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公开(公告)号：CN101290872B
公开(公告)日：2013-07-17
申请号：CN200810093348.4
申请日：2008-04-18
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/762 , H01L21/84
Abstract: 本发明是一种贴合基板的制造方法，是一种将绝缘性基板用于支撑片，并于该绝缘性基板的表面上贴合施主晶片的贴合基板的制造方法，至少对上述绝缘性基板的背面，施以喷砂处理。由此，在使用绝缘性基板作为支撑片来制造贴合基板时，通过将该贴合基板的背面(也即绝缘性基板的背面)粗面化而容易搬运及在载置后取出，进而对于将透明绝缘性基板作为支撑片的该贴合基板，提供一种贴合基板的制造方法，其表面的识别更与硅半导体晶片的工序同样简便。
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公开(公告)号：CN101188258B
公开(公告)日：2012-06-06
申请号：CN200710193656.X
申请日：2007-11-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/036
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/022441 , H01L31/03921 , H01L31/056 , H01L31/0682 , H01L31/1892 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明涉及一种单结晶硅太阳能电池的制造方法及单结晶硅太阳能电池，该方法包含：将氢离子或稀有气体离子注入单结晶硅基板的工艺；对单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的表面之中的至少一方进行表面活性化处理的工艺；以进行表面活性化处理后的面作为贴合面，来贴合单结晶硅基板的离子注入面与透明绝缘性基板的工艺；对离子注入层施予冲击，机械性剥离单结晶硅基板，来形成单结晶硅层的工艺；在单结晶硅层的剥离面侧形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在单结晶硅层的剥离面存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工艺；以及形成覆盖多个第一与第二导电型区域的光反射膜工艺。由此可以提供一种光封闭型单结晶硅太阳能电池。
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公开(公告)号：CN101179054B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200710170066.5
申请日：2007-11-09
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L23/00 , H01L27/12 , H01L29/786 , H01L21/00 , H01L21/02 , H01L21/20 , H01L21/84 , H01L21/762 , H01L21/336 , H01L21/265
CPC classification number: H01L21/76254 , C30B29/06 , C30B33/00 , H01L21/2007 , H01L29/78603 , Y10S438/967 , Y10T428/31612
Abstract: 本发明提供一种非常适合于半导体装置的工艺的SOQ基板及其制造方法。本发明的手段为：将氢离子注入单结晶硅基板10的表面(主面)，形成氢离子注入层(离子注入损伤层)11。通过此氢离子注入，形成氢离子注入界面12。贴合此单结晶硅基板10和含有碳浓度100ppm以上的石英基板20，并对注入损伤层11附近赋予外部冲击，将贴合基板沿着单结晶硅基板10的氢离子注入界面12，剥离Si结晶膜。然后，对所得到的硅薄膜13的表面，进行研磨等，除去损伤，而得到SOQ基板。
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公开(公告)号：CN102210007A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN200980144897.2
申请日：2009-11-11
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01L21/76254
Abstract: 本发明提供一种制造SOI基板的方法，该方法包括以下顺序步骤：将离子注入硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)，形成离子注入层(2)；对透明绝缘基板的表面以及注入离子的硅晶片和/或注入离子的具有氧化物膜的硅晶片的表面进行表面活化处理；将该硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)与该透明绝缘基板(3)贴合在一起；在150℃以上且不高于350℃下对贴合基板进行热处理，得到接合体(6)；和从该接合体(6)的透明绝缘基板侧朝向该硅晶片(5)或具有氧化物膜(7)的硅晶片(5)的离子注入层(2)照射可见光，以使该离子注入层(2)的界面脆化并将硅薄膜转移到该透明绝缘基板(3)，从而形成SOI层(4)。
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公开(公告)号：CN101174595A
公开(公告)日：2008-05-07
申请号：CN200710185125.6
申请日：2007-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/84 , H01L27/142
CPC classification number: H01L31/1804 , H01L31/0682 , H01L31/186 , H01L31/1896 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 本发明是一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包含：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以该离子注入面作为贴合面，经由透明粘结剂，粘结该单晶硅基板与该透明绝缘性基板的工序；固化该透明粘结剂的工序；对该离子注入层施予冲击，机械性剥离该单晶硅基板，来形成单晶硅层的工序；在该单晶硅层的该剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并作成在该单晶硅层的该剥离面，存在多个第一导电型区域和多个第二导电型区域的工序；在该单晶硅层的该多个第一导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；以及形成各个集电电极的工序。由此提供一种单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层作成结晶性高的单晶硅层，可提供作为透视型太阳能电池。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105765736A
公开(公告)日：2016-07-13
申请号：CN201480061597.9
