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公开(公告)号：TW201816156A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106120191
申请日：2017-06-16
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 柴田雅敏 , SHIBATA, MASATOSHI , 竹嶋基浩 , TAKESHIMA, MOTOHIRO
Abstract: 本發明係一種氧化物燒結體，其包含In2O3所表示之方鐵錳礦相、及Y3In2Ga3O12所表示之石榴石相。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种氧化物烧结体，其包含In2O3所表示之方铁锰矿相、及Y3In2Ga3O12所表示之石榴石相。
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公开(公告)号：TW201806908A
公开(公告)日：2018-03-01
申请号：TW106113998
申请日：2017-04-26
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 柴田雅敏 , SHIBATA, MASATOSHI , 糸瀨麻美 , ITOSE, MAMI
Abstract: 一種氧化物燒結體，其特徵在於：含有含In元素、Zn元素、Sn元素及Y元素之氧化物，且燒結體密度為理論密度之100.00%以上。
Abstract in simplified Chinese: 一种氧化物烧结体，其特征在于：含有含In元素、Zn元素、Sn元素及Y元素之氧化物，且烧结体密度为理论密度之100.00%以上。
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公开(公告)号：TW201735358A
公开(公告)日：2017-10-01
申请号：TW105142985
申请日：2016-12-23
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 関谷隆司 , SEKIYA, TAKASHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 川嶋絵美 , KAWASHIMA, EMI , 上岡義弘 , UEOKA, YOSHIHIRO
IPC: H01L29/24 , H01L29/47 , H01L29/872
Abstract: 本發明係一種半導體元件1，其特徵在於：具有隔開之一對歐姆電極20及肖特基電極10、以及與上述歐姆電極20及上述肖特基電極10相接之半導體層30，且滿足下述式(I)(式中，n為上述半導體層之載子濃度(cm-3)，ε為上述半導體層之介電常數(F/cm)，Ve為上述歐姆電極與上述肖特基電極之間之正向有效電壓(V)，q為基本電荷(C)，L為上述歐姆電極與上述肖特基電極之間之距離(cm))。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种半导体组件1，其特征在于：具有隔开之一对欧姆电极20及肖特基电极10、以及与上述欧姆电极20及上述肖特基电极10相接之半导体层30，且满足下述式(I)(式中，n为上述半导体层之载子浓度(cm-3)，ε为上述半导体层之介电常数(F/cm)，Ve为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间之正向有效电压(V)，q为基本电荷(C)，L为上述欧姆电极与上述肖特基电极之间之距离(cm))。
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公开(公告)号：TWI567045B
公开(公告)日：2017-01-21
申请号：TW101132593
申请日：2012-09-06
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 松崎滋夫 , MATSUZAKI, SHIGEO , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI
CPC classification number: H01J37/3426 , C04B35/01 , C04B2235/3217 , C04B2235/3232 , C04B2235/3244 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/3418 , C04B2235/5445 , C04B2235/6565 , C04B2235/72 , C04B2235/725 , C04B2235/762 , C04B2235/77 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/3414 , C23C14/3464 , C23C14/352 , H01J37/34 , H01L21/02422 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L27/1225 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201533005A
公开(公告)日：2015-09-01
申请号：TW103145552
申请日：2014-12-25
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI , 柴田雅敏 , SHIBATA, MASATOSHI , 宇都野太 , UTSUNO, FUTOSHI , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 石原悠 , ISHIHARA, YU
IPC: C04B35/01 , C04B35/50 , C04B35/64 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/363 , H01L21/336 , H01L29/786
CPC classification number: H01J37/3429 , C04B35/01 , C04B35/64 , C04B2235/3217 , C04B2235/3222 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3229 , C04B2235/3286 , C04B2235/3293 , C04B2235/5445 , C04B2235/602 , C04B2235/604 , C04B2235/6562 , C04B2235/6567 , C04B2235/762 , C04B2235/764 , C04B2235/786 , C04B2235/80 , C23C14/08 , C23C14/083 , C23C14/086 , C23C14/3414 , H01J37/3426 , H01J37/3491 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L29/66969 , H01L29/7869
