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公开(公告)号：CN108585852A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810443144.2
申请日：2018-05-10
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/499 , C04B35/622 , C04B41/88 , H01L41/18 , H01L41/187
Abstract: 一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用，本发明属于功能陶瓷材料领域，具体涉及一种镨掺杂铌铟镁酸铅-钛酸铅发光压电陶瓷、制备方法及其应用。本发明要解决现有稀土元素掺杂压电陶瓷机电性能偏低的问题。压电陶瓷的化学式为0.24Pb(In1/2Nb1/2)O3-0.42Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-0.34PbTiO3:xPr3+，其中x为摩尔分数，0＜x≤0.02。制备方法为先合成InNbO4和MgNb2O6前驱体，然后以InNbO4、MgNb2O6、PbO、TiO2和Pr6O11为原料制备，再镀金电极及极化处理，即得到压电陶瓷。本发明用于高灵敏度温度传感和电光调控。
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公开(公告)号：CN103469307B
公开(公告)日：2016-04-27
申请号：CN201310459769.5
申请日：2013-09-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体，它涉及一种铌酸钾钠基压电晶体及其制备方法。本发明要解决现有技术制备过程中铌酸钾钠基压电晶体生长困难、尺寸小的问题。四方相锂锑钽共掺杂铌酸钾钠基压电晶体的化学式为[(K1-xNax)1-yLiy](Nb1-z-tTazSbt)O3，其中0.3
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公开(公告)号：CN103911663B
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201410154971.1
申请日：2014-04-17
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种高压电性能的锂锰掺杂钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶的制备方法，它涉及一种钙钛矿结构铌钽酸钾钠无铅压电单晶及其制备方法。本发明的目的是要解决现有发明制备的铌酸钾钠晶体及锂、钽或锰掺杂铌酸钾钠晶体存在漏电，组份不均匀，机电耦合系数和压电系数低的问题。本发明制备的单晶化学式为[(NayK1-y)1-xLix](Nb1-zTaz)O3:Mn，其中，0.01
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公开(公告)号：CN103540899B
公开(公告)日：2015-06-17
申请号：CN201310541663.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法，它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法：一、制备银/二氧化硅复合靶材；二、清洗衬底；三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上；四、抽真空后通入氧气；五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层；六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层，只需使用两种原料，在真空腔中制备避免了杂质引入，室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用，在医疗、电子等领域潜在应用广泛；本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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公开(公告)号：CN104593733A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510079267.9
申请日：2015-02-13
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 铜掺杂氧化锌纳米棒的脉冲激光沉积制备方法，它涉及一种气敏纳米材料的沉积方法。本发明是要解决现有制备铜掺杂氧化锌纳米棒的方法存在化学原料种类多、反应过程复杂，容易引入杂质的问题。本方法如下：一、制备掺铜氧化锌陶瓷靶材；二、利用脉冲激光对靶材进行烧蚀，获得籽晶层；三、激光烧蚀靶材20-120min，得掺铜氧化锌纳米结构。本发明采用脉冲激光沉积法制备掺铜氧化锌纳米棒，使用原料简单，只需两种原料，并且在真空腔中进行生产，样品结晶质量高，避免引入杂质，且掺杂组分可控性好，本发明属于铜掺杂氧化锌纳米棒的制备领域。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102664218B
公开(公告)日：2014-06-25
