公开(公告)号：CN105612632A

公开(公告)日：2016-05-25

申请号：CN201480054059.7

申请日：2014-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 岩崎瑞夫 ,  饼田恭志

IPC: H01M2/22 ,  H01G11/72 ,  H01G11/76 ,  H01M2/26 ,  H01M2/30 ,  H01M10/04

CPC classification number: H01M2/266 ,  H01G11/26 ,  H01G11/72 ,  H01G11/74 ,  H01G11/76 ,  H01G11/82 ,  H01G11/84 ,  H01G11/86 ,  H01M2/0217 ,  H01M2/0473 ,  H01M2/22 ,  H01M2/26 ,  H01M2/30 ,  H01M10/0413 ,  H01M10/0463 ,  H01M10/049 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 在一种矩形蓄电装置中，容纳在外装罐(2)中的第一电极组和第二电极组分别设置有从端表面(13)朝向外装罐(2)的开口(21)延伸的第一端子部和第二端子部，端表面(13)面对开口(21)。第一电极组和第二电极组彼此由连接部件机械耦合且电耦合。具体地，连接部件包括焊接到第一端子部上的第一连接部，焊接到第二端子部上的第二连接部，和将第一连接部和第二连接部彼此机械耦合且电耦合的耦合部。盖板(3)的内表面(31)设置有突出部，其从内表面(31)朝向外装罐(2)的底表面延伸。突出部电连接到外部端子上并焊接到第一端子部、第二端子部、和连接部件中的至少任何一个。

公开(公告)号：CN105594012A

公开(公告)日：2016-05-18

申请号：CN201480053769.8

申请日：2014-09-08

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 岩崎瑞夫 ,  饼田恭志

IPC: H01M2/04 ,  H01G11/78 ,  H01G11/84 ,  H01M2/02 ,  H01M10/054

CPC classification number: H01M2/0439 ,  B23K26/206 ,  B23K26/242 ,  B23K26/32 ,  B23K2101/36 ,  B23K2103/10 ,  H01G9/0029 ,  H01G9/145 ,  H01G11/78 ,  H01G11/80 ,  H01G11/84 ,  H01M2/024 ,  H01M2/0426 ,  H01M10/054 ,  H01M10/058 ,  H05K5/0004 ,  H05K5/04 ,  H05K5/066 ,  Y02E60/13 ,  Y02T10/7022

Abstract: 一种制造密封型蓄电装置的方法，包括：制备储存电极组的有底的外部罐的步骤；制备具有与外部罐的开口相对应的周边部的密封板的步骤，所述密封板在所述周边部的一个表面中具有第一凹部以与外部罐的开口的边缘部结合，并且在周边部的另一个表面中具有锥形的第二凹部；通过使第一凹部与外部罐的开口的边缘部结合而使用密封板封闭外部罐的开口的步骤；和通过以相对于密封板的厚度方向成15°至75°的角度将激光束照向外部罐的开口的边缘部与周边部之间的边界而将外部罐的开口的边缘部和密封板的周边部焊接在一起的步骤。

公开(公告)号：CN103098288A

公开(公告)日：2013-05-08

申请号：CN201180041125.3

申请日：2011-08-24

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 饼田恭志 ,  上田光保 ,  吉田健太郎 ,  竹山知阳 ,  后藤和宏

IPC: H01M10/0562 ,  H01M10/052 ,  H01M10/058

CPC classification number: H01M10/0561 ,  H01M4/131 ,  H01M10/052 ,  H01M10/0562 ,  H01M10/0585 ,  H01M2300/0068 ,  H01M2300/0094 ,  Y10T29/49115

Abstract: 本发明提供一种非水电解质电池及制造该电池的方法，在该非水电解质电池中，能够可靠地抑制正极层和负极层之间的短路。具体而言，本发明提供一种非水电解质电池（100），包括：含有含Li氧化物的正极活性材料层（12）；其上能发生Li金属析出的负极活性材料层（22）；以及设置在这些活性材料层（12）和（22）之间的硫化物固体电解质层（SE层）（3）。非水电解质电池（100）的SE层（3）包括：粉末形成层（31）；以及通过气相法形成于粉末形成层（31）的表面上的致密膜层（32）。在非水电解质电池（100）中，粉末形成层（31）通过加压成形法而形成于具有正极活性材料层（12）的正极体上，然后利用该具有粉末形成层（31）的正极体作为基底，通过气相法来形成致密膜层（32）。

公开(公告)号：CN1604344A

公开(公告)日：2005-04-06

申请号：CN200410011852.7

申请日：2004-09-22

Applicant: 住友电气工业株式会社

Inventor： 入仓正登 ,  饼田恭志 ,  中山雅博

IPC: H01L33/00 ,  H01L21/02

CPC classification number: H01L21/02013 ,  C30B29/403 ,  H01L21/02395 ,  H01L21/0254 ,  H01L33/0075 ,  H01L33/22 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法，利用磨削将在表面上具有C面的氮化物半导体衬底的表面加工为面粗糙度Rms5nm～200nm。大幅度地减少了磨削时间，降低了成本。面粗糙度增加，包含数目多的凹部，从凹部倾斜地生长的结晶使位错集中于面与面的边界上，使位错从边界起朝向凹部的底部移动，由此使位错集结于凹部的底部，这样使外延生长层的位错密度减少。因为衬底的面粗糙度大，故外延生长层的表面几何形态较差，但降低了位错密度。可减少对器件特性影响大的位错密度，成为在低成本方面有用的衬底。根据本发明，能以外延生长方式生长位错密度低的GaN薄膜、InGaN薄膜、AlGaN薄膜等的氮化物类半导体薄膜，提供低成本的氮化物半导体衬底。