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公开(公告)号：CN106061679A
公开(公告)日：2016-10-26
申请号：CN201580011151.X
申请日：2015-02-13
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: B24B37/28 , B24B37/08 , H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304 , B24B37/08 , B24B37/20 , B24B37/28 , H01L21/02024 , H01L21/67092 , H01L21/6835
Abstract: 本发明为一种双面研磨装置用载体的制造方法，在将形成有用于支承半导体晶圆的支承孔的齿轮形的双面研磨装置用载体进行研磨加工，此发明的特征为：使双面研磨装置具有用于支承双面研磨装置用载体的洞，并备有较双面研磨装置用载体的尺寸为大的齿轮形的外载体，将外载体以洞之中心为相对于外载体的中心为偏心的方式而设置，借由将双面研磨装置用载体收纳于洞而支承双面研磨装置用载体，于洞的中心相对于外载体的中心为偏心的状态下进行双面研磨装置用载体的研磨加工。如此一来，能改善研磨双面研磨装置用载体的状况时其厚度分布不均的问题。
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公开(公告)号：CN105531799A
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201480050581.8
申请日：2014-08-22
Applicant: 信越半导体株式会社
IPC: H01L21/304 , B24B37/11
CPC classification number: B24B37/005 , B24B37/20 , B24B49/12
Abstract: 本发明是一种研磨垫的评价方法，其评价用于研磨晶圆的研磨垫的使用期限，其特征在于，测定堆积在所述研磨垫上的研磨残渣的量，并基于该测定到的测定值来评价所述研磨垫的使用期限。由此，提供一种研磨垫的评价方法及晶圆的研磨方法，其能够实时地评价研磨垫的使用期限，且能够抑制研磨晶圆时的生产率及成品率的降低。
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公开(公告)号：CN102625741B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201080025296.2
申请日：2010-06-22
IPC: B24B37/24 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供了一种研磨垫，其能够提高对研磨液的亲和性，以谋求研磨性能的安定化。研磨垫10具备有胺基甲酸乙酯薄片2。胺基甲酸乙酯薄片2具有为了对被研磨物进行研磨加工的研磨面P。胺基甲酸乙酯薄片2是以干式成型法加以形成，是将混合有含异氰酸酯基化合物、水、整泡剂以及聚胺化合物的混合液反应硬化而成的聚胺基甲酸乙酯发泡体切片而形成的。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，大致均等分散地形成有发泡3。在研磨面P上，则形成有发泡3的一部分开口的开孔4。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，紧密形成的发泡3是以连通孔9相连通，当从研磨面P侧观察时，是以800个／cm2以上的比例形成连通孔9。研磨液则是通过连通孔9、发泡3而得以移动。
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公开(公告)号：CN102625741A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201080025296.2
申请日：2010-06-22
IPC: B24B37/24 , H01L21/304
CPC classification number: B24B37/24 , B24D3/32 , H01L21/02024
Abstract: 本发明提供了一种研磨垫，其能够提高对研磨液的亲和性，以谋求研磨性能的安定化。研磨垫10具备有胺基甲酸乙酯薄片2。胺基甲酸乙酯薄片2具有为了对被研磨物进行研磨加工的研磨面P。胺基甲酸乙酯薄片2是以干式成型法加以形成，是将混合有含异氰酸酯基化合物、水、整泡剂以及聚胺化合物的混合液反应硬化而成的聚胺基甲酸乙酯发泡体切片而形成的。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，大致均等分散地形成有发泡3。在研磨面P上，则形成有发泡3的一部分开口的开孔4。在胺基甲酸乙酯薄片2内部，紧密形成的发泡3是以连通孔9相连通，当从研磨面P侧观察时，是以每单位面积800个/cm2以上的比例形成连通孔9。研磨液则是通过连通孔9、发泡3而得以移动。
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