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公开(公告)号:CN108447993A
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201810222568.6
申请日:2018-03-19
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/44
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/447
Abstract: 本发明公开了一种光学间隔层倒置聚合物太阳能电池,属于有机光电器件技术领域,从下到上的结构依次为透明衬底、导电阴极、光学间隔层、吸光层、阳极缓冲层及金属电极;其中,所述光学间隔层的材料为掺杂铯、硼、铝、镓、铟、镁、锶、钡的氧化锌,掺杂钒、铯、铌的氧化钛中的一种,掺杂物质的浓度为0mol/L-0.5mol/L,单层光学间隔层的折射率为1.1-2.2。本发明采用折射率渐变或交替变化的多层半导体薄膜作为光学间隔层,能够更有效的调节器件内光强的分布,进而提高器件吸光层的光吸收。
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公开(公告)号:CN108261193A
公开(公告)日:2018-07-10
申请号:CN201810222559.7
申请日:2018-03-19
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明公开了及一种基于心冲击信号的非入侵式非直接接触式的连续血压测量装置及方法,属于生理信号检测和信号处理技术领域,包括心冲击信号采集装置、模数转换模块及PC端;所述心冲击信号采集装置采集心冲击模拟信号,然后传输给模数转换模块将心冲击模拟信号转换为心冲击数字信号,最后PC端通过心冲击数字信号提取心冲击信号的传导时间,并利用传导时间获得血压值。本发明的血压测量装置及方法具有非入侵、非直接接触的特点,可在人平躺或者坐靠时不知不觉地进行连续血压测量,这种状态能减轻被测者的心理负担,使其情绪放松,使得血压测量更加准确,另外测量时操作也十分方便。
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公开(公告)号:CN105514281A
公开(公告)日:2016-04-20
申请号:CN201610074023.6
申请日:2016-02-02
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/42 , H01L51/44 , H01L51/46 , H01L51/48 , H01L21/324
CPC classification number: Y02E10/549 , H01L51/42 , H01L21/324 , H01L51/44
Abstract: 一种对聚合物太阳能电池无机纳米柱阵列电子传输层进行后处理方法,属于有机光电器件技术领域。其首先是在透明阴极上制备无机纳米柱阵列电子传输层,然后用去离子水超声清洗该无机纳米柱阵列电子传输层,并用氮气吹干;将清洗后的无机纳米柱阵列电子传输层浸泡在分析纯级别的异丙醇溶液中超声清洗,然后用氮气吹干;将清洗后的无机纳米柱阵列电子传输层进行热退火,从而完成对无机纳米柱阵列电子传输层的后处理。该方法不仅可以改善无机纳米柱阵列与有源层接触界面的表面形貌,降低器件的串联电阻;并且能够提高无机纳米柱阵列的致密性和均匀性,增强器件的电子迁移率,进而提高PSC器件的整体性能。
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公开(公告)号:CN100459216C
公开(公告)日:2009-02-04
申请号:CN200710055435.6
申请日:2007-03-21
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于有机电致发光领域,涉及一种有机电致白光器件。该白光器件包括透明基片(1)、阳极层(2)、有机空穴注入层(3)、有机空穴传输层(4)、有机发光层(5)、有机空穴阻挡层(6)、电子传输层(7)以及阴极层(8);其中有机发光层(5)为多发光层结构,由蓝光发光层、绿光发光层、黄光和红光发光层组成,其中蓝光发光层发射荧光,另外两个发光层发射磷光。通过在两层磷光发光层之间加入一层双传输极性的母体材料消除该两个发光层相互之间的能量转移以及交换该两层磷光发光层的位置可进一步提高器件的发光效率和亮度,能够得到比较接近于可实用化白光照明水平的器件,在显示以及照明领域有广阔的应用前景。
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公开(公告)号:CN100365847C
公开(公告)日:2008-01-30
申请号:CN200510016594.6
