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公开(公告)号：CN101088657A
公开(公告)日：2007-12-19
申请号：CN200710118948.7
申请日：2007-06-15
Abstract: 本发明涉及多元复合钨电极旋锻串打设备工艺，属于稀土难熔金属材料加工领域。本发明对经过B203旋锻后的坯条，在B202阶段采用三道工序即钨条在1450～1500℃依次经过Φ6.0－Φ5.6旋锻模加工；在1400～1450℃依次经过Φ5.2－Φ4.8旋锻模加工；在1400～1450℃依次经过Φ4.4－Φ4.1旋锻模加工。在B201阶段经过两道次加工，即钨条在1400～1450℃依次经过Φ3.9－Φ3.6旋锻模加工；在1350～1400℃依次经过Φ3.3－Φ3.0旋锻模加工，经上述加工可得到Φ6－Φ3的多元复合稀土钨电极材料。本发明简化了生产工艺，提高了生产效率，同时经济节能。
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公开(公告)号：CN1329538C
公开(公告)日：2007-08-01
申请号：CN200510115767.X
申请日：2005-11-11
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属高温超导强化韧性材料领域。目前在Ag合金或者是Ag-Cu复合基底强化了的基带表面没有形成单一稳定{110} 双轴织构。本方法步骤：将Mg粉和Ag粉氩气保护下熔融，制成Ag0.90Mg0.10或Ag0.99Mg0.01初始铸锭后轧制至1-4mm厚；按照Ag箔-Cu箔-AgMg初始铸锭-Cu箔-Ag箔或Ag箔-Cu箔-AgMg初始铸锭的顺序冷压获的多层铸锭，厚度5mm～13mm，其中Ag箔厚度3mm～8.5mm，Cu箔厚度30μm～40μm；800℃～850℃真空退火3～5小时；退火后冷轧，道次变形量为10%～15%，总变形量在95%以上，得到300μm～100μm的基带；800℃～850℃真空或氩气条件下退火3～5小时，然后在850℃～900℃氧气退火3～5小时，得到最终产品。本发明的复合基带具有较强机械强度，同时Ag表面获得{110} 织构，可作为用于沉积YBa2Cu3O7-δ高温超导膜的基带或Bi系带材包套材料。
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公开(公告)号：CN1740357A
公开(公告)日：2006-03-01
申请号：CN200510104828.2
申请日：2005-09-23
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属高温超导涂层韧性基带及超导薄膜制备领域。熔炼易造成W不均匀分布，浇铸易形成空洞，密度低，需后续热锻提高致密度，但引起材料表面氧化。粉末冶金周期长，温度高，晶粒粗大，密度低。本发明步骤：Ni粉和W粉，纯度99.9％以上，粒度为3～6微米，合金成分W的原子百分比为3～7％；混合均匀后装入模具中放电等离子烧结；温度800℃～1200℃，保温0～10分钟；压强30－80MPa；室温下对Ni－W板冷轧，道次变形量为5～15％，总变形量大于97％；用Ar混合H2气氛再结晶退火，H2体积百分比为4％，温度900～1300℃，退火0.5～3小时。本发明简单快速，得到成分均匀、晶粒细小的合金块，很强的单一组分{100} 再结晶织构的多晶Ni－W基带，用于沉积YBCO高温超导膜。
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公开(公告)号：CN1632961A
公开(公告)日：2005-06-29
申请号：CN200410086895.1
申请日：2004-11-05
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种层状钴基氧化物热电材料的制备方法，属于功能材料中的氧化物热电材料领域。针对传统固相合成方法存在反应温度较高、反应时间相对较长以及化学均匀性不好、能耗大，难以获得细晶粒尺寸热电化合物等问题。该方法将反应原料分别按Ca2Co2O5、Ca3Co4O9、MxCa2－xCo2O5、MxCa3－xCo4O9，其中M＝Cu，Ag，La，Ce，x＝0.05~0.5之一中阳离子的计量比配置成浓度为0.1～0.5mol/l的溶液，在搅拌下滴加氢氧化钠、碳酸钠、草酸铵之一或其混合液的共沉淀剂，控制pH值在12.5～13.6，沉淀，经过滤、洗涤干燥成前驱粉末；于600～800℃下煅烧2～6小时，装入模具中，压实用放电等离子烧结设备烧结，温度为700～900℃，保温5～10min。本发明较低的反应温度及较短时间，合成一种化学均匀性高、稳定性好、晶粒均匀的钴基氧化物热电材料。
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公开(公告)号：CN1181503C
公开(公告)日：2004-12-22
申请号：CN02153471.3
