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公开(公告)号：CN105073682A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201480018221.X
申请日：2014-03-18
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/111 , H01L33/48
CPC classification number: H01L33/486 , C04B35/119 , C04B2235/3206 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3248 , C04B2235/3418 , C04B2235/76 , C04B2235/765 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , H01L33/60 , H01L2224/32225 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012
Abstract: 本发明提供具有高反射率的发光元件安装用基板和可靠性高且高亮度的发光元件模组。包含有氧化铝结晶和氧化锆结晶、及晶界相的氧化铝质烧结体，通过使用Cu的Kα线的X射线衍射装置测定的四方晶系氧化锆结晶的峰强度It(2θ＝30°～30.5°)与单斜晶系氧化锆结晶的峰强度Im(2θ＝28°～28.5°)的强度比It/Im为35(不含0)以下的发光元件安装用基板。另外，是在该发光元件安装用基板上搭载有发光元件的发光元件模组。
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公开(公告)号：CN103269999B
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201180061333.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: H01B3/12 , C04B35/462 , C04B35/48 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/46 , C01G23/047 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/42 , C01P2006/80 , C04B35/49 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01P1/20
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器，所述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35～45的范围、Qf值高、且表示在遍及低温区域～高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。本发明的电介质陶瓷中，在将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1的式子，并且相对于上述主成分100质量％含有以MnO2换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。
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公开(公告)号：CN103269999A
公开(公告)日：2013-08-28
申请号：CN201180061333.X
申请日：2011-12-22
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/462 , C04B35/48 , H01B3/12 , H01P7/10
CPC classification number: C04B35/46 , C01G23/047 , C01G25/006 , C01P2002/52 , C01P2002/54 , C01P2006/42 , C01P2006/80 , C04B35/49 , C04B2235/3225 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3293 , C04B2235/3298 , C04B2235/3418 , C04B2235/447 , C04B2235/727 , C04B2235/77 , C04B2235/85 , C04B2235/96 , H01B3/12 , H01P1/20
Abstract: 本发明提供电介质陶瓷及具备其的电介质滤波器，所述电介质陶瓷的相对介电常数εr在35～45的范围、Qf值高、且表示在遍及低温区域～高温区域的广范围温度区域中的共振频率变化的温度系数τf的绝对值小。本发明的电介质陶瓷中，在将主成分的组成式表示为αZrO2·βSnO2·γTiO2时，摩尔比α、β及γ满足0.240≤α≤0.470、0.040≤β≤0.200、0.400≤γ≤0.650、α+β+γ＝1的式子，并且相对于上述主成分100质量％含有以MnO2换算为0.01质量％以上且低于0.1质量％的Mn。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111732420A
公开(公告)日：2020-10-02
申请号：CN202010218984.6
申请日：2020-03-25
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/10
Abstract: 技术问题本公开提供了一种具有优异的耐热冲击性的耐热构件。技术方案本公开的耐热构件含有多个氧化铝晶体和多个氧化锆晶体，在构成的全部成分100质量％中，Al的含量以Al2O3换算计为50质量％以上且84质量％以下，Zr的含量以ZrO2换算计为5质量％以上且20质量％以下，多个所述氧化锆晶体的至少一个具有：具有第一片层结构的第一区域；以及具有第二片层结构的第二区域，所述第一片层结构具有沿着第一方向延伸并沿着与所述第一方向相交的第二方向排列的多个层，所述第二片层结构具有沿着与所述第二方向相交的第三方向延伸并沿着与所述第三方向相交的第四方向(D4)排列的多个层。
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公开(公告)号：CN104411655B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201380033596.9
申请日：2013-06-26