申请日：2014-10-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/048 , C09J7/00 , C09J11/04 , C09J11/06 , C09J183/04 , C09J183/06 , C09K3/10
CPC classification number: H01L31/0481 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K3/22 , C08K3/36 , C08K5/56 , C08L83/00 , C09J9/00 , C09J183/04 , C09J183/06 , C09J183/08 , Y02E10/50
Abstract: 本发明提供太阳能电池封装用紫外线屏蔽性有机硅粘接剂片，其特征在于，其为太阳能电池组件中的形成与后面板相接的有机硅粘接剂层的粘接剂片，上述太阳能电池组件具备受光面面板及后面板、分别与这两个面板相接的有机硅粘接剂层、置于这两个粘接剂层之间而被封装的多个太阳能电池单元，在对厚度2mm的固化物测定波长为380nm的光的透光率的情况下呈现30％以下的透光率。本发明的有机硅粘接剂片是能够进行挤出成型、压延成型等的可轧型的粘接剂片，能够利用真空层压机将受光面面板、有机硅粘接剂片、太阳能电池单元、本发明的有机硅粘接剂片、后面板(后板)的层叠体组件化。
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公开(公告)号：CN103715296A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310459652.7
申请日：2013-09-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , B32B37/10 , H01L31/048
CPC classification number: H01L31/0488 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08K5/56 , C08L83/00 , C08L83/04 , H01L31/048 , H01L31/0481 , H01L31/18 , Y02E10/50 , Y10T156/10 , B32B37/1018
Abstract: 制造太阳能电池组件的方法，该方法包括：将第一聚硅氧烷凝胶片材粘合至将成为太阳光入射表面的透明光接收面板的一个表面；将第二聚硅氧烷凝胶片材粘合至在太阳光入射表面对面侧上的光非接收面板或背板的一个表面；将太阳能电池串布置在光接收面板的第一聚硅氧烷凝胶片材上，并且以相框样形状沿第一聚硅氧烷凝胶片材的外周部分布置丁基橡胶；和将光接收面板和光非接收面板或背板覆盖在彼此上，使聚硅氧烷凝胶片材在内侧，并且在100-150℃在真空中压制它们以用所述聚硅氧烷凝胶片材封装太阳能电池串并且通过所述丁基橡胶将光接收面板和光非接收面板或背板压力接合至彼此。
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公开(公告)号：CN101262029B
公开(公告)日：2011-03-23
申请号：CN200810083479.4
申请日：2008-03-07
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L31/18 , H01L31/04 , H01L31/068 , H01L31/052
CPC classification number: H01L31/056 , H01L21/76254 , H01L31/03921 , H01L31/0682 , H01L31/1804 , H01L31/1896 , Y02E10/52 , Y02E10/547 , Y02P70/521
Abstract: 一种单晶硅太阳能电池的制造方法，包括：将氢离子或稀有气体离子注入单晶硅基板的工序；以上述离子注入面作为贴合面，经由透明黏着剂，使上述单晶硅基板与上述透明绝缘性基板密接的工序；使上述透明黏着剂固化的工序；机械性剥离上述单晶硅基板，制成单晶硅层的工序；在上述单晶硅层的上述剥离面侧，形成多个第二导电型的扩散区域，并制成在上述单晶硅层的上述剥离面，存在多个第一导电型区域与多个第二导电型区域的工序；在上述单晶硅层的上述多个第一、第二导电型区域上，分别形成多个个别电极的工序；形成各自的集电电极的工序；以及形成光反射膜的工序。由此可提供一种光封闭型单晶硅太阳能电池，将薄膜的光变换层制成结晶性高的单晶硅层。
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公开(公告)号：CN101981654A
公开(公告)日：2011-02-23
申请号：CN200980111732.5
申请日：2009-04-01
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/304 , H01L21/683 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L27/12
Abstract: 本发明提供了一种简便地制造SOI基板的方法，所述SOI基板为透明绝缘性基板，所述SOI基板具有：一个主表面，硅薄膜形成于该主表面上；粗糙的主表面，该粗糙的主表面位于形成所述硅薄膜一侧的相对侧。本发明提供了一种制造SOI基板的方法，所述基板至少包含透明绝缘性基板和硅薄膜，所述硅薄膜形成于作为所述透明绝缘性基板一个主表面的第一主表面上，而所述透明绝缘性基板的第二主表面是粗糙的，所述第二主表面为与第一主表面相对侧的主表面。所述方法至少包含下述工序：制备所述透明绝缘性基板的工序，作为所述透明绝缘性基板，所述第一主表面按RMS值计的表面粗糙度小于0.7nm，并且所述第二主表面按RMS值计的表面粗糙度大于所述第一主表面的表面粗糙度；以及在所述透明绝缘性基板的第一主表面上形成硅薄膜的工序。
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公开(公告)号：CN101978467A
公开(公告)日：2011-02-16
申请号：CN200980110193.3
申请日：2009-03-23
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: H01L21/02 , H01L21/265 , H01L21/306 , H01L27/12
CPC classification number: H01L21/76254 , H01L21/30608
Abstract: 本发明提供一种制造SOI晶片的方法，该方法能够有效去除存在于离子注入层中的离子注入缺陷层，所述离子注入层位于通过离子注入剥离方法剥离的剥离表面附近；确保基板的面内均一性；还能实现低成本和高产量。所述制造SOI晶片的方法至少包括以下工序：将硅晶片或含有氧化膜的硅晶片与支撑晶片贴合以制备贴合基板的工序，所述硅晶片通过注入氢离子和/或稀有气体离子而形成离子注入层；沿所述离子注入层进行剥离，从而将所述硅晶片转印至所述支撑晶片上，制成剥离后的SOI晶片的工序；将所述剥离后的SOI晶片在氨-过氧化氢水溶液中浸渍的工序；对经过所述氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片施以900℃以上的热处理的工序；和/或通过10-50nm的CMP研磨，对所述经过氨-过氧化氢水溶液浸渍的剥离后的SOI晶片的硅膜层进行研磨的工序。
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