Abstract: 本發明係一種氧化物燒結體，其包含含有In2O3之方鐵錳礦相、及A3B5O12相(式中，A為選自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所組成之群中之一種以上之元素，B為選自由Al及Ga所組成之群中之一種以上之元素)。
Abstract in simplified Chinese: 本发明系一种氧化物烧结体，其包含含有In2O3之方铁锰矿相、及A3B5O12相(式中，A为选自由Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb及Lu所组成之群中之一种以上之元素，B为选自由Al及Ga所组成之群中之一种以上之元素)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：TWI469345B
公开(公告)日：2015-01-11
申请号：TW097148190
申请日：2008-12-11
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 矢野公規 , YANO, KOKI , 川嶋浩和 , KAWASHIMA, HIROKAZU , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 笠見雅司 , KASAMI, MASASHI
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/324
CPC classification number: H01L29/24 , H01L29/66969 , H01L29/78603 , H01L29/78606 , H01L29/78633 , H01L29/7869
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公开(公告)号：TWI467761B
公开(公告)日：2015-01-01
申请号：TW098101545
申请日：2009-01-16
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 矢野公規 , YANO, KOKI , 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L21/28
CPC classification number: H01L29/7869
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公开(公告)号：TW201351664A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102129390
申请日：2011-12-28
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 松崎滋夫 , MATSUZAKI, SHIGEO , 矢野公規 , YANO, KOKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 本發明之積層結構之特徵在於：其係包含氧化物層及絕緣層者，且上述氧化物層之載體濃度為1018/cm3以下，平均結晶粒徑為1μm以上，上述氧化物層之結晶以柱狀配置於上述絕緣層之表面上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之积层结构之特征在于：其系包含氧化物层及绝缘层者，且上述氧化物层之载体浓度为1018/cm3以下，平均结晶粒径为1μm以上，上述氧化物层之结晶以柱状配置于上述绝缘层之表面上。
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公开(公告)号：TW201351663A
公开(公告)日：2013-12-16
申请号：TW102129389
申请日：2011-12-28
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 霍間勇輝 , TSURUMA, YUKI , 松崎滋夫 , MATSUZAKI, SHIGEO , 矢野公規 , YANO, KOKI
IPC: H01L29/786 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/7869 , C23C14/086 , H01L21/02488 , H01L21/02554 , H01L21/02565 , H01L21/02631 , H01L21/02667 , H01L29/66742 , H01L29/66969
Abstract: 本發明之積層結構之特徵在於：其係包含氧化物層及絕緣層者，且上述氧化物層之載體濃度為1018/cm3以下，平均結晶粒徑為1μm以上，上述氧化物層之結晶以柱狀配置於上述絕緣層之表面上。
Abstract in simplified Chinese: 本发明之积层结构之特征在于：其系包含氧化物层及绝缘层者，且上述氧化物层之载体浓度为1018/cm3以下，平均结晶粒径为1μm以上，上述氧化物层之结晶以柱状配置于上述绝缘层之表面上。
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公开(公告)号：TW201341603A
公开(公告)日：2013-10-16
申请号：TW102106926
申请日：2005-03-24
Applicant: 出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
Inventor： 井上一吉 , INOUE, KAZUYOSHI , 松原雅人 , MATSUBARA, MASATO , 笘井重和 , TOMAI, SHIGEKAZU , 島根幸朗 , SHIMANE, YUKIO
CPC classification number: H01B1/08 , C23C14/08 , C23C14/3414 , H01L31/022466
Abstract: 本發明提供濺鍍時不產生結粒(Nodule)之標靶。本發明亦提供蝕刻性優越，而且特別是400至450 nm區域之透明性優越的非晶質透明導電膜。本發明之濺鍍靶為含有氧化銦、氧化鋅、氧化鎂之濺鍍靶，該濺鍍靶於濺鍍時不產生結粒。又本發明之含有氧化銦、氧化鋅、氧化鎂之非晶質透明導電膜該非晶質透明導電體蝕刻性優越，且400至450 nm區域之光線透過率高。
Abstract in simplified Chinese: 本发明提供溅镀时不产生结粒(Nodule)之标靶。本发明亦提供蚀刻性优越，而且特别是400至450 nm区域之透明性优越的非晶质透明导电膜。本发明之溅镀靶为含有氧化铟、氧化锌、氧化镁之溅镀靶，该溅镀靶于溅镀时不产生结粒。又本发明之含有氧化铟、氧化锌、氧化镁之非晶质透明导电膜该非晶质透明导电体蚀刻性优越，且400至450 nm区域之光线透过率高。
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