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: C04B35/62685 , C04B35/26 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/6268 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3298 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/72 , C04B2235/96 , H01F1/344 , H01F41/0246
Abstract: 本发明提供一种电阻率、导磁率和居里温度高的铁氧体烧结体和铁氧体磁芯以及在该铁氧体磁芯上卷绕金属线而成的线圈部件。该铁氧体烧结体以包含Fe、Zn、Ni和Cu的氧化物为主成分，在主成分的组成100摩尔％中，以Fe2O3换算为49摩尔％以上且50摩尔％以下的范围含有Fe，以ZnO换算为32摩尔％以上且34摩尔％以下的范围含有Zn，以NiO换算为10摩尔％以上且12.5摩尔％以下的范围含有Ni，以CuO换算为4摩尔％以上且8摩尔％以下的范围含有Cu，设通过X射线衍射得到的2θ为35°以上且36°以下的X射线衍射峰强度为I1，2θ为29.5°以上且30.5°以下的X射线衍射峰强度为I2时，I2/I1在0.350以上且0.380以下。
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公开(公告)号：CN103717551B
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201280037364.6
申请日：2012-06-29
Applicant: 京瓷株式会社
IPC: C04B35/30 , C01G49/00 , H01F1/34 , H01F27/255
CPC classification number: C01G53/006 , C01P2002/52 , C04B35/265 , C04B35/62675 , C04B35/62685 , C04B2235/3208 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/85 , H01F1/342 , H01F27/255 , H01F41/0246
Abstract: 本发明提供电阻率、导磁率及居里温度高、室温（25℃）～100℃的导磁率的温度变化率小的铁氧体烧结体及在该铁氧体烧结体上卷绕金属线而成的铁氧体磁芯。本发明的铁氧体烧结体在主成分组成100摩尔％中，含有以Fe2O3换算为49摩尔％以上且50摩尔％以下的Fe、以ZnO换算为32摩尔％以上且34.5摩尔％以下的Zn、以NiO换算为6.5摩尔％以上且12.5摩尔％以下的Ni及以CuO换算为5摩尔％以上且9摩尔％以下的Cu，在由主成分构成的铁氧体晶体的晶界中存在有ZnO。
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公开(公告)号：CN103492346A
公开(公告)日：2014-01-01
申请号：CN201280019702.3
申请日：2012-04-25
Applicant: 京瓷株式会社
CPC classification number: H01P7/10 , C01G25/00 , C01G33/006 , C01P2002/52 , C01P2006/40 , C04B35/49 , C04B2235/3208 , C04B2235/3217 , C04B2235/3225 , C04B2235/3229 , C04B2235/3234 , C04B2235/3251 , C04B2235/3256 , C04B2235/3267 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/3418 , C04B2235/6567 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , H01B3/12 , H01G4/1245
Abstract: 提供一种采用不含有稀土类的材料、具有40～46的相对介电常数εr、且使Qf值提高的介电陶瓷及具备其的介质滤波器。介电陶瓷由在组成式表示为αZrO2·βTiO2·γZnO·δNb2O5时，摩尔比α、β、γ、δ满足0.3000≤α≤0.5500、0.3300≤β≤0.6000、0.0108≤γ≤0.0717、0.0193≤δ≤0.1283、α+β+γ+δ＝1及0.5
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公开(公告)号：CN103038189A
公开(公告)日：2013-04-10
申请号：CN201180037296.9
申请日：2011-08-03
Applicant: 京瓷株式会社
Inventor： 竹之下英博
CPC classification number: C09K3/00 , C04B35/265 , C04B35/2658 , C04B35/2666 , C04B35/62655 , C04B35/62675 , C04B35/638 , C04B2235/3208 , C04B2235/3232 , C04B2235/3272 , C04B2235/3279 , C04B2235/3281 , C04B2235/3284 , C04B2235/34 , C04B2235/3418 , C04B2235/5436 , C04B2235/5445 , C04B2235/6562 , C04B2235/6565 , C04B2235/662 , C04B2235/72 , C04B2235/726 , C04B2235/763 , C04B2235/785 , C04B2235/786 , C04B2235/85 , C04B2235/95 , C04B2235/96 , G10K15/00 , H01F1/344 , H01F17/04 , H01F17/045 , H01F17/06 , H01F27/33 , H01F41/0246
Abstract: 本发明提供强度提高了的铁氧体烧结体及具备其的噪声滤波器，所述铁氧体烧结体中，Cu的含量以CuO换算为1摩尔％以上且10摩尔％以下，且包含Fe、Zn、Ni、Cu及O的尖晶石结构的结晶作为主相存在，并且平均粒径为0.5μm以上且10μm以下的Cu化合物的粒子存在于晶界中。该铁氧体烧结体通过使Cu化合物的粒子存在于晶界中，由此能够抑制主相的晶粒生长而成为由微细结晶形成的组织形态，并且能够抑制晶界的破坏的传播，所以成为强度提高了的铁氧体烧结体。
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