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    シリコン芯線
    13.
    发明专利
    シリコン芯線 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020176034A

    公开(公告)日：2020-10-29

    申请号：JP2019079879

    申请日：2019-04-19

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 星野 成大 ,  岡田 哲郎 ,  石田 昌彦

    IPC: C01B33/035 ,  C01B33/02

    Abstract: 【課題】簡易的でコストがかからず、汚染の懸念がなく、倒壊の心配もない、長尺のシリコン芯線を提供すること。 【解決手段】本発明に係る第1の態様のシリコン芯線は、第1のシリコン細棒の一方端に形成された雄螺子部と第2のシリコン細棒の一方端に形成された雌螺子部とが螺合して締結されている。また、本発明に係る第2の態様のシリコン芯線は、第1のシリコン細棒の一方端に形成された螺子部と第2のシリコン細棒の一方端に形成された螺子部とが、両端部に螺子部が形成されたアダプタを介して螺合して締結されている。 【選択図】図1

    多結晶シリコン製造装置
    14.
    发明专利
    多結晶シリコン製造装置 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020132472A

    公开(公告)日：2020-08-31

    申请号：JP2019027952

    申请日：2019-02-20

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 星野 成大 ,  岡田 哲郎 ,  石田 昌彦

    IPC: F27D7/06 ,  F27D9/00 ,  F27D11/10 ,  C01B33/035

    Abstract: 【課題】多結晶シリコン製造装置の反応炉内のシール性および電極と底板間の絶縁性を高めることを可能とする技術の提供。 【解決手段】シリコン芯線に電力供給するための電極と底板部の間に一体型スリーブ構造の絶縁部材を設けることとし、シール部材を、絶縁部材の鍔部の少なくとも一部と絶縁部材の直胴部の少なくとも一部のそれぞれに配することとした。 【選択図】図1

    多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコン
    15.
    发明专利
    多結晶シリコン製造装置および多結晶シリコン 审中-公开

    公开(公告)号：JP2020132443A

    公开(公告)日：2020-08-31

    申请号：JP2019024192

    申请日：2019-02-14

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 岡田 哲郎 ,  星野 成大 ,  石田 昌彦

    IPC: C01B33/035

    Abstract: 【課題】電極の損傷やシリコンロッドの汚染を回避することを可能とする技術の提供。 【解決手段】芯線ホルダ14の下端側は、該芯線ホルダ14に通電する電極部10の頂部18と接しており、さらに、上記芯線ホルダ14の下端側から下方に延びた、電極部10に固定するための固定部17が設けられており、その下端部は螺合部17aとなっており、当該螺合部17は芯線ホルダ14が電極部10の頂部と接する面よりも下方に位置している。芯線ホルダ14の下端側が電極部10の頂部18と接している面の電気抵抗は、上記螺合部17aが締結される部位よりも低くなるように設計されている。 【選択図】図2

    多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒
    17.
    发明专利
    多結晶シリコン棒の製造方法および多結晶シリコン棒 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018123033A

    公开(公告)日：2018-08-09

    申请号：JP2017017412

    申请日：2017-02-02

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 宮尾 秀一 ,  星野 成大 ,  岡田 哲郎 ,  石田 昌彦 ,  祢津 茂義

    IPC: C01B33/035

    Abstract: 【課題】多結晶シリコン棒に内在する残留応力や結晶配向性を、単結晶シリコン製造用原料として好適なものとするための製造技術を提供すること。 【解決手段】本発明に係る多結晶シリコン棒の製造方法においては、反応炉内に複数対のシリコン芯線を配置してシーメンス法により多結晶シリコン棒を製造するに際し、多結晶シリコン棒の析出工程後の直径の平均値がD(mm)とし、前記複数対のシリコン芯線の相互間隔をL(mm)としたときに、D/Lの値を0.40以上で0.90以下の範囲に設定する。この製造方法において、前記析出工程中の多結晶シリコン棒の表面を、隣接する多結晶シリコン棒の表面からの輻射により加熱して、前記析出工程中の多結晶シリコン棒の中心温度(Tc)との表面温度(Ts)の差ΔT(=Tc−Ts)を100℃以下に制御するのが好ましい。 【選択図】なし

    トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法
    18.
    发明专利
    トリクロロシランの精製システムおよび多結晶シリコンの製造方法 审中-公开

    公开(公告)号：JP2018052765A

    公开(公告)日：2018-04-05

    申请号：JP2016188944

    申请日：2016-09-28

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 岸 亮太 ,  石田 昌彦 ,  祢津 茂義

    IPC: C01B33/035 ,  C01B33/107

    CPC classification number: C01B33/10778 ,  B01D3/009 ,  B01D3/14

    Abstract: 【課題】炭化水素類を含有するクロロシラン留分から高純度トリクロロシランを精製するに際して、大量のクロロシランを系外に排出する必要がなく、且つ、反応制御も容易に行えるトリクロロシランの精製技術を提供すること。 【解決手段】本発明では、クロロシラン留分中に含まれる炭化水素類の分離を容易化すべく熱分解により低沸点化する工程を精製システムの中に設けることとした。これにより、炭化水素類の熱分解による低沸点化と分離がトリクロロシランの精製サイクル中で行われることとなり、多量のクロロシラン類を系外に排出する必要がない。その結果、トリクロロシランの製造効率が高められ、多結晶シリコンの収率低下という問題も生じない。 【選択図】図2

    クロロシラン類、クロロシラン類の精製方法、および、シリコン結晶
    20.
    发明专利
    クロロシラン類、クロロシラン類の精製方法、および、シリコン結晶 有权
    氯化石蜡，氯化石净化方法和硅晶体

    公开(公告)号：JP2015202991A

    公开(公告)日：2015-11-16

    申请号：JP2014084013

    申请日：2014-04-15

    Applicant: 信越化学工業株式会社

    Inventor： 宮尾 秀一 ,  石田 昌彦 ,  祢津 茂義

    IPC: C01B33/02 ,  C01B33/107

    Abstract: 【課題】精製工程を複雑化することなく、クロロシラン類留出物中からリン(P)およびボロン(B)を同時に除去して、高純度クロロシラン類の製造を可能とする技術を提供すること。 【解決手段】本発明では、精製対象であるトリクロロシランを、不均化反応触媒としての陰イオン交換樹脂に流通させることにより、トリクロロシランに含まれている三塩化リン(PCl 3 )および三塩化ボロン(BCl 3 )を不均化せしめてホスフィン(PH 3 )とボラン(BH 3 )の複合物(PH 3 −BH 3 )を生成させる工程を設けることとした。そして、上記工程後のクロロシラン類から複合物(PH 3 −BH 3 )を蒸留分離することとすれば、精製工程を複雑化することなく、トリクロロシランからリン不純物とボロン不純物を同時に除去することが可能となる。 【選択図】図1

    Abstract translation: 要解决的问题：提供一种技术，可以通过同时从氯硅烷馏出物中除去磷（P）和硼（B），而不使净化步骤复杂化，生产高纯度氯硅烷。解决方案：本发明技术包括 通过阴离子交换树脂作为歧化反应催化剂将纯化 - 目标三氯硅烷分配到三氯硅烷中包含的三氯化磷（PCl）和三氯化硼（BCl）进行歧化反应以形成膦（PH）和硼烷的络合物（PH-BH） （BH）; 因此当从步骤后获得的氯硅烷中蒸馏分离络合物（PH-BH）时，可以同时从三氯硅烷中除去磷杂质和硼杂质，而不会使净化步骤复杂化。

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