电子设备、高分子化合物、有机化合物及高分子化合物的制备方法

    公开(公告)号:CN103460428A

    公开(公告)日:2013-12-18

    申请号:CN201280015865.4

    申请日:2012-03-27

    Abstract: 本发明提供成为高亮度发光的电致发光元件的电子设备等。具体地,本发明提供具备下述层来作为电荷注入层和/或电荷传输层的电子设备等,所述层含有具有选自式(1)所表示的结构单元及式(7)所表示的结构单元中的1种以上的结构单元的高分子化合物。(在式(1)中,R1表示规定的基团,R2表示规定的基团,m1表示0以上的整数。有多个R2时其可相同或不同。式(1)中的氢原子可以被除了R1、R2以外的取代基取代。)(在式(7)中,R6表示规定的基团,R7表示规定的基团,m5表示0以上的整数。有多个R7时其可相同或不同。式(7)中的氢原子可以被除了R6、R7以外的取代基取代。)

    芳香族聚合物的制备方法
    16.
    发明授权

    公开(公告)号:CN101421327B

    公开(公告)日:2012-07-11

    申请号:CN200780013217.4

    申请日:2007-02-13

    CPC classification number: C08G61/10

    Abstract: 本发明提供一种芳香族聚合物的制备方法,其特征在于,使下述通式(I)表示的芳香族化合物在含有下述通式(II)表示的膦化合物的镍络合物的存在下,进行缩聚。(式中,Ar表示具有可含有氧原子和/或氮原子的芳香环的含芳香环有机基团;R表示含烃基的1价基团;k表示1以上的整数;X表示卤素原子、硝基或-SO3Q(Q为1价烃基);Y表示O、S、亚氨基、亚乙烯基或亚乙炔基;n表示0或1。M表示H、-B(OQ1)2、-Si(Q2)3、-Sn(Q3)3或-Z1(Z2)m(Q1表示H或1价烃基;Q2和Q3表示1价烃基;Z1表示金属原子或金属离子;Z2表示抗衡离子,m为0以上的整数))(R1表示1价烃基,R2表示2价烃基。)。

    芳香族聚合物的制备方法
    18.
    发明公开

    公开(公告)号:CN101421327A

    公开(公告)日:2009-04-29

    申请号:CN200780013217.4

    申请日:2007-02-13

    CPC classification number: C08G61/10

    Abstract: 本发明提供一种芳香族聚合物的制备方法,其特征在于,使通式(I)表示的芳香族化合物在含有通式(II)表示的膦化合物的镍络合物的存在下,进行缩聚。(式中,Ar表示具有可含有氧原子和/或氮原子的芳香环的含芳香环有机基团;R表示含烃基的1价基团;k表示1以上的整数;X表示卤素原子、硝基或-SO3Q(Q为1价烃基);Y表示O、S、亚氨基、亚乙烯基或亚乙炔基;n表示0或1。M表示H、-B(OQ1)2、-Si(Q2)3、-Sn(Q3)3或-Z1(Z2)m(Q1表示H或1价烃基;Q2和Q3表示1价烃基;Z1表示金属原子或金属离子;Z2表示抗衡离子,m为0以上的整数)),(R1表示1价烃基,R2表示2价烃基。)

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