申请日：2002-11-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土-铁-硼永磁材料的制备方法，属于磁性材料技术领域。该制备方法依次包括步骤如下：采用目前烧结NdFeB的制粉工艺获取R(稀土)-Fe-B原料粉末，然后装入SPS专用模具进行磁场取向和压型；将上述R(稀土)-Fe-B原料粉末连同模具在真空或惰性气体保护下进行放电等离子烧结，烧结条件为：加热速度30-300℃/min，烧结温度700-900℃，加压10-700MPa，保温时间0-30min，冷却速度10-100℃/min；烧结后磁体进行二级热处理，其中第一级热处理温度900-1100℃，时间1-3h，第二级热处理温度600-900℃，时间1-3h。采用该方法制备的稀土-铁-硼永磁材料同时具有高耐腐蚀性、高磁性能和高尺寸精度。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1153347C
公开(公告)日：2004-06-09
申请号：CN01138664.9
申请日：2001-12-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 阴极材料发射性能测量用电脉冲装置，属材料性能检测领域，包括有高压可控整流滤波电路，矩形脉冲发生电路和故障检测电路，其中高压可控整流滤波电路包括有依次相连的升压电路(1)、可控整流电路(2)，电压给定电路(3)和滤波电路(4)，其作用是向斩波电路(5)输出0-1000V的直流电压；矩形脉冲发生电路包括有斩波电路(5)、驱动电路(6)和脉冲控制电路(7)，脉冲控制电路(7)输出脉冲信号给驱动电路(6)进而控制斩波电路(5)输出脉冲电压加在阴极材料测试台(10)上；故障检测电路包括有取样电路(8)和过流检测电路(9)；可控整流电路(2)和驱动电路(6)有接至计算机的D/A接口，过流检测电路(9)有接至计算机的A/D接口。
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公开(公告)号：CN1402291A
公开(公告)日：2003-03-12
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1－10％，铼占0－5％，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1－10％的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入0－5％的铼，在氢气气氛中，500－650℃下还原0.5－1.5小时，800－1000℃下还原保温1－3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN1089813C
公开(公告)日：2002-08-28
申请号：CN99109750.5
申请日：1999-07-12
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种电子管阴极材料及其制备方法属于稀土金属-钼材料技术领域。本发明的电子管阴极材料，它含有La2O3和Y2O3中的一种或两种稀土氧化物，稀土氧化物占钼的总重量为3.0～5.0%。电子管阴极材料的制备方法采用的一次碳化工艺中，碳化温度控制在1300～1500℃之间，碳化时间为8分钟，碳化时苯压为8.5～9.5Pa，碳化度为5～10%，碳化后在丝材表面形成Mo2C层，晶粒取向与丝材表面垂直。用该方法制备出的电子管阴极材料，工作温度低，寿命长。
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公开(公告)号：CN1360079A
公开(公告)日：2002-07-24
申请号：CN01139972.4
申请日：2001-11-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料,其特征在于:它含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物,其稀土氧化物占钼的总重量为10－40%(重量百分比),其中,La2O3∶Y2O3=1∶3(重量比)。该二元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中,以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的二元稀土氧化物La2O3和Y2O3,然后在500－550℃的氢气中处理1－5小时,经过800－1000℃的还原处理后,得到掺杂稀土氧化物的钼粉,然后采用粉末冶金的方法制备稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好。该材料应用于磁控管次级发射材料领域。
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公开(公告)号：CN1351905A
公开(公告)日：2002-06-05
申请号：CN01134722.8
申请日：2001-11-09
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 本发明属于金属载体表面预处理技术领域。本发明所提供的金属载体表面的预处理方法,其特征在于:将金属箔材进行阳极氧化使其表面形成氧化膜过渡层,电解液为2～8%(重量百分比)的草酸,氧化电压8～12V,氧化时间5～120s。将氧化后的金属箔材浸入Al(OH)3胶体溶液中,Al(OH)3胶体溶液对氧化膜完全浸润,浸渍凝固后的Al(OH)3胶体与氧化箔材结合较好。通过该方法处理后的金属载体表面可实现催化剂的担载。
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