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公开(公告)号：CN103035661B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210363633.X
申请日：2012-09-26
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14605 , H01L27/1461 , H01L27/14641 , H01L27/14643 , H04N5/23212 , H04N5/23287 , H04N5/35545 , H04N5/37457
Abstract: 本发明公开了光电转换装置和成像系统。在能够将包含在光电转换单元中的光电转换元件的信号相加的光电转换装置中，每个光电转换元件包含用于收集信号电荷的第一导电类型的第一半导体区域，第二导电类型的第二半导体区域被布置在彼此相邻布置并包含于同一光电转换单元中的光电转换元件之间，以及第二导电类型的第三半导体区域被布置在包含于彼此相邻布置的不同光电转换单元中的多个光电转换元件之中彼此相邻布置的光电转换元件之间。第二半导体区域的杂质浓度比第三半导体区域的杂质浓度低。
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公开(公告)号：CN104917942A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201510110196.4
申请日：2015-03-13
Applicant: 佳能株式会社
CPC classification number: H04N5/378 , H01L27/14609 , H01L27/14623 , H01L27/14643 , H01L27/14656 , H04N5/3532 , H04N5/35581 , H04N5/3765
Abstract: 一种图像捕获装置和图像捕获系统。该图像捕获装置执行多个像素在同一曝光时间段期间曝光的全局电子快门操作。在第一时间段中，光电转换单元累积电荷。在第二时间段中，多个像素的累积单元累积电荷。光电转换单元的饱和电荷量与累积单元的饱和电荷量的比率同第一时间段的长度与第一时间段的长度和第二时间段的长度之和的比率具有某一关系。
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公开(公告)号：CN102637704B
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201210027705.3
申请日：2012-02-09
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14629 , H01L27/14623 , H01L27/14627
Abstract: 公开了光电转换装置和图像感测系统，该光电转换装置至少包括：绝缘膜；多个高折射率构件，配备成分别与各自光电转换部分相对应，被所述绝缘膜包围并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率；以及高折射率膜，配备在所述绝缘膜上以便相互连接所述多个高折射率构件，并具有比所述绝缘膜的折射率高的折射率，以及多个透镜部分当中彼此相邻的透镜部分彼此毗接。
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公开(公告)号：CN102637753A
公开(公告)日：2012-08-15
申请号：CN201210024578.1
申请日：2012-02-06
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小林昌弘
IPC: H01L31/0352 , H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14641 , H01L27/14607 , H01L27/1461 , H01L27/14616
Abstract: 本发明涉及一种固态图像拾取装置。N型半导体区域和浮动扩散区域被设置在有源区中。用于从PD向FD传送电荷的传送栅电极通过绝缘体被设置在半导体基板上。构成PD的N型半导体区域的一部分和传送栅电极的一部分相互重叠。P型半导体区域被设置在有源区中。P型半导体区域和N型半导体区域的与传送栅电极重叠的部分被设置为沿与半导体基板和绝缘体的界面平行的方向相互邻近。N型半导体区域的杂质浓度峰的位置和P型半导体区域的杂质浓度峰的位置在深度上相互不同。
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公开(公告)号：CN102017153A
公开(公告)日：2011-04-13
申请号：CN200980116531.4
申请日：2009-05-07
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/146 , H04N5/3745
CPC classification number: H01L27/1463 , H01L27/14603 , H01L27/14609 , H01L27/14612 , H01L27/14623 , H04N5/37452 , H04N5/37457
Abstract: 在其成像区域中包含电荷存储部分的光电转换装置中，用于电荷存储部分的隔离区域包含分别具有PN结的第一隔离部分和分别具有绝缘体的第二隔离部分。第二隔离部分被布置在电荷存储部分和多个晶体管的至少一部分之间。
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公开(公告)号：CN108695349B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201810274644.8
申请日：2018-03-30
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小林昌弘
IPC: H01L27/146
Abstract: 公开了具有层压层的半导体装置和设备。一种半导体装置，包括：半导体基板，其中设有多个半导体元件；第一半导体层，被重叠在半导体基板上并且其中设有多个光电转换元件；第二半导体层，被布置在半导体基板与第一半导体层之间；第一配线结构，被布置在第一半导体层与第二半导体层之间；第二配线结构，被布置在第二半导体层与半导体基板之间；以及第三配线结构，被布置在第二配线结构与半导体基板之间，多个贯通电极的宽度彼此不同。
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公开(公告)号：CN111326534A
公开(公告)日：2020-06-23
申请号：CN201911299416.7
申请日：2019-12-17
Applicant: 佳能株式会社
IPC: H01L27/144
Abstract: 本发明涉及光电转换设备、光电转换系统和可移动体。光电转换设备包括：多个像素，各像素包括光电转换部、电荷保持部、浮动扩散部以及布置在共同的活性区域中的第一和第二晶体管。活性区域包括部分区域，该部分区域包括沿第一方向延伸的第一区域、连接到第一区域并且沿第二方向延伸的第二区域以及连接到第二区域并且沿第三方向延伸的第三区域。在平面图中，第一像素的部分区域布置在第一像素的第一晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间，并且布置在第一像素的第二晶体管的栅极和第二像素的电荷保持部之间。在与部分区域重叠的区域中布置遮光构件。
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公开(公告)号：CN107483853B
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：CN201710415818.3
申请日：2017-06-06
Applicant: 佳能株式会社
Abstract: 公开了成像传感器、成像系统和移动体。多个组的各个第一信号保持单元经由第一信号保持单元对应的组的第二转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点，并且多个组的各个第二信号保持单元经由第二信号保持单元对应的组的第四转移单元被共同连接到一组的放大单元的输入节点。
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公开(公告)号：CN110611777A
公开(公告)日：2019-12-24
申请号：CN201910514063.1
申请日：2019-06-14
Applicant: 佳能株式会社
Inventor： 小林昌弘
Abstract: 本发明提供一种摄像设备、摄像系统和移动装置。提供一种摄像设备，该摄像设备包括多个像素，各像素包括入射光的光瞳分割的一部分入射光进入的第一光电转换单元和入射光的光瞳分割的另一部分入射光进入的第二光电转换单元，所述多个像素中的各像素被构造为，在一个帧时段中，基于由第一光电转换单元产生的电荷而输出第一信号，并且至少基于由第二光电转换单元产生的电荷而输出第二信号，所述多个像素包括布置在彼此不同的列上且布置在单行上的第一像素和第二像素，并且第一像素和第二像素在所述一个帧时段中经受彼此不同的控制。
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