申请号：CN201210171108.8
申请日：2012-05-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: H01L31/18
CPC classification number: Y02P70/521
Abstract: 一种基于二维功能材料制备柔性光探测器的方法，本发明涉及光探测器的制备方法。本发明是要解决现有的现有的柔性光探测器的光刻工艺技术成本高且难以实现批量化生产的技术问题。方法：制备半导体材料单晶硒化镓或单晶硫化镓；二、用思高胶带在半导体材料表面粘贴-剥离；三、将二维结构半导体材料转移至基底上；四、将铜制掩膜覆到经步骤三处理的基底上，沉积金层和铬层；再去掉掩膜退火处理；五、利用半导体测试仪，筛选出步骤四得到的光探测器半成品中对紫外光有光电响应的电极对，即得到基于二维功能材料制备柔性光探测器。该光探测器紫外光响应度高达100AW-1以上。可作为微电子器件、光敏器件用于信息传输和储存领域。
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公开(公告)号：CN103540899A
公开(公告)日：2014-01-29
申请号：CN201310541663.X
申请日：2013-11-05
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种脉冲激光沉积制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层的方法，它涉及一种复合结构抗菌涂层的制备方法。本发明是要解决现有制备纳米银/二氧化硅复合结构的方法存在化学原料种类多、反应过程引入杂质的问题。制备方法：一、制备银/二氧化硅复合靶材；二、清洗衬底；三、将靶材和衬底分别固定在可自转靶位和样品托上；四、抽真空后通入氧气；五、采用准分子激光器对靶材进行激光烧蚀在室温下沉积涂层；六、停止沉积。本发明方法制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层，只需使用两种原料，在真空腔中制备避免了杂质引入，室温沉积保证了无机、有机等不同材质衬底的使用，在医疗、电子等领域潜在应用广泛；本发明用于制备纳米银/二氧化硅复合结构涂层。
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公开(公告)号：CN103497473A
公开(公告)日：2014-01-08
申请号：CN201310388753.X
申请日：2013-08-30
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜的制备方法，它涉及一种复合薄膜的制备方法。本发明是为了解决现有方法只是制备石墨烯/银纳米粒子复合材料体的技术问题，本方法如下：将聚乙烯吡咯烷酮加入到乙醇中，磁力搅拌的同时水浴加热，加入二维层状纳米结构材料水溶液，加入AgNO3，搅拌，得到溶胶，将溶胶在空气中静置老化，采用丝网印刷方式将经过处理的溶胶印制到钠钙玻璃载玻片上，并干燥，即得。本发明制备的纳米银粒子/二维层状纳米结构复合薄膜中粒子分布在一宽的范围（5nm-25nm），银粒子形状为球状。PVP薄膜表面的纳米银粒子紧密吸附在二维层状纳米结构上，有效地阻止了团聚。本发明属于复合薄膜的制备领域。
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公开(公告)号：CN103050640A
公开(公告)日：2013-04-17
申请号：CN201310033723.7
申请日：2013-01-29
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法，它涉及一种氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒的制备方法。本发明是要解决现有ZnO/SiO2纳米颗粒复合结构极易流失和团聚，无法有效固定于基片表面，不利于器件加工以及现有ZnO/SiO2核壳结构纳米棒中ZnO纳米棒直径降低存在下限，制约进一步优化其发光效率和其它特性的问题，方法为：一、制备ZnO陶瓷靶材；二、清洗衬底；三、制备ZnO籽晶层；四、制备超细ZnO纳米棒阵列；五、制备氧化锌纳米颗粒/二氧化硅复合结构纳米棒。本发明应用于研制和开发发光、光探测、生物分子探测、气体传感、超疏水疏油、光催化等器件应用领域。
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公开(公告)号：CN119687970A
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411904103.0
申请日：2024-12-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 压电结合反馈增强式传感系统，涉及测量领域，本发明的目的是为了解决现有压电陶瓷传感器灵敏度低的问题。压电陶瓷传感器，用于感知外部压力或振动生成初始交流电信号，发送至能量收集单元；还用于接收调节后的交流电信号转换成压力或振动，根据转换后的压力或振动生成交流电信号，与初始交流电信号叠加获得增强后的交流电信号进行输出；能量收集单元，用于将接收到的初始交流电信号整流为直流电信号，发送至反馈路径单元；反馈路径单元，用于将直流电信号转换为交流电信号，并对交流电信号进行信号特性调节，获得调节后的交流电信号传递给压电陶瓷传感器。本发明提高压电陶瓷传感器灵敏度。
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