化铝结晶和氧化锆结晶、及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35(不含0)以下的发光元件安装用基板。另外，是在该发光元件安装用基板上搭载有发光元件的发光元件模组。
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公开(公告)号：CN103269999B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180061333.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/462 , C04B35/48 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/46 , C01G23/047 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/42 , C01P2006/80 , C04B35/49 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01P1/20
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器，所述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35～45的范围、Qf值高、且表示在遍及低温区域～高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。本发明的电介质陶瓷中，在将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1的式子，并且相对于上述主成分100质量％含有以MnO2换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。
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公开(公告)号：CN103269999A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180061333.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/48 , H01B3/12 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/46 , C01G23/047 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/42 , C01P2006/80 , C04B35/49 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01P1/20
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器，所述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35～45的范围、Qf值高、且表示在遍及低温区域～高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。本发明的电介质陶瓷中，在将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1的式子，并且相对于上述主成分100质量％含有以MnO2换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。
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