组合物
    12.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109071819A

    公开(公告)日:2018-12-21

    申请号:CN201780025504.0

    申请日:2017-04-26

    Abstract: 本发明的目的在于提供一种不仅能同时实现被膜的疏水性和疏油性、而且还能提高制膜性的组合物。本发明的涂覆组合物包含在硅原子上键合有至少1个含有三烷基甲硅烷基的分子链和至少1个水解性基团的有机硅化合物(a)、金属醇盐(b)及在硅原子上键合有含氟基团和水解性基团的含氟有机硅化合物(f)。化合物(a)可以是式(I)表示的化合物。

    光学膜
    18.
    发明授权

    公开(公告)号:CN110873919B

    公开(公告)日:2022-08-19

    申请号:CN201910851905.2

    申请日:2019-08-26

    Abstract: 本发明的课题在于提供局部的厚度的偏差小、膜表面的平坦性优异的光学膜。本发明的解决手段为一种光学膜,其包含选自由具有式(A)表示的结构的聚酰亚胺系树脂及聚酰胺系树脂组成的组中的至少1种树脂,该树脂满足式(X)。A/B×100≥0.03(%) (X)。式(A)中,*表示化学键。式(X)中,A表示该树脂的1H‑NMR波谱中的、来自式(A)表示的结构中的键合于氮原子的氢原子的峰面积,B表示该树脂的1H‑NMR波谱中的、化学位移值在6.5~11.5ppm的范围内的峰面积。

    层叠体、柔性电子器件及层叠体的制造方法

    公开(公告)号:CN112912241A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN201980069503.5

    申请日:2019-10-18

    Abstract: 本公开涉及一种层叠体,是至少具有基材层和无机薄膜层的层叠体,所述基材层至少包含挠曲性基材,在从该层叠体的无机薄膜层侧的表面沿厚度方向使用飞行时间型二次离子质谱仪(TOF‑SIMS)测定而得的深度剖析中,将Si‑、C‑及O2‑的离子强度分别设为ISi、IC及IO2,在C‑的离子强度曲线中,将基材层侧的离子强度值的变异系数的绝对值为5%以内的区域A1的平均离子强度设为ICA1,将相对于该区域A1在无机薄膜层表面侧且最接近该区域A1的、显示ICA1的0.5倍以下的离子强度的深度设为A2,将相对于A2在无机薄膜层表面侧且最接近A2的、显示极小值的深度设为A3,在C‑的离子强度的一次微分曲线中,将相对于A3在无机薄膜层表面侧且最接近A3的、微分值为0以上的深度设为B,将相对于A3在基材层侧且最接近A3的、显示微分分布值的极大值d(IC)max的深度设为C,将相对于C在基材层侧且最接近C的、微分值的绝对值为d(IC)max的0.01倍以下的深度设为D,则IO2/ISi的分布曲线在深度B与深度D之间的区域BD中具有至少1个极大值(IO2/ISi)maxBD。

    被膜
    20.
    发明授权
    被膜 有权

    公开(公告)号:CN109072002B

    公开(公告)日:2021-05-25

    申请号:CN201780025511.0

    申请日:2017-04-26

    Abstract: 本发明的课题在于提供相对于温水的耐久性优异的含有聚二烷基硅氧烷骨架的被膜。本发明的被膜包含聚二烷基硅氧烷骨架,碳原子与硅原子的比率(C/Si)以摩尔基准计为0.93以上且小于1.38。对于该被膜而言,将水的初始接触角记为θ0、将在70℃的离子交换水中浸渍24小时后的水的接触角记为θW时,由特定的式表示的接触角变化率dW的大小可以为‑10%以上。

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