公开(公告)号：CN103890921A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201280051730.3

申请日：2012-10-02

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/205 ,  H01L21/302 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/329 ,  H01L29/06 ,  H01L29/12 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868

CPC classification number: H01L29/8613 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02576 ,  H01L21/0262 ,  H01L21/0475 ,  H01L21/3065 ,  H01L21/3083 ,  H01L29/045 ,  H01L29/06 ,  H01L29/0615 ,  H01L29/0619 ,  H01L29/0623 ,  H01L29/0661 ,  H01L29/12 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/739 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7813 ,  H01L29/861 ,  H01L29/868 ,  Y10S438/931

Abstract: 衬底（1）上形成具有主表面的碳化硅层（19）。形成覆盖碳化硅层（19）的主表面的一部分的掩膜（17）。使用氯基气体，对其上形成了掩膜（17）的碳化硅层（19）的主表面执行热蚀刻，以便为碳化硅层（19）提供具有相对于主表面倾斜的侧表面（SS）。在其中氯基气体的分压不超过50%的气氛下执行其中进行热蚀刻的步骤。

公开(公告)号：CN103620741A

公开(公告)日：2014-03-05

申请号：CN201280030011.3

申请日：2012-05-25

Applicant: 住友电气工业株式会社 ,  国立大学法人奈良先端科学技术大学院大学

Inventor： 增田健良 ,  畑山智亮

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/7813 ,  H01L21/046 ,  H01L21/324 ,  H01L29/1608 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068

Abstract: 一种制造MOSFET（1）的方法具有：将杂质引入碳化硅层（10）中的步骤；通过从碳化硅层（10）的表面层部分选择性移除硅，在该表面层部分中形成碳层（81）的步骤，所述碳化硅层具有引入其中的杂质；以及通过加热具有形成在其中的碳层（81）的碳化硅层（10）来活化杂质的步骤。