申请日:2005-02-26
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明属于光电子器件领域,具体涉及有机电致发光器件铟锡氧化物(Indium Tin-Oxide,简称ITO)电极的一种处理方法,其过程是:首先将经过预处理的ITO电极和衬底用浓度为5-1000mg/L的高锰酸钾溶液超声清洗2-60分钟;接着使用高速旋转法使ITO电极表面上的高锰酸钾溶液均匀,并且使衬底(10)和ITO电极(11)干燥;然后将处理好的ITO电极应用于有机电致发光器件的制备中。本发明所述的电极的处理方法具有工艺简单且与现有的工业生产中的ITO电极清洗工艺设备兼容性好的特点。经过处理的ITO电极用于有机电致发光器件制作时,可明显地增强发光器件的性能,如提高发光效率和亮度等。
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公开(公告)号:CN1140890C
公开(公告)日:2004-03-03
申请号:CN01114143.3
申请日:2001-06-26
Applicant: 吉林大学
Abstract: 一种在彩色有机发光显示屏的制作中采用掩模板与衬底相对移动依次蒸镀三基色有机物发光层的方法。它是利用薄的金属板作为掩模板,采用在真空室内掩模板与衬底的相对移动将掩模板的第一条线依次与铟锡氧化物(ITO)图形的第一、二、三条线对准,同时掩模板的第二条线将依次与ITO图形的四、五、六条线对准,依此类推。这样,三基色有机发光材料便可被依次蒸镀到衬底的指定位置上。
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公开(公告)号:CN1331194C
公开(公告)日:2007-08-08
申请号:CN200410010970.6
申请日:2004-06-30
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明涉及一种具有金属上扩散层的金属诱导多晶硅薄膜的制造方法,包括①在绝缘衬底(10)上沉积非晶硅薄膜(11);②在(11)上沉积金属隔离层(12);③在(12)上蒸发一层诱导金属层(13);④在(13)之上沉积一层介质作为金属上扩散层(14);⑤在保护气体中采用低温(<600℃)退火,实现非晶硅到多晶硅的晶化;⑥采用刻蚀工艺将金属上扩散层(14)、诱导金属层(13)、金属隔离层(12)去除等步骤。采用本发明的方法,可对进入非晶硅层的金属原子数量进行调控,以获得大晶粒的多晶硅薄膜;同时金属与硅层不直接接触,避免了残留金属的污染;还可增加诱导金属层的厚度,提高工艺的可操作性和可重复性。
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公开(公告)号:CN1595662A
公开(公告)日:2005-03-16
申请号:CN200410010983.3
申请日:2004-07-08
Applicant: 吉林大学
IPC: H01L29/786
Abstract: 本发明涉及多栅双沟道结构多晶硅薄膜晶体管,由绝缘基底(1)、SiO2缓冲层(51)、栅电极绝缘层(53)、在栅电极绝缘层(53)内的两个顶栅电极(24)、漏区(3)、源区(4)组成,SiO2缓冲层(51)上还生长有一层栅电极绝缘层(52),在栅电极绝缘层(52)内有底栅电极(23),底栅电极(23)与顶栅电极(24)通过栅电极连接孔(25)连接;在栅电极绝缘层(52)上生长有多晶硅薄膜形成的沟道(6)。本发明的TFT器件与在同样条件下制备的TFT有着同量级关态漏电流的同时,具有开态电流增加一倍、相同宽长比TFT驱动负载能力增大、提供同样电流在集成矩阵中占更小面积、有效提高开口率等优良效果。
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公开(公告)号:CN1189587C
公开(公告)日:2005-02-16
申请号:CN03111338.9
申请日:2003-03-30
Applicant: 吉林大学
Abstract: 本发明属于机械领域,具体涉及一种安装于有机发光镀膜机基片架前的具有自动识别功能的小挡板。基片小挡板由安装在托板上的两个半圆形能够开合并与基片架同步公转的平板构成的基片小挡板(37)、磁力传动机械手(31)、推拉控制板(38)、传感器(44)和位置探测器(45)及自动识别电路构成。半圆形小挡板(37)与推拉控制板(38)一同安装在托板(12)上,托板(12)安装在行星式旋转基片架(8)的公转轴(13)上,位于基片(7)及大挡板(6)之间,与行星式旋转基片架(8)同步转动。小档板可以很方便地对相应基片的镀膜条件进行控制,从而实现在一个实验周期内作出多个试样的目的,从而有效地提高有机镀膜的工作效率。
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