-
公开(公告)号：CN103193216A
公开(公告)日：2013-07-10
申请号：CN201310126385.1
申请日：2013-04-12
Applicant: 北京大学
Abstract: 本发明公开了一种碳纳米复合材料的制备方法，属于纳米材料的研制领域。该方法利用CVD方法制备单层或多层石墨烯；然后将石墨烯转移到目标衬底上；在石墨烯与目标衬底的结构上面涂覆光刻胶，用电感耦合等离子体方法轰击，使光刻胶变性，然后泡掉残余的光刻胶；将经过轰击的光刻胶、石墨烯和目标衬底一并进行高温处理，使光刻胶碳化，形成碳纳米复合材料。本发明所得到的密集分布的有较高的导电性能的大比面积的碳纳米材料的厚度大概为50～200nm，各个碳纳米线条的直径大概为十几纳米，长度为数十纳米。
-
公开(公告)号：CN103864699B
公开(公告)日：2016-04-06
申请号：CN201210531716.5
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: C07D239/56 , A61K31/513 , A61P31/20 , A61P31/18 , A61P31/14
Abstract: 本发明涉及具有抗HBV病毒且兼具抗HIV和HCV病毒活性的一类非核苷S-DABOs类嘧啶酮衍生物，化学结构见通式I，式中各个基团的定义如权利要求书所述。化学合成出的新化合物采用非核苷类嘧啶酮为母核，在抑制HBV病毒时不易产生耐药性且由于避开了与机体底物相竞争的机制，因此具有相对较小的毒副作用。同时新合成的化合物对HIV和HCV病毒也有一定的抑制作用。通式I，其中，R1为H，CH3，F；R2为(p-NO2)C6H5CH2，(p-CN)C6H5CH2，(p-CH3CO)C6H5CH2，(p-CH3OOC)C6H5CH2，(p-NO2)C6H5OCH2CH2，(p-NO2)C6H5CH2CH2，C6H5OCH2CH2CH2，C6H5CH2OCH2，(p-NO2)C6H5CH2CH2CH2，(p-NH2)C6H5CH2CH2CH2，(p-NHAc)C6H5CH2CH2，(p-NHAc)C6H5CH2CH2CH2；R3为H，I。
-
公开(公告)号：CN103903961A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410145622.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285 , H01L21/0228 , C23C16/40 , C23C16/45525 , H01L29/66477
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103864699A
公开(公告)日：2014-06-18
申请号：CN201210531716.5
申请日：2012-12-11
Applicant: 北京大学
IPC: C07D239/56 , A61K31/513 , A61P31/20 , A61P31/18 , A61P31/14
CPC classification number: C07D239/56
Abstract: 本发明涉及具有抗HBV病毒且兼具抗HIV和HCV病毒活性的一类非核苷S-DABOs类嘧啶酮衍生物，化学结构见通式I，式中各个基团的定义如权利要求书所述。化学合成出的新化合物采用非核苷类嘧啶酮为母核，在抑制HBV病毒时不易产生耐药性且由于避开了与机体底物相竞争的机制，因此具有相对较小的毒副作用。同时新合成的化合物对HIV和HCV病毒也有一定的抑制作用。通式IR1为H，CH3，F；R2为(p-NO2)C6H5CH2，(p-CN)C6H5CH2，(p-CH3CO)C6H5CH2，(p-CH3OOC)C6H5CH2，(p-NO2)C6H5OCH2CH2，(p-NO2)C6H5CH2CH2，C6H5OCH2CH2CH2，C6H5CH2OCH2，(p-NO2)C6H5CH2CH2CH2，(p-NH2)C6H5CH2CH2CH2，(p-NHAc)C6H5CH2CH2，(p-NHAc)C6H5CH2CH2CH2；R3为H，I。
-
公开(公告)号：CN102133172A
公开(公告)日：2011-07-27
申请号：CN201110044677.1
申请日：2011-02-22
Applicant: 北京大学
IPC: A61K9/00 , A61K31/337 , A61K47/34 , A61P35/00
Abstract: 本发明公开了一种紫杉醇纳米胶束及其应用。一种紫杉醇纳米胶束，为如下1)或2)或3)所示：1)由载体和紫杉醇制备而成；所述载体为聚乙二醇-二硬脂酰磷脂酰乙醇胺、聚乙二醇1000维生素E琥珀酸酯和地喹氯铵的混合物；2)由载体和紫杉醇制备而成；所述载体为聚乙二醇-二硬脂酰磷脂酰乙醇胺和聚乙二醇1000维生素E琥珀酸酯的混合物；3)由载体和紫杉醇制备而成；所述载体为聚乙二醇-二硬脂酰磷脂酰乙醇胺。本发明的功能化紫杉醇纳米胶束在口服给药后能使紫杉醇通过胃肠道屏障，克服耐药性乳腺癌的多药耐药性。本发明的功能化紫杉醇纳米胶束口服剂型能避免过敏反应，可用于众多的癌症病人，同时适用于多药耐药肿瘤，比当前的静脉注射剂型有更大的优越性。
-
公开(公告)号：CN103903961B
公开(公告)日：2017-05-03
申请号：CN201410145622.3
申请日：2014-04-11
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455 , C23C16/04
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 本发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E‑4至1E‑7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
-
公开(公告)号：CN102838549A
公开(公告)日：2012-12-26
申请号：CN201110170524.1
申请日：2011-06-23
Applicant: 北京大学
IPC: C07D239/545 , C07D239/553 , A61K31/513 , A61P31/18
Abstract: 本发明涉及具有抗HIV病毒的新一类1，5，6-取代的嘧啶类衍生物，化学结构见通式I，式中各个基团的定义如权利要求书所述。化学合成出的新化合物的构象更有利于与HIV-1逆转录酶结合，从而更有利于其抑制逆转录酶的活性，同时对耐药的HIV病毒株也有抑制作用。因而成为新一类高活性的HIV-1逆转录酶抑制剂。进一步涉及此类化合物作为HIV-1逆转录酶抑制剂作为治疗艾滋病药物的应用。通式IR1为Cl，Br，I，NO2，NH2，NHCH3，N(CH3)2等取代基；R2为CH3，Ph，取代芳烃；R3为H，F；R为O，CH2。
-
公开(公告)号：WO2015154724A1
公开(公告)日：2015-10-15
申请号：PCT/CN2015/076420
申请日：2015-04-13
Applicant: 北京大学
IPC: H01L21/02 , H01L21/285 , C23C16/455
CPC classification number: C23C16/455 , H01L21/02 , H01L21/285
Abstract: 发明公开了一种在石墨烯材料上淀积高k栅介质的方法及应用，属于集成电路技术领域，该方法首先选取表面平整、无缺陷或少缺陷的石墨烯材料作为淀积高k介质的基底样品；将基底样品放入扫描电子显微镜的真空腔室，抽真空至5E-4至1E-7范围，用低能量的聚焦电子束扫描基底样品表面30s至5min，低能电子束加速电压为1～15kV；扫描过程中在基底样品表面淀积上一薄层无定形碳薄膜，厚度在0.3nm至3nm范围内；将电子束处理过的基底样品放入ALD装置中，进行高k介质材料的淀积。本发明可在无悬挂键的材料表面照样利用ALD进行介质淀积，并获得连续、均匀、致密的高质量材料，大大扩展ALD的适用范围。
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
18
records
(took 0.042 seconds)
