公开(公告)号：CN109983562A

公开(公告)日：2019-07-05

申请号：CN201780072127.6

申请日：2017-11-10

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 田中佑宜 ,  北爪大地

IPC: H01L21/304 ,  B24B37/08 ,  B24B37/28

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用载体，在将半导体硅晶圆双面研磨的双面研磨装置中将该双面研磨装置用载体设置于各别贴附有研磨布的上下定盘之间，且该双面研磨装置用载体形成有用于在研磨之际将被夹在该上下定盘之间的该半导体硅晶圆予以支承的支承孔，其中该双面研磨装置用载体为树脂制，与该研磨布接触的表背面的相对于纯水的接触角度的平均值为45°以上60°以下，且表面与背面的接触角度的平均值的差为5°以内。由此提供使用树脂制载体的能提升半导体硅晶圆的研磨率的双面研磨装置用载体，以及使用此物的双面研磨装置及双面研磨方法。

公开(公告)号：CN108698192A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780012780.3

申请日：2017-02-17

Applicant: 信越半导体株式会社

Inventor： 北爪大地 ,  田中佑宜

IPC: B24B37/08 ,  B24B37/28 ,  H01L21/304

Abstract: 本发明提供一种双面研磨装置用的载体的制造方法，包含准备载体基材及比该载体基材更厚的插入材的准备步骤、将插入材嵌入支承孔而使插入材自载体基材的表面侧及背面侧两者表面突出的嵌入步骤、分别测定自载体基材的表面侧突出的插入材的表面侧突出量及自载体基材的背面侧突出的插入材的背面侧突出量的测定步骤、设定启用研磨载体时的上定盘及下定盘的转速而降低表面侧突出量及背面侧突出量的差值的设定步骤及以经设定的上定盘及下定盘的分别的转速而启用研磨载体的启用研磨步骤。由此能提高双面研磨后的晶圆的边缘部的平坦度。